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公开(公告)号：CN103048715A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310002458.6
申请日：2013-01-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种平面亚波长非周期高对比度光栅，包括高折射率材料器件层，所述高折射率材料器件层的上表面为长方形，且所述高折射率材料器件层上分布有平行于长方形短边的光栅，所述光栅的相位分布满足方程φ(y)=k0(y2/2fy)。本发明所设计的平面亚波长非周期高对比度光栅不需要改变光栅的设计结构，就可以使光栅获得相应的聚焦能力。
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公开(公告)号：CN118352425A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410773714.X
申请日：2024-06-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了氧化镓/氮化镓异质结双紫外波段探测器及其制备方法，本发明属于第三代半导体紫外光电探测器技术领域。本发明的探测器包括硅衬底、氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层以及p型氮化镓层；n型氧化镓层和p型金属电极层设置于p型氮化镓层的上端、n型金属电极层设置于n型氧化镓层上端；探测器正反面均为沟槽，使得p型氮化镓层正反面均裸漏；对比常规光电探测器，本发明采用硅基氧化镓异质结探测器展现了其在无驱动下的深紫外、近紫外波段卓越工作潜力，本发明磁控溅射法具有制备工艺稳定、易于集成等特点，此外设计后的顶层异质结构及背后衬底去除有效降低了界面暗电流大小，提高了器件的探测面积、响应速度、光电性能。
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公开(公告)号：CN118263380A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410366129.8
申请日：2024-03-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及信息材料和可见光通信技术领域，公开了一种异质集成梳齿MEMS调控应力的GaN基多量子阱光电子芯片，将经过刻蚀的SOI片与倒置的GaN基LED器件进行金—金键合，键合后进行背面刻蚀，使得LED器件和部分MEMS器件悬空。悬空后的结构可以通过控制MEMS引起光电子芯片的形变，使光电子芯片内部产生应力变化。再利用拉曼光谱等手段监测应力变化范围及过程，可用于研究不同应力、不同偏压条件下光电子芯片的出射光谱和探测光谱等参数。本发明首先在SOI片上制备MEMS器件，然后蒸镀电极，利用金‑金键合技术将将MEMS器件和GaN基多量子阱晶圆进行键合，在GaN基多量子阱晶圆上进行LED器件的制备，最后背面刻蚀使得器件悬空，实现对GaN基多量子阱光电子芯片进行应力调控。
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公开(公告)号：CN114354557A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210004721.4
申请日：2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种基于光电子集成芯片的荧光成像装置及其制备方法。所述基于光电子集成芯片的荧光成像装置包括：样品台；氮化镓光电子集成芯片，位于所述样品台上方，包括透明衬底、位于所述透明衬底朝向所述样品台一侧的透明LED器件、以及位于所述透明衬底背离所述样品台一侧的滤光器件，所述透明LED器件用于向所述样品台方向发射具有第一波长的发射光信号，所述滤光器件用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号，所述第二波长大于所述第一波长；透镜，位于所述氮化镓光电子集成芯片上方；相机，位于所述透镜上方。本发明简化了荧光成像过程中的光路结构，缩小荧光成像装置的体积，简化荧光成像装置的制作流程。
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公开(公告)号：CN108333679B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810144374.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种面向蓝光可见光通信的硅基GaN系光子芯片及制备方法，实现载体为带有低折射率包层的硅衬底氮化物晶片，硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于硅衬底层上方的带有低折射率包层的顶层氮化物，顶层氮化物上设置有纳米光波导、分路器、谐振环、耦合光栅和用于通电的镍/金电极。本发明体积小，具有高度的集成性，可应用于光子计算及可见光通信等领域，提升蓝光波段可见光通信技术在信息传输速率、信息处理速度和终端器件集成度等多方面的性能指标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107195733B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710311776.9
申请日：2017-05-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。
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公开(公告)号：CN109524516A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811155821.7
申请日：2018-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的可转移逻辑芯片及其制备方法，该逻辑芯片包括多对p-n结量子阱，以及连接p-n结量子阱之间的悬空GaN波导。该多对p-n结量子阱之间能实现逻辑与运算和逻辑或运算。该p-n结量子阱既可以对外发送光信号，也可探测空间中的光信号，并且可即在发光的同时也能探测空间中的光信号，实现全双工通信。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了可转移的逻辑薄膜芯片，该器件剥离后，转移到柔性载体上，可用于通信、照明、智能显示、逻辑运算以及传感等领域。
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公开(公告)号：CN105742383B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610103247.5
申请日：2016-02-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种悬空p‑n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法，该集成系统包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的多个p‑n结量子阱器件，所述p‑n结量子阱器件之间设置有隔离槽，两相邻的p‑n量子阱器件通过光波导相连。本发明系统可实现平面光子信息传输以及空间多通道信号探测等多种功能，实现双通道的可见光平面光子信息传输和对空间光信号感知的倍增探测，同时能够分别独立感知空间光信号，实现三通道光信号的探测接收。
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公开(公告)号：CN103633203B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310107133.4
申请日：2013-05-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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