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公开(公告)号：CN111554354A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010317961.0
申请日：2020-04-21
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法，包括：基于碳化硅二极管的基本结构和材料组成，通过Geant4构建碳化硅二极管的仿真模型，并在Geant4中设定偏置电场的大小和入射粒子的种类、能量；在Geant4中进行仿真模拟：将入射粒子射入碳化硅二极管，模拟不同偏置电场下入射粒子在碳化硅二极管内的粒子运动轨迹及碳化硅二极管的初始缺陷损伤分布；基于仿真模型和初始缺陷损伤分布，通过TCAD软件模拟碳化硅二极管的缺陷损伤演化过程，以分析缺陷损伤对碳化硅二极管的电学性能的影响。揭示偏置电场与辐射损伤的相互作用关系，对碳化硅器件的辐射效应机理分析和可靠性评估提供了技术基础。
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公开(公告)号：CN111029244A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911194510.6
申请日：2019-11-28
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L21/02 , H01L27/11502
Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂的氧化铪基铁电薄膜及电容结构制备方法，该薄膜制备方法包括获取前驱体溶液，所述前驱体溶液为乙酰丙酮铪、乙酸、硝酸铈六水化合物和乙酰丙酮的混合液；其中，铈与铪的摩尔比为X:(1-X)，X的取值范围为0.05～0.2；将衬底上旋涂所述前驱体溶液，并干燥热解以在所述衬底上形成预设厚度的非晶薄膜；将带有预设厚度的非晶薄膜的衬底快速热处理。该方法相比于现有技术工艺简单，制备成本低。
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公开(公告)号：CN109256420A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811131091.7
申请日：2018-09-27
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括柔性衬底、底栅电极、氧化铪基铁电薄膜层、氧化物半导体有源层和均设置于顶层的源电极和漏电极，该制备方法包括：制备柔性衬底且由下至上依次在柔性衬底上制备底栅电极、铁电薄膜层、氧化物半导体有源层、源电极和漏电极，得到柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管。这种晶体管结构简单，多次弯曲后依然可以正常工作，其制备方法工艺简单，成本低廉，可用于电子平板显示领域及可延展性柔性器件领域，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109055916A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811002707.0
申请日：2018-08-30
Applicant: 湘潭大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/40
Abstract: 一种铁电薄膜的制备方法，属于铁电薄膜制备技术领域，包括：S1：用衬底材料制备衬底；S2：在第一预设温度范围内，采用等离子增强原子层沉积方法对所述衬底进行处理，得到预定厚度的铁电薄膜。通过该方法制备的铁电薄膜，在制备过程中与硅衬底材料的兼容性高，而且制备的铁电薄膜其应用时的铁电性能具有较高的自发极化、剩余极化值大、抗疲劳性高、保持时间长等特性。
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公开(公告)号：CN108550576A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810349753.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L27/11502 , H01L27/115
Abstract: 本发明涉及一种非易失性铁电随机存储器及制备工艺，由于通孔填充时形成的表面不平坦，将该层结构与基底层的空间设计结合起来，将铁电电容集成在离通孔较远的金属上，一方面避免通孔表面附近不平坦给铁电电容带来的性能损伤，另一方面又可实现高密度的存储单元设计，该工艺制备的铁电随机存储器，其存储密度高、与CMOS工艺线完全兼容，工艺流程简单，以及在铁电电容集成前不需要平坦化工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103265075B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310220367.X
申请日：2013-06-05
Applicant: 湘潭大学
IPC: C01G29/00
Abstract: 本发明公开了一种多级结构钛酸铋微球的制备方法，该钛酸铋微球由纳米方片自组装而成。其制备方法如下：先将五水硝酸铋、钛酸丁酯溶于乙二醇甲醚中，然后再往其中加入十六烷基三甲基溴化铵，溶解后再加入氢氧化钠水溶液，得到白色沉淀。将上述沉淀置于聚四氟乙烯内衬中，然后将该内衬装入不锈钢反应釜中，将封装好的反应釜置于干燥箱中恒温加热一段时间，反应后的产物经过清洗、烘干，得到由纳米方片自组装而成的多级结构钛酸铋微球。本发明所制备的多级结构钛酸铋微球为以纳米材料为基础构筑微纳米器件提供了新的途径，并且在药物输送、高性能催化载体材料等方面具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN101090024A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710034857.5
申请日：2007-04-29
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明涉及一种镧系稀土离子掺杂钛酸铋/尖晶石铁氧体无铅铁电铁磁复合薄膜及其制备方法。先配制镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电体溶液，放置3～7天，再配制尖晶石铁氧体铁磁溶液，然后以乙酰丙酮作稳定剂，将镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电溶液与铁氧体铁磁溶液混合，经搅拌后得到镧系稀土离子掺杂钛酸铋和铁氧体的均匀混合溶液；过滤，用甩胶旋涂的工艺将其均匀地涂敷在衬底上得到湿膜，然后在氧气气氛下烘烤、热解、退火处理，得到单层多晶镧系稀土离子掺杂钛酸铋/尖晶石铁氧体铁电铁磁复合薄膜；重复进行甩胶旋涂、烘烤、热解、退火，直到获得所需厚度的薄膜。该复合薄膜不含铅。该工艺方法简单易行，制备的薄膜化学均匀性好，铁电相与铁磁相之间可以达到分子级别甚至原子级别的均匀复合，保持更好的微观接触，从而使铁电相与铁磁相之间的乘积效应和交叉耦合效应能充分发挥出来。
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公开(公告)号：CN118136693A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410283318.9
申请日：2024-03-13
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化铪基铁电共振隧穿二极管及其制备方法，包括由下至上依次设置的：基底层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层及顶电极；所述第一势垒层和所述第二势垒层的材料为氧化铪基铁电材料，如此，通过氧化铪基铁电材料的可切换电极化状态来调节势垒层厚度和量子化能级，其具有优异的温度稳定性，可以在室温下稳定工作。氧化铪基铁电薄膜可以实现纳米级的薄膜沉积，有利于应用在高集成度的微电子器件中，并与CMOS工艺兼容，极大的减少了生产成本，有利于实现商业化应用，同时氧化铪基铁电薄膜的耐久性能优异，有利于共振隧穿二极管长期稳定工作。
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公开(公告)号：CN118019345A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311866663.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明涉及一种独立双栅铁电场效应晶体管存储器和抗单粒子效应反相器，一种独立双栅铁电场效应晶体管存储器，其包括由下至上依次设置的：衬底、埋氧层、底栅、沟道层、缓冲层、铁电层、顶栅；对所述顶栅施加电压来实现存储器的“编程/擦除”和“读”操作，对所述底栅施加偏置电压来实现存储器的动态阈值电压控制，解决由编程/擦除循环或空间辐照引起的阈值电压漂移问题，具有较好抗单粒子效应的能力。
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公开(公告)号：CN114959896B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210577546.8
申请日：2022-05-25
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本申请公开了一种氧化铪铁电相单晶及其制备方法，属于铁电存储器技术领域，其中，氧化铪铁电相单晶的制备方法包括：获取两根氧化铪多晶料棒；将两根所述氧化铪多晶料棒共线设置，且两根所述氧化铪多晶料棒之间留有预设距离的缝隙；将所述缝隙置于激光加热区进行铁电单晶的生长得到氧化铪铁电相单晶。该方法可以生长出大尺寸、无宏观缺陷的铁电相。激光的照射稳定性好，加热区域温度均匀度高，不会发生由于温度不均匀所导致的相分离，导致组分变化，并且避免了污染问题，铁电薄膜质量更佳。
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