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公开(公告)号：CN103782401A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280043649.0
申请日：2012-03-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , H01L33/00 , H05B33/08
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L24/19 , H01L25/50 , H01L33/0095 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H05B33/0803 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：不少于三个芯片（3a，3b），所述芯片中的每一个芯片包括半导体层（15），所述半导体层（15）具有第一面（15a）、形成在与所述第一面相对的一侧上的第二面、以及发光层（12a）；p侧电极（16），其被设置在所述第二面上具有所述发光层的区域中；以及n侧电极（17），其被设置在所述第二面上不具有所述发光层的区域中；以及被设置在所述芯片的所述第一面上的相同种类的荧光体层（31）。所述芯片包括：位于平面图中心的中心芯片（3a），以及至少两个周边芯片（3b），其在所述平面图中彼此对称布置并且夹置所述中心芯片（3a）。在所述周边芯片中，所述第一面上的所述荧光体层（31）的厚度相同，并且所述中心芯片的所述第一面上的所述荧光体层（31）与所述周边芯片的所述第一面上的所述荧光体层（31）具有彼此不同的厚度。
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公开(公告)号：CN103403888A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180068941.3
申请日：2011-09-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：半导体层、p侧电极（16）、n侧电极（17）、和无机膜（30）。半导体层包括具有不平坦性的第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层（13）。该半导体层包括氮化镓。p侧电极（16）被设置在包括发光层（13）的区域中的第二表面上。n侧电极（17）被设置在不包括发光层的区域中的第二表面上。无机膜被设置为遵从第一表面的不平坦性，并与所述第一表面接触。无机膜的主要成分为硅和氮。无机膜的折射率介于氮化镓的折射率和空气的折射率之间。也在无机膜的表面中形成不平坦性。
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公开(公告)号：CN103354253A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310258023.8
申请日：2010-08-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0008 , H01L33/0016 , H01L33/0095 , H01L33/36 , H01L33/387 , H01L33/56 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , Y10S438/94
Abstract: 根据一个实施方式，一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102270722A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110070617.7
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面、与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一电极被设置于第二主表面上的包括发光层的区域上。第二电极被设置于第二主表面上并且在平面图中至少部分内插到第一电极里面。
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公开(公告)号：CN102270710A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110192487.4
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/508 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体的第一绝缘层的第一开口部，形成第一布线层的工序，第一绝缘层具有与第二电极相连的第二开口部；在第一绝缘层的第二开口部形成第二布线层的工序；在与第一布线层上的第一电极相对的相反侧的面上，形成第一金属柱的工序；在与第二布线层的第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序；在第一金属柱的侧面和第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序；基于从第一主面侧得到的光的发光光谱，在选自多个半导体层的半导体层的第一主面上形成对于光呈透明的透明材料的工序；在透明材料上及多个半导体层的第一主面上，形成荧光体层的工序。
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公开(公告)号：CN102270709A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010283884.8
申请日：2010-09-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/0075 , H01L33/486 , H01L2224/16 , H01L2933/0066
Abstract: 一种发光装置的制造方法，具有：在衬底上层积具有发光层的半导体层并形成第一构造体的工序；在半导体层上形成第一电极及第二电极的工序；在半导体层上形成与第一电极导通的第一金属柱和与第二电极导通的第二金属柱的工序；在第一金属柱及第二金属柱之间埋入树脂的工序；以及，将衬底从半导体层剥离，形成通过树脂支承半导体层，并在树脂的与半导体层相反的一侧成为凸起的第二构造体的工序。
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公开(公告)号：CN101492149B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910003276.4
申请日：2009-02-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00476
Abstract: 本发明涉及一种构建到半导体集成电路中的电器件。基底包括功能元件。绝缘的第一膜与基底一起形成容纳功能元件的腔体并且包括多个通孔。绝缘的第二膜覆盖所述多个通孔，形成在第一膜上，并且其透气性高于第一膜的透气性。绝缘的第三膜形成在第二膜上，并且其透气性低于第二膜的透气性。绝缘的第四膜形成在第三膜上，并且其弹性高于第三膜的弹性。
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公开(公告)号：CN101989573A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010243804.6
申请日：2010-08-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0008 , H01L33/0016 , H01L33/0095 , H01L33/36 , H01L33/387 , H01L33/56 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , Y10S438/94
Abstract: 根据一个实施方式，一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
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