公开(公告)号：CN114959896B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202210577546.8

申请日：2022-05-25

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 周益春 ,  阳江衡 ,  廖敏 ,  廖佳佳 ,  曾斌建

IPC: C30B29/16 ,  C30B28/02 ,  C30B13/22

Abstract: 本申请公开了一种氧化铪铁电相单晶及其制备方法，属于铁电存储器技术领域，其中，氧化铪铁电相单晶的制备方法包括：获取两根氧化铪多晶料棒；将两根所述氧化铪多晶料棒共线设置，且两根所述氧化铪多晶料棒之间留有预设距离的缝隙；将所述缝隙置于激光加热区进行铁电单晶的生长得到氧化铪铁电相单晶。该方法可以生长出大尺寸、无宏观缺陷的铁电相。激光的照射稳定性好，加热区域温度均匀度高，不会发生由于温度不均匀所导致的相分离，导致组分变化，并且避免了污染问题，铁电薄膜质量更佳。

公开(公告)号：CN114959896A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210577546.8

申请日：2022-05-25

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 周益春 ,  阳江衡 ,  廖敏 ,  廖佳佳 ,  曾斌建

IPC: C30B29/16 ,  C30B28/02 ,  C30B13/22

Abstract: 本申请公开了一种氧化铪铁电相单晶及其制备方法，属于铁电存储器技术领域，其中，氧化铪铁电相单晶的制备方法包括：获取两根氧化铪多晶料棒；将两根所述氧化铪多晶料棒共线设置，且两根所述氧化铪多晶料棒之间留有预设距离的缝隙；将所述缝隙置于激光加热区进行铁电单晶的生长得到氧化铪铁电相单晶。该方法可以生长出大尺寸、无宏观缺陷的铁电相。激光的照射稳定性好，加热区域温度均匀度高，不会发生由于温度不均匀所导致的相分离，导致组分变化，并且避免了污染问题，铁电薄膜质量更佳。