公开(公告)号：CN118248766A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410400757.3

申请日：2024-04-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 施政 ,  谢天龙 ,  高绪敏 ,  王永进

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种叉指型环形栅AlGaN/GaN HEMT结构的双面紫外光探测器，其结构从下往上依次包括：硅衬底层、AlGaN背势垒层、高阻GaN缓冲层、u‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层；探测器在有源区侧壁采用绝缘物进行保护，源极金属层和漏极金属层以叉指型分布方式交错排列在GaN帽层上，利用钝化物对器件进行钝化处理，通过对硅衬底层、AlGaN背势垒层、高阻GaN缓冲层和部分的u‑GaN沟道层进行刻蚀处理，暴露出u‑GaN沟道层，实现对紫外光的双面探测。本发明中叉指型源漏电极和环形栅结构的引入，降低了器件的导通电阻，提高了欧姆接触性能，显著增大了器件的有效感光面积，使得探测器对光信号的灵敏度大幅提升，从而更有效地捕获光子，提高了探测器的响应能力。

公开(公告)号：CN118263380A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410366129.8

申请日：2024-03-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 施政 ,  陈耕 ,  高绪敏 ,  谢天龙

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明涉及信息材料和可见光通信技术领域，公开了一种异质集成梳齿MEMS调控应力的GaN基多量子阱光电子芯片，将经过刻蚀的SOI片与倒置的GaN基LED器件进行金—金键合，键合后进行背面刻蚀，使得LED器件和部分MEMS器件悬空。悬空后的结构可以通过控制MEMS引起光电子芯片的形变，使光电子芯片内部产生应力变化。再利用拉曼光谱等手段监测应力变化范围及过程，可用于研究不同应力、不同偏压条件下光电子芯片的出射光谱和探测光谱等参数。本发明首先在SOI片上制备MEMS器件，然后蒸镀电极，利用金‑金键合技术将将MEMS器件和GaN基多量子阱晶圆进行键合，在GaN基多量子阱晶圆上进行LED器件的制备，最后背面刻蚀使得器件悬空，实现对GaN基多量子阱光电子芯片进行应力调控。