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公开(公告)号：CN110729244B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910635989.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 公开了FinFET图案化方法以用于实现鳍宽度均匀性。示例性方法包括在衬底上方形成心轴层。第一切割去除心轴层的一部分，留下直接邻近伪心轴部件设置的心轴部件。使用心轴部件和伪心轴部件作为蚀刻掩模蚀刻衬底，从而形成伪鳍部件和有源鳍部件，伪鳍部件与有源鳍部件沿第一方向分隔开第一间距。第二切割去除伪鳍部件的一部分和有源鳍部件的一部分，从而形成分隔开第二间距的伪鳍和分隔开第二间距的有源鳍。第二间距沿着基本垂直于第一方向的第二方向。第三切割去除伪鳍，形成鳍开口。用介电材料填充鳍开口，以形成介电鳍。本发明的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109273362B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201711106303.1
申请日：2017-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 根据本发明的方面，在制造半导体器件的方法中，形成第一半导体层和第二半导体层交替堆叠的鳍结构。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。在牺牲栅极结构上方形成第一覆盖层并且在第一覆盖层上方形成第二覆盖层。形成源极/漏极外延层。在形成源极/漏极外延层之后，去除第二覆盖层，从而在源极/漏极外延层和第一覆盖层之间形成间隙，从间隙暴露鳍结构的一部分。去除间隙中的第一半导体层的一部分，从而在第二半导体层之间形成间隔。用第一绝缘材料填充间隔。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
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公开(公告)号：CN113809076A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110477781.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。在实施例中，半导体结构包括：外延源极部件和外延漏极部件；沟道构件的垂直堆叠件，设置在背侧介电层上方，沟道构件的垂直堆叠件沿方向在外延源极部件和外延漏极部件之间延伸；栅极结构，包裹沟道构件的垂直堆叠件的每个；以及背侧源极接触件，设置在背侧介电层中。背侧源极接触件包括邻近外延源极部件的顶部和远离外延源极部件的底部。顶部和底部包括沿该方向的阶梯宽度变化。
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公开(公告)号：CN113725216A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110743034.X
申请日：2021-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括一半导体鳍片、金属栅极结构、第一层间电介质层以及第一导电部件。半导体鳍片设置于基底上；一金属栅极结构设置于半导体鳍片的通道区上；一第一层间电介质层设置于与半导体鳍片的通道区相邻的源极/漏极(S/D)区上；一第一导电部件包括设置于金属栅极结构上的第一导电部分，以及设置于第一层间电介质层上的第二导电部分，其中第一导电部分的顶面低于第二导电部分的顶面，第一导电部分的第一侧壁连接第二导电部分的第一侧壁的下部部分。
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公开(公告)号：CN113658907A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110357016.8
申请日：2021-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 半导体结构的形成方法，包括：提供鳍状物、隔离结构、以及第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构位于鳍状物上；形成蚀刻遮罩以覆盖第一源极/漏极结构之下的鳍状物的第一部分，并露出鳍状物的第二部分；移除鳍状物的该第二部分，以形成第一沟槽；将第一介电结构填入第一沟槽；移除蚀刻遮罩；施加蚀刻制程，以移除鳍状物的第一部分并使第一源极/漏极结构部分地凹陷。蚀刻制程包括等向蚀刻，其调整以对第一源极/漏极结构的材料具有选择性而对隔离结构与第一介电结构的材料不具有选择性，以形成第二沟槽于第一源极/漏极结构之下，且第二沟槽的间隙位于第一源极/漏极结构的下表面与隔离结构的上表面之间。方法还包括形成通孔于第二沟槽中。
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公开(公告)号：CN113644067A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110733610.2
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开实施例提出一种半导体装置。半导体装置包括沿着第一横向方向延伸的第一主动鳍状物结构以及第二主动鳍状物结构。此半导体装置包括虚置鳍状物结构，也沿着第一横向方向延伸，其设置于第一主动鳍状物结构与第二主动鳍状物结构之间。虚置鳍状物结构包括被配置以引起耦接至第一主动鳍状物结构的端点的第一源极/漏极结构与耦接至第二主动鳍状物结构的端点的第二源极/漏极结构的机械变形的材料。
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公开(公告)号：CN113555358A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011313026.3
申请日：2020-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 半导体装置结构包含第一、第二与第三栅极电极层、第一与第二介电质特征部、第一晶种层、第一导体层、第二晶种层、第二导体层与介电质材料。第一介电质特征部置于第一与第二栅极电极层之间。第二介电质特征部置于第二与第三栅极电极层之间。第一晶种层接触第一栅极电极层、第一介电质特征部与第二栅极电极层。第一导体层置于第一晶种层上。第二晶种层接触第三栅极电极层。第二导体层置于第二晶种层上。介电质材料置于第二介电质特征部、第一与第二导体层上。介电质材料是在第一晶种层与第二晶种层之间且在第一导体层与第二导体层之间。
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公开(公告)号：CN113540081A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110631287.8
申请日：2021-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 根据本发明实施例，一种半导体结构包含于基板上的底部介电部件、直接位于底部介电部件上方的多个通道构件、环绕每个通道构件的栅极结构、沿着第一方向夹住底部介电部件两个第一外延部件、以及沿着第一方向夹住多个通道构件的两个第二外延部件。
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公开(公告)号：CN113540031A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110551892.4
申请日：2021-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包含凸出于半导体基板之上的鳍有源区域；设置于鳍有源区域上的栅极堆叠物，其中栅极堆叠物包含栅极电介质层以及栅极电极；形成于鳍有源区域上且栅极堆叠物插入于其间的源极/漏极(S/D)部件；以及电性连接至栅极电极以及S/D部件中的其一的导电部件。导电部件包含：第一金属的底部金属部件；于底部金属部件上方的第二金属的顶部金属部件，其中第二金属的组成不同于第一金属；围绕顶部金属部件以及底部金属部件两者的阻挡层；以及围绕顶部金属部件且使顶部金属部件与底部金属部件以及阻挡层分开的衬层。
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公开(公告)号：CN113517276A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110307557.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 半导体结构包括：源极部件；漏极部件；一个或多个沟道层，连接源极部件与漏极部件；以及栅极结构，在源极部件与漏极部件之间。该栅极结构与一个或多个沟道层中的每一个接合。该半导体结构还包括：第一源极硅化物部件，在源极部件上方；源极接触件，在第一源极硅化物部件上方；第二源极硅化物部件，在源极部件下方；通孔，在第二源极硅化物部件下方；以及电源轨，在通孔下方。第一源极硅化物部件和第二源极硅化物部件在截面图中完全包围源极部件。电源轨是背侧电源轨。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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