公开(公告)号：CN120072726A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411716379.6

申请日：2024-11-27

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 河原启之 ,  太田乔 ,  岩尾通矩 ,  佐藤卓也

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请提供一种能够抑制因搬送时的位置修正引起的生产能力下降的基板搬送装置。在利用第一手部(33)保持基板(W)时，利用所有引导部(67)把持基板的外周面，基于在该时间点得到的位置信息，算出保持的基板的中心位置来作为当前中心位置(CPN)。控制部算出事先设定的第一手部上的基板的基准中心位置(CPR)与当前中心位置的差值(DF)。在交接基板W时，根据差值来操作水平驱动机构(57)，修正使第一手部进出的位置。因此，在利用第一手部保持了基板的时间点，能够算出在基板交接时位置的修正所需的差值。其结果为，能够因搬送时的位置修正引起的生产能力下降。

公开(公告)号：CN120072725A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411700094.3

申请日：2024-11-26

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 佐藤卓也 ,  河原启之 ,  太田乔 ,  岩尾通矩

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基板搬送装置、基板处理装置及示教方法。根据本发明，夹持基板(W)的外周面的三个可动引导件(67)设于转位模块(5)的第1手部(19)。第1手部(19)在设为基板(W)处于初始的设定位置而使第1手部(19)与基板(W)接近后，使可动引导件(67)与基板(W)抵接。基于各可动引导件(67)与基板(W)抵接时的各可动引导件(67)的位置关系，计算出基板(W)的中心点的位置，该中心点的位置作为新的设定位置被存储于存储部。

公开(公告)号：CN120072723A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411679332.7

申请日：2024-11-22

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 河原启之 ,  太田乔 ,  佐藤卓也

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明的目的在于提供一种衬底搬送装置及具备所述衬底搬送装置的衬底处理装置，能效率良好地处理衬底。在搬送衬底的衬底搬送装置中，具备：手部，将所述衬底保持为水平姿势；水平驱动机构，为了交接所述衬底而将所述手部在水平面内进退驱动；至少2个引导件，设置于所述手部，夹持所述衬底的外周面使所述衬底与所述手部分开并保持；及进退驱动机构，使所述至少2个引导件中，至少1个引导件作为可动引导件相对于所述衬底进退驱动；且所述手部关于保持所述衬底的所述手部的方式，具备如下2种方式：上取，在所述手部位于比所述衬底靠上方，且所述手部与所述衬底分开的状态下，所述引导件夹持所述衬底的外周面；及下取，在所述手部位于比所述衬底靠下方，且所述手部与所述衬底分开的状态下，所述引导件夹持所述衬底的外周面。

公开(公告)号：CN112185851B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202010634817.X

申请日：2020-07-03

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 深津英司 ,  太田乔 ,  泽岛隼

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，有效抑制处理液相对于基板的下表面的蔓延。该基板处理装置具备：保持部，其用于能够旋转地保持基板；旋转驱动部，其用于使上述保持部旋转；以及对置板，其在俯视下包围上述保持部且与上述基板对置，上述对置板具备：第一气体供给部，其设于径向的内侧，且用于至少向上述基板与上述对置板之间供给气体；以及至少一个位移部，其设于比上述第一气体供给部靠径向外侧的与上述基板对置的面，且与径向内侧相比，径向外侧的与上述基板之间的距离短。

公开(公告)号：CN113053780B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202011559598.X

申请日：2020-12-25

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 犹原英司 ,  太田乔 ,  池内崇 ,  中村康则

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法、基板处理系统以及学习用数据的生成方法。基板处理装置包括喷嘴、移动机构、存储部及控制部。移动机构使喷嘴移动。存储部存储学习完毕模型。学习完毕模型是通过将表示喷嘴的移动速度的学习对象速度信息与处理量作为学习用数据进行学习而生成，所述处理量是以基于学习对象速度信息的速度来使喷嘴移动并对学习对象基板执行处理而获取。控制部将处理量的目标量输入至学习完毕模型，由此，从学习完毕模型输出处理时速度信息。控制部在对处理对象基板执行处理时，控制移动机构，以使喷嘴以基于处理时速度信息的速度而移动。处理时速度信息表示喷嘴的移动速度。

公开(公告)号：CN113491000B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202080017283.4

申请日：2020-01-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 武明励 ,  太田乔

IPC: H01L21/306 ,  H10B43/27 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 基板处理方法包含：第一蚀刻工序，其一边使基板(W)旋转，一边将第一磷酸液(L1)供给至基板(W)而蚀刻多个叠层，前述基板(W)具有包含氮化硅层的多个叠层隔着间隙而相对的三维层叠结构；中断工序，其在残留有氮化硅层的状态下中断通过第一蚀刻工序所进行的多个叠层的蚀刻；及第二蚀刻工序，其使基板(W)浸渍于被贮存在处理槽(310)的第二磷酸液(L2)，而再次开始已被中断的多个叠层的蚀刻。

公开(公告)号：CN111886677B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN201880090875.1

申请日：2018-12-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 太田乔 ,  林昌之 ,  奥田次郎 ,  中岛章宏

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

Abstract: 一种能够提高多个基板间利用处理液的处理结果的均一性的基板处理装置(100)，其包括温度检测部(17)及控制部(30)。温度检测部(17)在预分配处理执行中的处理液的温度到达目标温度(Tt)之前，对处理液的温度进行检测。控制部(30)基于目标温度预测时间(tP)，来设定预分配处理中的处理液的喷出停止时间。目标温度预测时间是指处理液的温度自检测温度(Td)起到达目标温度(Tt)为止的预测时间。检测温度(Td)是指通过温度检测部(17)在到达目标温度(Tt)之前检测出的处理液的温度。目标温度预测时间(tP)是基于温度分布图(PF)而定。温度分布图(PF)是指过去依照预分配处理条件执行预分配处理时的处理液的温度的时间推移的记录。

公开(公告)号：CN114746987A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080084200.3

申请日：2020-11-25

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 稻木大 ,  岛野达矢 ,  太田乔

IPC: H01L21/306

Abstract: 在本发明的处理条件确定方法中，从多个处理程式信息中确定出一边移动处理液的喷出位置一边处理基板W时能够使用的处理程式信息。处理条件确定方法包括工序S31、工序S32以及工序S33。在工序S31中，基于包括基板W的厚度的测定值的测定厚度信息，针对多个处理程式信息中的每一个处理程式信息，计算出包括基板W的处理后的厚度的预测值的预测厚度信息。在工序S32中，按照规定评价方法来评价针对多个处理程式信息而分别计算出的多个预测厚度信息，并从多个预测厚度信息中选择预测厚度信息。在工序S33中，确定出与所选择的预测厚度信息对应的处理程式信息。测定厚度信息中包括的测定值表示在基板W的处理前测定的基板W的厚度。

公开(公告)号：CN114616649A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202080074806.9

申请日：2020-10-15

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 日野出大辉 ,  太田乔 ,  板原隆夫 ,  中西恭平 ,  岛野达矢

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/66

Abstract: 基板(WF)具有设置了成为功率器件的构造的多个芯片区域(RS)，并设置有被处理膜(501)。通过一边使基板(WF)旋转一边使传感器(81)在径向上进行扫描，测定径向上的被处理膜(501)的厚度分布。计算出厚度分布的平均厚度(davg)。提取厚度分布具有平均厚度(davg)的至少一个径向位置来作为至少一个候补位置。将至少一个候补位置中的至少一个决定为至少一个测定位置。一边使基板(WF)旋转一边自喷嘴(52)朝基板(WF)的被处理膜(501)上供给处理液。一边使基板(WF)旋转，一边通过传感器(81)在至少一个测定位置对被处理膜(501)的厚度的随时间的变化进行监视。

公开(公告)号：CN113614886A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080021193.2

申请日：2020-01-21

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 太田乔 ,  高冈诚 ,  江户彻 ,  堀口博司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 处理条件选择方法包括步骤(S21)以及步骤(S22)。在步骤(S21)中，比较表示在对象物的多个测定位置分别测定出的多个厚度的分布的厚度图案(TM)与预先存储的多个参照图案(RP)，根据规定规则从多个参照图案(RP)中确定与厚度图案(RM)相关度高的参照图案(RP)。在步骤(S22)中，取得与多个参照图案(RP)分别相关联的多个参照处理条件中的、与所确定的参照图案(RP)相关联的参照处理条件而作为对象物的处理条件。多个参照图案(RP)分别表示参照对象物的物理量的分布。多个参照处理条件分别表示过去对具有参照图案(RP)的参照对象物执行了处理时的处理条件。