公开(公告)号：CN110988402B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201911219275.3

申请日：2019-12-03

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 蒋丽梅 ,  陈强 ,  姜杰 ,  廖佳佳 ,  刘文燕

IPC: G01Q30/20 ,  G01Q60/00

Abstract: 本发明公开了一种多重服役条件下柔性铁电薄膜的PFM检测方法，包括：将柔性铁电薄膜与导电弯曲载台装配，形成弯曲服役柔性铁电薄膜；将弯曲服役柔性铁电薄膜与温控载台装配，形成双重服役柔性铁电薄膜；将双重服役柔性铁电薄膜与高压载台装配，形成多重服役柔性铁电薄膜；利用PFM检测多重服役柔性铁电薄膜的性能。本方法采用PFM作为观测手段，操作方便，可无损观测到样品纳米级的畴结构和电学性能，为柔性铁电薄膜的微观作用机制提供了可靠的研究手段；将PFM仪器中温控载台与高压载台进行了组装与联用，使仪器既可以在高温下，又可以在高压下测量柔性铁电薄膜的性能，为铁电存储器在高温环境下的工作状态提供实验依据。

公开(公告)号：CN109256420A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201811131091.7

申请日：2018-09-27

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 姜杰 ,  刘文燕 ,  周益春 ,  廖敏

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括柔性衬底、底栅电极、氧化铪基铁电薄膜层、氧化物半导体有源层和均设置于顶层的源电极和漏电极，该制备方法包括：制备柔性衬底且由下至上依次在柔性衬底上制备底栅电极、铁电薄膜层、氧化物半导体有源层、源电极和漏电极，得到柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管。这种晶体管结构简单，多次弯曲后依然可以正常工作，其制备方法工艺简单，成本低廉，可用于电子平板显示领域及可延展性柔性器件领域，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN110988402A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911219275.3

申请日：2019-12-03

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 蒋丽梅 ,  陈强 ,  姜杰 ,  廖佳佳 ,  刘文燕

IPC: G01Q30/20 ,  G01Q60/00

Abstract: 本发明公开了一种多重服役条件下柔性铁电薄膜的PFM检测方法，包括：将柔性铁电薄膜与导电弯曲载台装配，形成弯曲服役柔性铁电薄膜；将弯曲服役柔性铁电薄膜与温控载台装配，形成双重服役柔性铁电薄膜；将双重服役柔性铁电薄膜与高压载台装配，形成多重服役柔性铁电薄膜；利用PFM检测多重服役柔性铁电薄膜的性能。本方法采用PFM作为观测手段，操作方便，可无损观测到样品纳米级的畴结构和电学性能，为柔性铁电薄膜的微观作用机制提供了可靠的研究手段；将PFM仪器中温控载台与高压载台进行了组装与联用，使仪器既可以在高温下，又可以在高压下测量柔性铁电薄膜的性能，为铁电存储器在高温环境下的工作状态提供实验依据。

公开(公告)号：CN109256420B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201811131091.7

申请日：2018-09-27

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 姜杰 ,  刘文燕 ,  周益春 ,  廖敏

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括柔性衬底、底栅电极、氧化铪基铁电薄膜层、氧化物半导体有源层和均设置于顶层的源电极和漏电极，该制备方法包括：制备柔性衬底且由下至上依次在柔性衬底上制备底栅电极、铁电薄膜层、氧化物半导体有源层、源电极和漏电极，得到柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管。这种晶体管结构简单，多次弯曲后依然可以正常工作，其制备方法工艺简单，成本低廉，可用于电子平板显示领域及可延展性柔性器件领域，具有良好的应用前景。