-
-
公开(公告)号：CN101692151A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910195817.8
申请日：2009-09-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线的制作方法。其步骤包括：在原始模板上淀积并烘烤二层胶体，并揭下作为软压印模板。在表面为硅层的衬底上旋涂一层光刻胶并前烘，使用前面得到的软模板进行压印，然后使用RIE刻蚀去除硅表面压印胶体的剩余层。利用衬底硅表面上的胶体作为刻蚀阻挡层，进行硅的各项异性刻蚀，最后得到所需的横截面为梯形或者三角形的硅纳米线图形。本发明方法简单，只需要一次压印；对昂贵的原始模板没有损伤，纳米线表面缺陷和陷阱少，而且纳米线的线宽可以调整。
-
公开(公告)号：CN101294971A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810038582.7
申请日：2008-06-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于数字微流控技术领域，具体为一种基于介质上电润湿效应的数字微流控器件及控制方法。本发明器件结构从下而上依次为衬底、绝缘层、金属电极层、介质层和疏水层，其中，介质层采用高介电常数材料，如基于PVDF的有机薄膜等，电极采用单层控制电极。基于上述器件的液滴驱动方法为：将液滴加于同层两邻两电极位置上方的疏水层表面，在两电极间施加一个电压，移动该两电极，即实现液滴的受控运动。本发明大大降低了工艺的复杂性，降低成本，并增加了微流控操作的柔性。
-
公开(公告)号：CN111262629B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202010204083.1
申请日：2020-03-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/50 , H04B10/54 , H04B10/556
Abstract: 本发明属于通信技术领域，具体为基于sCAP调制的micro‑LED可见光通信系统。本发明系统依次包括：数模转换单元，信号混合单元，micro‑LED光源，多个透镜，光电探测器，模数转换单元，信号处理单元；本发明将micro‑LED作为发射光源，其调制带宽可达230 MHz，并且micro‑LED的工作电流密度极大、平均亮度很高，达到数Gbps的通信速率，符合下一代高速通信的发展要求；另外通过sCAP的调制方式，简化系统和提高频谱利用率的效果，能够100%地利用频谱，将频谱利用率增加到高达9.12 bit/s/Hz。本发明将两者结合，可以充分发挥高带宽和高频谱效率的优势，以获得超高速的通信速率。在一定的频谱资源下，本发明具有极大的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113140676A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010067488.5
申请日：2020-01-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种基于液滴的有机分子薄膜及其微纳器件阵列的制备方法，配制有机分子溶液，在衬底上制备有机分子的成核位置，通过滴涂及衬底加热，快速生长膜薄，或在指定成核位置生长具有高结晶度和均匀性的定向分子器件阵列。与现有技术相比，本发明采用的选区生长法，不同于真空中热蒸发选区生长，可用溶液的形式快速直接地在电极上或电极间，选择性地生长高结晶、高取向性的均匀有机分子膜及其微纳器件阵列。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109742197A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811576296.6
申请日：2018-12-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于医用光源照明技术领域，具体为一种内窥镜micro-LED光源及其制备方法。本发明使用尺寸较小的micro-LED为光源，micro-LED芯片形状根据内窥镜外壳形状设计；通过调整micro-LED芯片阵列的间距以及micro-LED单元数量对芯片充分散热；系统封装时，micro-LED芯片紧贴内窥镜外壳，利用内窥镜外壳散热；micro-LED的结构可以为正装、倒装和垂直等多种结构，白光光源的组成可以由红绿蓝等多种发光波长的micro-LED芯片组成，也可以由蓝光micro-LED芯片与荧光粉混合组成。本发明通过micro-LED芯片和内窥镜系统的整体设计，降低了照明系统的自发热，使自发热导致的内窥镜照明系统的温度低于43摄氏度；光通量、显色指数等指标适合人体的需求以及国家标准的要求。
-
公开(公告)号：CN108416115A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810133628.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种氮化镓基大功率高电子迁移率晶体管沟道电势和电流计算模型。晶体管的结构是异质结，制备方法：在未掺杂的GaN上通过分子束外延生长AlGaN，然后对AlGaN进行n型简并掺杂，在掺杂的AlGaN与GaN之间隔一层很薄的本征AlGaN，以减少施主原子对电子的散射；此器件可用于大功率电子。本发明通过求出这种器件的沟道电势和二维电子气电荷密度，考虑电子的漂移和扩散，得到沟道任意处的电流与该处电势之间关系式；忽略复合和产生电流，不同沟道点的电流相等，得到沟道电势以及源漏电流的解析表达式。该解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究大功率HEMT器件时提供了快速的电路仿真工具。
-
公开(公告)号：CN106783818A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611184760.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L21/77 , H01L33/00
CPC classification number: H01L25/075 , H01L21/77 , H01L33/005 , H01L33/48
Abstract: 本发明属于半导体光电子技术领域，具体公开一种基于低功耗微米LED的可视化光电标签及其制备方法。本发明光电标签主要包括低功耗氮化镓或者砷化镓基可见光微米LED、射频天线、芯片、电压调节器和封装包装。氮化镓微米LED的发光波长在400nm到550nm的范围，砷化镓微米LED的发光波长在550nm到700nm的范围，微米LED的尺寸在1微米和100微米之间，功耗可以低至‑18dBm，并具备较高的发光效率，发出的光强人眼可见；射频天线用来接收标签阅读器发出的射频信号；芯片用来处理接收到的信号；电压调节器将射频信号转换为直流电源，给微米LED和芯片提供驱动电源。本发明可视化光电标签，可以用人眼识别，适用于物流跟踪、货物识别、和光纤识别等领域。
-
公开(公告)号：CN105067012A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510387408.3
申请日：2015-07-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G01D3/036
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种稳定薄膜晶体管传感器性能的测试方法。本发明通过在薄膜晶体管结构的一类电子器件的栅极上施加极性交变的脉冲激励，以消除晶体管转移特性曲线中的迟滞现象。所施加的交变脉冲信号极性交替，这种正负电压激励，可以消除恒定极性栅极电压偏置下栅介质层或沟道敏感层的电荷积累，从而消除迟滞。当使用栅控晶体管结构的传感器时，通过这种交变脉冲激励方法，可以使得背景电流更加稳定，测量结果更加可靠，精确。
-
公开(公告)号：CN102945801B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210476623.7
申请日：2012-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种石墨烯金属氧化物栅介质的集成方法。本发明首先利用金属醇盐水解机理，采用浸渍或旋覆工艺在石墨烯表面生成一层超薄金属氢氧化物薄膜；以该超薄金属氢氧化物薄膜作为成核层，采用常规原子层沉积工艺在所述石墨烯表面制备出均匀、高质量高k栅介质薄膜。本发明通过金属醇盐水解引入的金属氢氧化物薄膜，金属醇盐水解过程不会破坏石墨烯晶体结构，同时金属氢氧化物薄膜在后续原子层沉积工艺中能够逐渐脱水形成介电常数更高的金属氧化物薄膜，不会降低总体栅介质层的性能，这些都有利于提高由所述石墨烯制备的产品（例如石墨烯基场效应晶体管）的器件性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
90
records
(took 0.02 seconds)
