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公开(公告)号：CN113539870B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110704028.3
申请日：2021-06-24
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及测试晶圆上一开关元器件的电气特性的方法，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。
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公开(公告)号：CN113539870A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110704028.3
申请日：2021-06-24
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及测试晶圆上一开关元器件的电气特性的方法，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。
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公开(公告)号：CN113341294B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202110704304.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置结构，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。
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公开(公告)号：CN117674546A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311588909.9
申请日：2023-11-27
IPC: H02M1/00 , H02M1/088 , H02M7/48 , H02M7/5395 , G06N5/01
Abstract: 本发明提供一种针对单相混合器件逆变器控制自适应损耗的方法，所述单相逆变器包括由第一、第二开关器件所组成的混合功率器件，所述单相逆变器还包括混合调控模块；所述混合调控模块通过如下步骤实现逆变器控制自适应损耗控制：步骤一、对混合功率器件模块依照逆变器的工作条件进行参数设定，步骤二、通过粒子编码方式将混合功率器件模块的时间(0，T/4)的区间均匀分成K个维度，步骤三：将逆变器自身损耗，即逆变器输入功率与输出功率之差为目标模型、将延时时间t作为自变量，导入模拟退火算法，运用模拟退火算法对逆变器进行控制；该方法通过对单相逆变器自动优化其内部的延时时间有效控制，提高逆变器的使用效率。
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公开(公告)号：CN113341294A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110704304.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置结构，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118409179A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410555827.2
申请日：2024-05-07
Applicant: 浙江大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及半导体测试技术领域中的一种压接型IGBT器件的测试装置，包括下压组件、定位组件以及滑动设置于定位组件上的第一压板、第二压板，且第一压板与第二压板相对设置，定位组件固定安装在支撑台上，下压组件固定在定位组件上，并驱动第一压板在定位组件上滑动，第一压板和第二压板相对的端面上均设置有冷却组件，且压接型IGBT器件设置于第二压板上的冷却组件上，冷却组件的进出口流道为漏斗型设置，解决了现有压接型IGBT器件测试工装中，夹具的散热水冷板因采用圆形截面流道而使得流道和流道壁面存在散热不均匀性，进而导致测试结果准确性的问题。
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公开(公告)号：CN116053171A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310147598.6
申请日：2023-02-22
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片的裂片辅助工具，包括架体，所述架体的右部成型有右支撑架部，架体的左部成型有左支撑架部，右支撑架部的顶面安装有夹持板，右支撑架部的顶部的内侧壁安装有可拆卸旋转平台，可拆卸旋转平台的顶面与右支撑架部的顶面相平；所述左支撑架部的上部安装有用于前后移动的滑动件，滑动件上固定有滑动臂，滑动臂的右部安装有划裂片笔，划裂片笔的笔尖对着可拆卸旋转平台的顶面。它的结构简单，制造方便，制造成本低，操作方便，操作过程中产生的粉尘等可以进行及时处理，减少对周围环境的污染，其解决了因手动裂片存在裂片效果欠佳及对操作人员伤害的风险，降低了对裂片人员的经验要求。
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公开(公告)号：CN113884850A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111098043.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 宋琦华 , 孙明 , 王一帆 , 骆丽 , 王尊 , 刘黎 , 邵先军 , 王少华 , 陈虔 , 曾明全 , 李文燕 , 邓志江 , 张斌 , 林氦 , 郭清 , 陈少华
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体特性参数测试系统及方法，属于半导体特性参数测试技术领域。本发明的一种功率半导体特性参数测试系统，包括功率主回路、双脉冲测试电路、电感阻隔电路。本发明设置辅助功率半导体对待测功率半导体的导通时间以及电路通断进行控制，并在功率半导体两端设置吸收电容，能够有效阻隔母线电容到测试半桥之间的部分寄生电感；同时功率主回路采用叠层母排结构进行设置，通过较小的回路面积大大降低了杂散电感，能够以更低的电压实现高电流承载。进而本发明能够有效减小电压过冲叠加以及开关损耗，同时能有效避免电磁干扰，使得本发明特别适用于对第三代半导体高压SiC功率器件进行高精度的动态特性参数测试。
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公开(公告)号：CN111628008A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910147139.1
申请日：2019-02-27
Applicant: 无锡华润微电子有限公司 , 浙江大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅肖特基二极管。包括有源区和有源区外围的终端区，所述有源区包括掺杂区和未设置所述掺杂区的肖特基区，所述掺杂区的导电类型与所述有源区的衬底的导电类型相反，所述有源区被划分为有源区中心区域和所述有源区中心区域外围的有源区边缘区域，所述有源区边缘区域的S值比所述有源区中心区域的S值大，所述S值为所述肖特基区的面积与所述掺杂区的面积的比值，所述有源区边缘区域的面积占有源区总面积的40％-80％。通过将有源区中心区域的掺杂区设置的更密集，改善了电子迁移率的问题，更好地避免了热点失效。
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公开(公告)号：CN111627802A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910145356.7
申请日：2019-02-27
Applicant: 无锡华润微电子有限公司 , 浙江大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/329 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅器件制备方法，包括：提供碳化硅基底，碳化硅基底具有第一导电类型，在碳化硅基底的正面上形成硬掩膜，硬掩膜上开设有注入窗口；对碳化硅基底进行第二导电类型离子注入，使部分碳化硅基底晶格结构被破坏，形成具有预设形貌的晶格损伤区，第二导电类型与第一导电类型具有相反的导电性能；利用腐蚀液对碳化硅基底进行湿法刻蚀，以去除晶格损伤区内的碳化硅，形成具有预设形貌的沟槽。通过离子注入形成晶格损伤区，再利用湿法刻蚀晶格损伤区形成沟槽，该刻蚀方法形成的沟槽不会出现微沟槽，且选择离子注入的导电类型与基底的导电类型相反，可避免离子注入对基底掺杂浓度的影响。
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