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公开(公告)号：CN113140676B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202010067488.5
申请日：2020-01-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种基于液滴的有机分子薄膜及其微纳器件阵列的制备方法，配制有机分子溶液，在衬底上制备有机分子的成核位置，通过滴涂及衬底加热，快速生长膜薄，或在指定成核位置生长具有高结晶度和均匀性的定向分子器件阵列。与现有技术相比，本发明采用的选区生长法，不同于真空中热蒸发选区生长，可用溶液的形式快速直接地在电极上或电极间，选择性地生长高结晶、高取向性的均匀有机分子膜及其微纳器件阵列。
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公开(公告)号：CN116685193A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310687424.9
申请日：2023-06-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种铁电面内极化栅控效应的忆阻器及其制备方法和应用，通过铁电面内极化对半导体层进行非对称掺杂，引发对器件电导值及自驱动光响应的调控。该器件能够通过铁电极化的方向与程度，实现自整流、多级电导态和多级自驱动光响应，具有低功耗、非易失性、易于实施等优点，可应用于人工智能技术的存储器内计算和传感器内计算。
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公开(公告)号：CN113140676A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010067488.5
申请日：2020-01-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种基于液滴的有机分子薄膜及其微纳器件阵列的制备方法，配制有机分子溶液，在衬底上制备有机分子的成核位置，通过滴涂及衬底加热，快速生长膜薄，或在指定成核位置生长具有高结晶度和均匀性的定向分子器件阵列。与现有技术相比，本发明采用的选区生长法，不同于真空中热蒸发选区生长，可用溶液的形式快速直接地在电极上或电极间，选择性地生长高结晶、高取向性的均匀有机分子膜及其微纳器件阵列。
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