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发明公开
一种氧化铪基铁电共振隧穿二极管及其制作方法审中-实审

公开(公告)号：CN118136693A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410283318.9

申请日：2024-03-13

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 曾斌建 , 王弘毅 , 廖敏 , 杨琼 , 彭强祥

IPC: H01L29/88 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34 , B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种氧化铪基铁电共振隧穿二极管及其制备方法，包括由下至上依次设置的：基底层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层及顶电极；所述第一势垒层和所述第二势垒层的材料为氧化铪基铁电材料，如此，通过氧化铪基铁电材料的可切换电极化状态来调节势垒层厚度和量子化能级，其具有优异的温度稳定性，可以在室温下稳定工作。氧化铪基铁电薄膜可以实现纳米级的薄膜沉积，有利于应用在高集成度的微电子器件中，并与CMOS工艺兼容，极大的减少了生产成本，有利于实现商业化应用，同时氧化铪基铁电薄膜的耐久性能优异，有利于共振隧穿二极管长期稳定工作。

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