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公开(公告)号：CN104297843B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201410492521.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅制备方法，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN103884659A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410057831.2
申请日：2014-02-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/25
Abstract: 本发明公开了一种角分辨微纳光谱分析装置，包括入射光路、反射光路和透射光路。入射光路为装置提供入射光；反射光路是由样品反射光形成的光路，用于测量样品角分辨反射傅里叶信息；透射光路是由样品透射光形成的光路，用于测量样品角分辨透射傅里叶信息。本发明通过获取样品反射和透射光谱成像信息，对样品进行表征，能够用于微纳光子晶体的测量。其中，接收端探测器通过自动化控制电机使光纤探测器能够接收样品不同反射角度的光谱信息。
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公开(公告)号：CN103633203B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310107133.4
申请日：2013-05-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN103884656B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410057846.9
申请日：2014-02-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明公开了一种微纳光谱成像装置，包括入射光路和用于接收样品的反射光并进行成像的反射光路。入射光路为装置提供入射光，包括沿水平方向依次设置的光源装置、准直物镜、第一光阑、线性偏振片、可移除凸透镜、分光片和垂直光路；反射光路是由样品反射光形成的光路，用于获得样品图像，并可测量样品角分辨反射傅里叶信息。本发明通过获取样品实像和样品反射光谱傅里叶信息，对样品进行表征，能够用于电致发光和光致发光晶体的测量。
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公开(公告)号：CN103185918B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310085681.1
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103626115A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310107025.7
申请日：2013-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供超薄氮化物微纳静电驱动器及其制备方法，该方法能够解决厚膜氮化物悬空器件的加工问题，获得厚度可控的超薄氮化物微纳静电驱动器。该氮化物微纳静电驱动器实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用电子束曝光技术定义微纳静电驱动器，并采用离子束轰击或反应离子束刻蚀方法在氮化物器件层实现器件结构；结合光刻技术，定义隔离槽，并采用反应离子束刻蚀方法刻蚀氮化物器件层至硅衬底；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除微纳静电驱动器下方硅衬底层，采用氮化物背后减薄刻蚀技术，实现驱动器固定部分和可移动部分的分离，获得硅衬底超薄氮化物微纳静电驱动器。
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公开(公告)号：CN103185909A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310085335.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了双面加工法制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀等技术定义和刻蚀器件，采用背后对准工艺和深硅刻蚀技术，去除微机电可调氮化物谐振光栅下方的高阻硅衬底，然后采用三五族刻蚀技术对微机电可调氮化物光栅进行背后减薄，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN103884659B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410057831.2
申请日：2014-02-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/25
Abstract: 本发明公开了一种角分辨微纳光谱分析装置，包括入射光路、反射光路和透射光路。入射光路为装置提供入射光；反射光路是由样品反射光形成的光路，用于测量样品角分辨反射傅里叶信息；透射光路是由样品透射光形成的光路，用于测量样品角分辨透射傅里叶信息。本发明通过获取样品反射和透射光谱成像信息，对样品进行表征，能够用于微纳光子晶体的测量。其中，接收端探测器通过自动化控制电机使光纤探测器能够接收样品不同反射角度的光谱信息。
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公开(公告)号：CN103185909B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310085335.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了双面加工法制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀等技术定义和刻蚀器件，采用背后对准工艺和深硅刻蚀技术，去除微机电可调氮化物谐振光栅下方的高阻硅衬底，然后采用三五族刻蚀技术对微机电可调氮化物光栅进行背后减薄，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN104297843A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410492521.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: G02B6/124 , B81C1/0015 , G02B6/13
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅制备方法，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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