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公开(公告)号：CN114959896B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210577546.8
申请日：2022-05-25
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本申请公开了一种氧化铪铁电相单晶及其制备方法，属于铁电存储器技术领域，其中，氧化铪铁电相单晶的制备方法包括：获取两根氧化铪多晶料棒；将两根所述氧化铪多晶料棒共线设置，且两根所述氧化铪多晶料棒之间留有预设距离的缝隙；将所述缝隙置于激光加热区进行铁电单晶的生长得到氧化铪铁电相单晶。该方法可以生长出大尺寸、无宏观缺陷的铁电相。激光的照射稳定性好，加热区域温度均匀度高，不会发生由于温度不均匀所导致的相分离，导致组分变化，并且避免了污染问题，铁电薄膜质量更佳。
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公开(公告)号：CN114959896A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210577546.8
申请日：2022-05-25
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本申请公开了一种氧化铪铁电相单晶及其制备方法，属于铁电存储器技术领域，其中，氧化铪铁电相单晶的制备方法包括：获取两根氧化铪多晶料棒；将两根所述氧化铪多晶料棒共线设置，且两根所述氧化铪多晶料棒之间留有预设距离的缝隙；将所述缝隙置于激光加热区进行铁电单晶的生长得到氧化铪铁电相单晶。该方法可以生长出大尺寸、无宏观缺陷的铁电相。激光的照射稳定性好，加热区域温度均匀度高，不会发生由于温度不均匀所导致的相分离，导致组分变化，并且避免了污染问题，铁电薄膜质量更佳。
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公开(公告)号：CN111952374B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010861356.X
申请日：2020-08-25
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种随机数字发生器，包括：负电容晶体管；所述负电容晶体管包括层叠的栅极和铁电层；所述铁电层背离所述栅极一侧设置有源端和漏端，所述源端与所述漏端之间设置有沟道区；所述栅极为信号输入端，所述漏端为信号输出端。该随机数字发生器利用铁电介质层的电容与晶体管沟道中的电容匹配，整体产生不可预测的负电容条件，可以降低随机数字发生器的功耗；并且，该随机数字发生器的结构较简单，有利于电路的集成。
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公开(公告)号：CN111952374A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010861356.X
申请日：2020-08-25
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种随机数字发生器，包括：负电容晶体管；所述负电容晶体管包括层叠的栅极和铁电层；所述铁电层背离所述栅极一侧设置有源端和漏端，所述源端与所述漏端之间设置有沟道区；所述栅极为信号输入端，所述漏端为信号输出端。该随机数字发生器利用铁电介质层的电容与晶体管沟道中的电容匹配，整体产生不可预测的负电容条件，可以降低随机数字发生器的功耗；并且，该随机数字发生器的结构较简单，有利于电路的集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108550576B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201810349753.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L27/11502 , H01L27/115
Abstract: 本发明涉及一种非易失性铁电随机存储器及制备工艺，由于通孔填充时形成的表面不平坦，将该层结构与基底层的空间设计结合起来，将铁电电容集成在离通孔较远的金属上，一方面避免通孔表面附近不平坦给铁电电容带来的性能损伤，另一方面又可实现高密度的存储单元设计，该工艺制备的铁电随机存储器，其存储密度高、与CMOS工艺线完全兼容，工艺流程简单，以及在铁电电容集成前不需要平坦化工艺。
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公开(公告)号：CN111554568A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010424255.6
申请日：2020-05-19
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 一种氧化铪基铁电薄膜的制备方法，包括：在基底上沉积氧化铪基薄膜；并在氧化铪基薄膜的上表面沉积覆盖层后，基于退火装置在电场作用下进行退火处理，得到结晶状的大面积单相氧化铪基铁电薄膜，包括在退火处理的不同时间段有选择的施加电场；其中，退火处理包括升温、保持温度和降温三个不同时间段。通过在对氧化铪基铁电薄膜进行退火处理的同时施加电场，控制氧化铪基铁电薄膜结晶过程中的能量场，改善薄膜的质量，使得氧化铪基铁电薄膜具有大面积正交相，铁电性强；当薄膜面积缩小时，也能保持较好的均一性。
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公开(公告)号：CN110364573A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910643820.5
申请日：2019-07-17
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/792 , H01L21/336
Abstract: 一种存储器件、存储器及制备存储器件的方法，其中，存储器件包括衬底、隔离层、缓冲层、铁电层、第一浮栅金属层、电荷捕获层、隧穿层和栅金属层；衬底两边形成有隔离层，用于隔离相邻的存储器件；两边的隔离层之间的衬底上设置有有源区；有源区一边形成源区，另一边形成漏区；源区和漏区通过金属连线与上层金属连线连接，经过多层金属互联形成器件的外围电路控制；缓冲层覆盖隔离层和有源区上不与金属连线连接的部分；铁电层、电荷捕获层、第一浮栅金属层、隧穿层和栅金属层依次设置在源区和漏区之间的缓冲层上。由铁电层和电荷捕获层共同实现存储功能，铁电层极化时产生的电场作用于电荷捕获层存储信息，增加器件的抗疲劳性能，提高存储密度。
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公开(公告)号：CN109980014A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910234444.4
申请日：2019-03-26
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L27/11585
Abstract: 本发明公开了一种后栅极铁电栅场效应晶体管，包括由底层到顶层依次设置的衬底，隔离区，栅结构，侧墙，源漏区，第一金属硅化物层以及层间介质层；还提出了一种后栅极铁电栅场效应晶体管的制备方法，根据氧化铪基铁电栅场效应晶体管的结构特点和氧化铪基铁电薄膜的结晶特性，在器件的制备过程中首先引入虚拟栅极，然后经历高温退火使未退火的氧化铪基薄膜结晶形成铁电相，最后去掉虚拟栅极，沉积栅电极层以满足器件的性能需求，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109355622A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811062206.1
申请日：2018-09-12
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 一种磁控溅射制备铁电薄膜的方法，包括：S1：向反应腔室中安置单个溅射靶材和衬底；S2：在室温温度下对所述靶材进行溅射，得到原子和/或原子团；S3：在电场和磁场的作用下所述靶材和所述衬底之间的所述原子和/或原子团沉积在所述衬底上，得到预成型铁电薄膜；S4：将所述预成型铁电薄膜进行退火处理，得到铁电薄膜。通过在反应腔室中设置单个溅射靶材，在室温温度下进行溅射，并磁控沉积，来制备铁电薄膜。解决了现有技术中单靶溅射时对温度的过高要求，以及在双靶溅射时对仪器的严苛要求。
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