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公开(公告)号：CN105844352A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610163592.8
申请日：2016-03-22
Applicant: 国网河南省电力公司 , 北京科东电力控制系统有限责任公司 , 浙江大学 , 国家电网公司
Inventor： 何洋 , 尚金成 , 文福栓 , 高春成 , 郑瑞晨 , 倪琳娜 , 代勇 , 史述红 , 方印 , 陶力 , 吴雨健 , 袁明珠 , 王蕾 , 李守保 , 王清波 , 刘杰 , 赵显 , 谭翔 , 汪涛 , 袁晓鹏 , 王春艳
Abstract: 本发明是一种基于决策效用的能源互联网信息价值评估方法,包括有如下步骤:1)确定能源局域网决策过程中的优化目标：优化周期内该能源局域网的运行成本最小；2)确定能源局域网决策过程中的决策变量Xt；3)确定能源局域网决策过程中存在的不确定性因素；4)确定Yt是服从联合概率密度函数为f(Yt)的随机向量；5)寻求该优化周期内该能源局域网的运行成本最小化；6)求解决策者了解到完全信息；7)获得完全信息后可节约的能源局域网的运行成本。
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公开(公告)号：CN102595859B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210054548.5
申请日：2012-03-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种电力电子功率模块散热结构，由上之下依次为热源、DBC上铜层、DBC陶瓷层和DBC下铜层，其中DBC陶瓷层热导率为ρ1，铜的热导率为ρ2，DBC陶瓷层长度为L3，热源长度为L1，DBC上铜层的厚度为h；DBC上铜层为棱台状，热源下表面与棱台斜面之间的钝角a满足；对于每处热源均可以设计相应的棱台状DBC上铜层，假定需要用以导热的DBC陶瓷层边长为L2，则相应的DBC上铜层下表面的长度为L2，再由需要使用的DBC陶瓷层长度和热源长度计算出DBC上铜层的厚度。
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公开(公告)号：CN103730518A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210391027.9
申请日：2012-10-16
Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0611 , H01L29/402
Abstract: 本发明公开了一种具有良好电流导通能力和高耐压的半导体装置及其制备方法。本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的肖特基势垒二极管，具有倾斜金属场板的结构和增强层III-V半导体材料层。正向导通时，通过电导调制作用使得该半导体装置在正偏时的导通能力获得提升。反偏时，带有掺杂的增强层通过对2DEG的调制从而使得耐压能力获得提高。因此可以实现比传统肖特基势垒二极管更低的导通电阻Ron和更高的击穿电压Vbr。该结构适合应用于平面结构的功率器件。
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公开(公告)号：CN103730490A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210391026.4
申请日：2012-10-16
Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7788 , H01L29/1029 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直导电沟道和增强耐压能力的半导体装置；本发明的半导体装置，为垂直型结构器件；本发明的半导体装置，具有垂直方向的导电沟道，电子由源极出发，流经水平沟道，并通过垂直深槽侧壁的沟道导通层强制转为垂直方向，通过器件底部的漂移区进入漏极；相对于传统的水平沟道的平面型HEMT器件，本发明的半导体装置不仅有着更为优异的单位面积的电流导通能力，能够有效降低器件的比导通电阻Ron-sp，而且本装置能够充分利用漂移区长度耐压，消除了传统横向器件的二维表面场优化的固有问题。
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公开(公告)号：CN103730464A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210390960.4
申请日：2012-10-16
Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种具有可集成续流二极管的半导体装置；本发明的半导体装置由III族氮化物的三端HEMT器件和III族氮化物的两端SBD器件并联构成，通过金属电板在器件上方或者器件外围通过电板引导将金属电极相连接。带有可集成的续流二极管的HEMT，通过其自带的二极管，避免了外接二极管的模块化的复杂工艺，极大的降低了电路尺寸和设计成本，提高了芯片工作的稳定度。本发明的半导体结适合应用于平面结构的器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103022022A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210569533.2
申请日：2012-12-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L25/07 , H03K17/567
CPC classification number: H03K17/168 , H01L23/492 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45111 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种低寄生电感的IGBT功率模块，包括上桥臂IGBT芯片、下桥臂IGBT芯片、上桥臂反并二极管芯片、下桥臂反并二极管芯片，下桥臂反并二极管芯片压接在上桥臂IGBT芯片表面，下桥臂反并二极管芯片的阴极与上桥臂IGBT芯片的发射极直接相连；下桥臂IGBT芯片与上桥臂反并二极管芯片分别置于相邻放置的基板上。本发明采用任意类型的IGBT芯片与任意类型的反并二极管的组合。一方面，本发明采用反向压接的办法，最大限度的将回路中的电感降到最低，使得应用中的开关回路避免出现过大的振荡和尖峰，另一方面，本发明减小了模块中芯片的占用面积，从而达到降低模块尺寸的目的，为实际应用带来便利。
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公开(公告)号：CN103021977A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210569282.8
申请日：2012-12-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48472 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种新型的功率模块，包括外壳、衬底、基板、芯片，衬底连接散热器，芯片与基板固定连接，基板与衬底固定连接，功率模块内部具有冷却介质流经回路，冷却介质流经回路包括散热通道、冷却介质入口、冷却介质出口，散热通道、冷却介质入口、冷却介质出口设置在衬底内部并与衬底一体成型。本发明将功率模块的散热集成到功率模块底部，通过水冷的散热方式进行，实现了直接对功率模块内部进行散热处理，规避了各种散热中间介质，可以避免采取不同散热器带来的特性差异，提高了散热效率，保证模块工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN102595859A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210054548.5
申请日：2012-03-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种电力电子功率模块散热结构，由上之下依次为热源、DBC上铜层、DBC陶瓷层和DBC下铜层，其中DBC陶瓷层热导率为ρ1，铜的热导率为ρ2，DBC陶瓷层长度为L3，热源长度为L1，DBC上铜层的厚度为h；DBC上铜层为棱台状，热源下表面与棱台斜面之间的钝角a满足；对于每处热源均可以设计相应的棱台状DBC上铜层，假定需要用以导热的DBC陶瓷层边长为L2，则相应的DBC上铜层下表面的长度为L2，再由需要使用的DBC陶瓷层长度和热源长度计算出DBC上铜层的厚度。
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公开(公告)号：CN219001365U
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202222738871.6
申请日：2022-10-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用于液气胸胸腔引流装置，包括：引流组件，其外部套设有固定套；可调式固定装置，其活动套接于引流组件的外部，可调式固定装置包括限位式套接组件和充气式限位组件，充气式限位组件固定套接于限位式套接组件的外部，限位式套接组件与引流组件滑动套接，充气式限位组件与引流组件卡接。本实用新型固定套和可调式固定装置相配合的设置方式，通过限位式套接组件带动充气式限位组件的滑动，然后再将可调式固定装置穿插在患者胸部的穿刺点位置，从而引流组件相对患者穿刺点的位置改变，从而便可调整引流组件在患者胸腔内部的长度，减少传统引流法缝线固定损伤，且可灵活适应患者需要穿插的引流管的长度。
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公开(公告)号：CN202917497U
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201220562067.0
申请日：2012-10-29
Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院
IPC: H01L29/778
Abstract: 一种带有漂移区电场成型技术的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件，包括衬底，依次沉积在衬底上的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，以及于上述半导体层接触的源极、漏极和栅极，电容性耦合沟槽矩形阵列，电容性耦合沟槽中垂直设置有多晶硅连接器，所述第一半导体层、所述第二半导体层与所述第三半导体层的材料均选自Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物，所述第三半导体层与所述第二半导体层之间形成二维电子气沟道，所述多晶硅连接器贯穿所述二维电子气沟道，并截止于第二半导体层中。多晶硅连接器长度短，不但工艺简单，而且还降低了制作成本，所述第一半导体层、所述第二半导体层与所述第三半导体层的材料均选自Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物，介质击穿电压高，使得电子器件能承受很高的电压。
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