公开(公告)号：CN110323151A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201811486095.7

申请日：2018-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林含谕 ,  詹易叡 ,  李芳苇 ,  林立德 ,  林斌彦 ,  林执中

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311 ,  H01L21/762

Abstract: 本公开提供一种半导体制造设备。此半导体制造设备包括：加工腔室、基板平台、反射镜以及加热机构。加工腔室用于进行蚀刻。基板平台被整合于前述加工腔室中，并配置以固定半导体晶圆。反射镜配置于前述加工腔室内，且将来自加热机构的热能朝前述半导体晶圆反射。加热机构嵌入于前述加工腔室中，且可操作前述加热机构以执行烘烤工艺，来移除在前述蚀刻期间产生的副产物，其中前述加热机构被整合于前述反射镜与前述加工腔室的气体分配板之间。相应地，本公开还提供一种半导体制造方法。

公开(公告)号：CN109860055A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811416805.9

申请日：2018-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  张容浩 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体元件的制造方法包括以下步骤。第一栅电极及第二栅电极形成于基板上方，第一栅电极与第二栅电极之间具有层间介电层。实施第一蚀刻步骤以蚀刻第一栅电极及第二栅电极。横跨蚀刻后的第一栅电极及第二栅电极及层间介电层而形成牺牲层。实施第二蚀刻步骤以蚀刻牺牲层及蚀刻后的第一栅电极及第二栅电极。

公开(公告)号：CN108807269A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201711239960.3

申请日：2017-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾晋沅 ,  林纬良 ,  林立德 ,  刘如淦 ,  曹敏

IPC: H01L21/8234

Abstract: 公开提供一种集成电路装置的制造方法，包括：形成一材料层，其具有一鳍状物结构阵列，其中至少一个鳍状物结构在一第一侧壁具有一第一材料且在上述第二侧壁的相反侧的一第二侧壁具有一第二材料，上述第一材料与上述第二材料不同。上述方法还包括使上述至少一个鳍状物结构的上述第二侧壁曝露；以及移除上述至少一个鳍状物结构。

公开(公告)号：CN1988110A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610170121.6

申请日：2006-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林立德 ,  蔡邦彦 ,  张志坚 ,  李资良

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：提供含硅基板；清洁此含硅基板；使用第一来源气体执行第一低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积硅籽晶层于基板上；使用第二来源气体执行第二低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积第一硅锗层于硅籽晶层上，其中第二来源气体包括具有第一流量的盐酸；使用第三来源气体执行第三低压化学气相沉积工艺，第三来源气体包括具有第二流量的盐酸；其中，第一流量实质低于第二流量。

公开(公告)号：CN115565942A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211006948.9

申请日：2022-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄冠达 ,  刘皓恒 ,  林立德

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/48 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种制造集成芯片的方法。方法包括：在基板上方形成晶体管结构。晶体管结构包括一对源极/漏极区以及栅极电极，栅极电极在一对源极/漏极区之间。在一对源极/漏极区上方以及在栅极电极周围形成下层间介电(ILD)层。在栅极电极上方形成栅极盖层。执行选择性蚀刻以及沉积制程，以在栅极盖层上形成介电保护层，同时在下层间介电层之中形成接触开口。在接触开口之中形成下源极/漏极接触件。

公开(公告)号：CN115376907A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210712617.0

申请日：2022-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林执中 ,  林含谕 ,  李芳苇 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体装置的形成方法包括形成鳍状结构，其包括鳍状物底部与堆叠的鳍状物部分于基板上。堆叠的鳍状物部分包括第一半导体层与第二半导体层，其中第一半导体层包括锗。方法更包括蚀刻鳍状结构以形成开口，经由开口输送主要蚀刻剂与含锗气体至鳍状结构；以及以主要蚀刻剂与含锗气体蚀刻开口中的第二半导体层的一部分。

公开(公告)号：CN115295492A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210791965.1

申请日：2018-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈怡伦 ,  黄昭宪 ,  林立德 ,  林群雄

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 方法包括在半导体区域上方形成栅极堆叠件，以及在栅极堆叠件的侧壁上形成第一栅极间隔件。第一栅极间隔件包括内侧壁间隔件和位于内侧壁间隔件的外侧上的伪间隔件部分。该方法还包括去除伪间隔件部分以形成沟槽，并且形成介电层以密封沟槽的部分以作为气隙。气隙和内侧壁间隔件的组合形成第二栅极间隔件。源极/漏极区域形成为具有位于第二栅极间隔件的外侧上的部分。本发明实施例涉及晶体管中的空气间隔件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110323151B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201811486095.7

申请日：2018-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林含谕 ,  詹易叡 ,  李芳苇 ,  林立德 ,  林斌彦 ,  林执中

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311 ,  H01L21/762

Abstract: 本公开提供一种半导体制造设备。此半导体制造设备包括：加工腔室、基板平台、反射镜以及加热机构。加工腔室用于进行蚀刻。基板平台被整合于前述加工腔室中，并配置以固定半导体晶圆。反射镜配置于前述加工腔室内，且将来自加热机构的热能朝前述半导体晶圆反射。加热机构嵌入于前述加工腔室中，且可操作前述加热机构以执行烘烤工艺，来移除在前述蚀刻期间产生的副产物，其中前述加热机构被整合于前述反射镜与前述加工腔室的气体分配板之间。相应地，本公开还提供一种半导体制造方法。

公开(公告)号：CN113643974A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110367757.4

申请日：2021-04-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈纬伦 ,  黄昭宪 ,  林立德

IPC: H01L21/311 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体结构与其形成方法，包括沉积介电层于基板上，并沉积图案化层于介电层上。方法亦包括在图案化层上进行第一蚀刻制程，以形成含有第一图案密度的多个第一块状物的第一区与含有第二图案密度的多个第二块状物的第二区，且第二图案密度小于第一图案密度。方法亦包括在第二块状物上进行第二蚀刻制程，以减少每一第二块状物的宽度；以及采用第一块状物与第二块状物并蚀刻介电层与基板，以形成多个鳍状结构。

公开(公告)号：CN111261707A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911214690.X

申请日：2019-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种形成半导体装置的方法，包括在第一主动区上形成第一栅极结构。第一栅极结构包括第一导电层。使用工艺气体混合物来执行蚀刻工艺，以掘入第一栅极结构并定义凹槽。蚀刻工艺包括第一阶段以在第一导电层上形成聚合物层，并修改第一导电层的一部分以形成第一导电层的经修改部分，且循环蚀刻工艺包括第二阶段以移除聚合物层，并移除第一导电层的经修改部分。