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公开(公告)号：CN112174211B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202011168522.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明涉及一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Cr同时进行硫化，共同参与成键，使Cr取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Cr掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低廉，制备得到的Cr掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN111218717B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010096253.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Fe2O3、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Fe2O3同时硫化，共同参与成键，使Fe取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Fe掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低，制备得到的Fe掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN110342943B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910651003.4
申请日：2019-07-18
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/5831 , C04B35/5833 , C04B35/5835 , B23D79/00
Abstract: 本发明公开了工业压力下合成无粘结剂聚晶氮化硼块材的方法及其应用，属于聚晶氮化硼合成领域，方法主要包括将cBN、hBN、oBN、pBN中的任意一种或任意几种粉末混合进行提纯、真空加热预处理后预制成柱状坯体，再在高温和工业压力下处理得到聚晶氮化硼块材；应用主要在于加工制备成切削刀具，实现对铁基材料以及硬质合金(WC)等高硬难加工材料的切削加工。本发明大幅降低合成压力，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN112964676A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202011527996.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明涉及一种表面等离激元共振传感器芯片及其制备方法和应用。具体地，本发明公开了一种基于多晶二硫化钨二维材料的表面等离激元共振传感器及其制备方法和应用，利用多晶二硫化钨二维材料晶界处的硫原子与汞离子较强的相互作用，应用表面等离激元共振技术，可以检测不同浓度的汞离子，通过SPR光谱曲线共振角的线性变化，实现对汞离子的超灵敏度检测。本发明通过使用多晶二硫化钨材料，增大汞离子的灵敏度和降低检测极限。
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公开(公告)号：CN110372394B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201910791250.4
申请日：2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5833 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种高塑性高弹性氮化硼致密陶瓷及其制备方法，制备方法包括以下步骤：A）装料：称量一定质量的洋葱结构的球形氮化硼纳米粉体，预压成型，将预压成型后的预压坯放入烧结模具；B）烧结：将步骤A）中的预压坯连同烧结模具一起放入放电等离子烧结设备或者热压烧结设备中烧结；C）出料：待设备内温度自然冷却至室温后取出模具，退模获得高塑性高弹性氮化硼致密陶瓷块体。本发明通过烧结洋葱结构的球形氮化硼纳米粉体，获得高强度高塑性的氮化硼陶瓷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110395988B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910790924.9
申请日：2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高强度氮化硼陶瓷及其制备方法，制备方法包括以下步骤：A)装料：称量一定质量的单一粒径纳米立方氮化硼粉体，预压成型，将预压成型后的预压坯放入烧结模具；B)烧结：将步骤A)中的预压坯连同烧结模具一起放入放电等离子烧结设备或者热压烧结设备中烧结；C)出料：待设备内温度冷却至室温后取出模具，退模获得高强度氮化硼陶瓷块体。本发明通过烧结单一粒径的纳米立方氮化硼粉体，获得高强度的氮化硼陶瓷。
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公开(公告)号：CN111285401A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010177721.5
申请日：2020-03-13
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域。该Mn掺杂单层WS2二维晶体的制备方法为：以MnO2、NaCl、WO3、S为原料，在三温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过化学气相沉积的方式制备得到Mn掺杂单层WS2二维晶体。本实验室生长的本征WS2形貌多为规则的正三角形，Mn掺杂后的WS2样品的光学图像出现明显的衬度差，并且会有部分不规则的多角形出现。本发明操作简单，成本低廉，对仪器设备要求低，合成的样品化学及热力学稳定性好。所制备的样品在电子、传感器、探测器等光电及稀磁半导体方面有着巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN110436928A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910790880.X
申请日：2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了高性能纳米孪晶碳化硼陶瓷块体材料及其制备方法，方法为：以纳米碳化硼粉体为原料（1）通过放电等离子体烧结方法合成纳米孪晶碳化硼块体；（2）通过热压烧结方法合成纳米孪晶碳化硼块材；（3）通过高温高压合成纳米孪晶碳化硼块材,合成得到的纳米孪晶碳化硼块体材料的硬度为30-55GPa，断裂韧性为4.0-8.0 MPa m1/2,抗弯曲强度为500-850MPa，孪晶宽度为1-100nm，晶粒粒径为10nm-10μm，致密度95-100%，具有更高的致密度、比强度、高硬度和高断裂韧性的特性，作为一种超硬材料，可应用在轻质装甲、防弹装备，切削工具和钻头、耐高温结构部件等方面，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110342943A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910651003.4
申请日：2019-07-18
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/5831 , C04B35/5833 , C04B35/5835 , B23D79/00
Abstract: 本发明公开了工业压力下合成无粘结剂聚晶氮化硼块材的方法及其应用，属于聚晶氮化硼合成领域，方法主要包括将cBN、hBN、oBN、pBN中的任意一种或任意几种粉末混合进行提纯、真空加热预处理后预制成柱状坯体，再在高温和工业压力下处理得到聚晶氮化硼块材；应用主要在于加工制备成切削刀具，实现对铁基材料以及硬质合金(WC)等高硬难加工材料的切削加工。本发明大幅降低合成压力，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN110330006A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910717722.1
申请日：2019-08-05
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B32/05
Abstract: 本发明涉及新型sp2-sp3杂化的Gradia碳及其制备方法，属于新型碳材料的技术领域。本发明以sp2杂化碳为碳原料，在高温高压合成条件下制备出一种基本结构单元由sp2杂化的类石墨结构单元和sp3杂化的类金刚石结构单元构成的新型sp2-sp3杂化晶体碳并将其命名为——Gradia碳。本发明所公开的Gradia碳是指一类新型sp2-sp3杂化的碳同素异形体，其晶体结构可根据其内部sp2和sp3结构单元的宽度不同而改变。
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