公开(公告)号：CN103730518A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210391027.9

申请日：2012-10-16

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  汤岑 ,  陈琛 ,  盛况 ,  汪涛 ,  郭清 ,  崔京京

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/402

Abstract: 本发明公开了一种具有良好电流导通能力和高耐压的半导体装置及其制备方法。本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的肖特基势垒二极管，具有倾斜金属场板的结构和增强层III-V半导体材料层。正向导通时，通过电导调制作用使得该半导体装置在正偏时的导通能力获得提升。反偏时，带有掺杂的增强层通过对2DEG的调制从而使得耐压能力获得提高。因此可以实现比传统肖特基势垒二极管更低的导通电阻Ron和更高的击穿电压Vbr。该结构适合应用于平面结构的功率器件。

公开(公告)号：CN103730490A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210391026.4

申请日：2012-10-16

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  汤岑 ,  郭清 ,  汪涛 ,  崔京京 ,  盛况

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种具有垂直导电沟道和增强耐压能力的半导体装置；本发明的半导体装置，为垂直型结构器件；本发明的半导体装置，具有垂直方向的导电沟道，电子由源极出发，流经水平沟道，并通过垂直深槽侧壁的沟道导通层强制转为垂直方向，通过器件底部的漂移区进入漏极；相对于传统的水平沟道的平面型HEMT器件，本发明的半导体装置不仅有着更为优异的单位面积的电流导通能力，能够有效降低器件的比导通电阻Ron-sp，而且本装置能够充分利用漂移区长度耐压，消除了传统横向器件的二维表面场优化的固有问题。

公开(公告)号：CN103730464A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210390960.4

申请日：2012-10-16

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  汤岑 ,  盛况 ,  汪涛 ,  郭清 ,  崔京京

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明公开了一种具有可集成续流二极管的半导体装置；本发明的半导体装置由III族氮化物的三端HEMT器件和III族氮化物的两端SBD器件并联构成，通过金属电板在器件上方或者器件外围通过电板引导将金属电极相连接。带有可集成的续流二极管的HEMT，通过其自带的二极管，避免了外接二极管的模块化的复杂工艺，极大的降低了电路尺寸和设计成本，提高了芯片工作的稳定度。本发明的半导体结适合应用于平面结构的器件。

公开(公告)号：CN104347695A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310326456.2

申请日：2013-07-31

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  盛况 ,  陈琛 ,  崔京京

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/0646

Abstract: 本发明公开了一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置，本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的高电子迁移率的晶体管，其衬底下增加埋层承受一定纵向电压，其掺杂类型与衬底掺杂类型相反。当器件承受高压时，其衬底相当于一个反偏二极管，承受大部分电压。可以使得该半导体装置的纵向耐压能力获得增强，因此可以通过优化器件横向尺寸及结构提高器件综合耐压。

公开(公告)号：CN104347522A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310326457.7

申请日：2013-07-31

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  陈琛 ,  盛况 ,  崔京京

IPC: H01L21/8258

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/8258

Abstract: 本发明公开了一种基于III-V族氮化镓智能功率集成电路的实现方法，本发明的半导体装置为采用III-V族半导体材料的高电子迁移率器件，通过一定的方法在利用SOI技术，将基于 晶向硅材料衬底的高耐压的GaN半导体器件和基于 晶向硅材料的低压器件进行单片功率集成的目的。该方法结构应用于基于不同材料的混合型智能功率集成电路。

公开(公告)号：CN104347582A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310326155.X

申请日：2013-07-31

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 谢刚 ,  何志 ,  陈琛 ,  盛况 ,  崔京京

IPC: H01L23/522

Abstract: 本发明公开了一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构，本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的高电子迁移率器件，通过半导体装置衬底与绝缘的DBC基板相连，所得到的DBC基板再与外部封装相连，可以使得该半导体装置在承受反偏高压时，DBC板承担大部分耐压，器件纵向耐压获得增强。通过优化横向尺寸及结构可以大幅度提高半导体器件的综合耐压水平。

公开(公告)号：CN103730489A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210390959.1

申请日：2012-10-16

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 盛况 ,  谢刚 ,  汤岑 ,  郭清 ,  汪涛 ,  崔京京

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种具有桥墩式沟道结构的半导体装置，本发明的半导体装置为平面型结构器件；本发明的半导体装置具有采用深槽结构的栅极电极；本发明的半导体装置具有采用等间距间隔分布的桥墩式深槽结构；本发明的半导体装置具有栅极电极下方的绝缘层。在传统的凹槽型绝缘栅HEMT器件的基础上，通过将栅极电极下方的绝缘深槽进行等间距间隔分布，引入了额外的2DEG导电沟道，且该沟道不受到绝缘层侧壁工艺的影响，从而降低了导通电阻。

公开(公告)号：CN202917497U

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201220562067.0

申请日：2012-10-29

Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院

Inventor： 汤岑 ,  谢刚 ,  仲雪倩 ,  崔京京 ,  汪涛 ,  郭清 ,  盛况

IPC: H01L29/778

Abstract: 一种带有漂移区电场成型技术的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件，包括衬底，依次沉积在衬底上的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，以及于上述半导体层接触的源极、漏极和栅极，电容性耦合沟槽矩形阵列，电容性耦合沟槽中垂直设置有多晶硅连接器，所述第一半导体层、所述第二半导体层与所述第三半导体层的材料均选自Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物，所述第三半导体层与所述第二半导体层之间形成二维电子气沟道，所述多晶硅连接器贯穿所述二维电子气沟道，并截止于第二半导体层中。多晶硅连接器长度短，不但工艺简单，而且还降低了制作成本，所述第一半导体层、所述第二半导体层与所述第三半导体层的材料均选自Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物，介质击穿电压高，使得电子器件能承受很高的电压。