公开(公告)号：CN107170833A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710448040.6

申请日：2017-06-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  刘贤哲 ,  姚日晖 ,  李晓庆 ,  张啸尘 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪 ,  王晓峰 ,  张紫辰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/428 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/428 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，再在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；最后所得器件在能量密度为20～100mJ/cm2的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。本发明采用全固态激光处理TFT器件，器件性能可达到与热退火处理器件性能相近，有效地节约生产成本。

公开(公告)号：CN207038532U

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201720865188.5

申请日：2017-07-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  曾勇 ,  姚日晖 ,  郑泽科 ,  章红科 ,  刘贤哲 ,  李晓庆 ,  张啸尘 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/22

Abstract: 本实用新型属于柔性显示器件技术领域，公开了一种多晶氧化物柔性薄膜晶体管。所述多晶氧化物柔性薄膜晶体管由依次层叠的硬质衬底、柔性衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，所述有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，其中诱导层位于栅极绝缘层一侧。本实用新型的薄膜晶体管有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，通过诱导层表面的金属离子诱导多晶氧化物半导体晶化，改善结晶性，提升薄膜晶体管的性能，能够在室温下实现高性能的柔性薄膜晶体管。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207217550U

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201720690728.0

申请日：2017-06-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  刘贤哲 ,  姚日晖 ,  李晓庆 ,  张啸尘 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪 ,  王晓峰 ,  张紫辰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/428 ,  H01L21/34

Abstract: 本实用新型属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管。所述非晶氧化物薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、AlOx:Nd栅极绝缘层、氧化物半导体薄膜有源层和源/漏电极构成，其中源/漏电极与有源层位于同一层，源/漏电极分布在有源层两端。本实用新型源漏电极与有源层之间接触面积小，寄生电容小，减小阻容延迟。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207038530U

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201720690215.X

申请日：2017-06-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  刘贤哲 ,  姚日晖 ,  李晓庆 ,  张啸尘 ,  吴为敬 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/443 ,  H01L21/477

Abstract: 本实用新型属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管。所述氧化物薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、AlOx:Nd栅极绝缘层、氧化物半导体薄膜有源层、MoOx中间氧化层和Mo源/漏电极构成，所述MoOx中间氧化层自生成于Mo源/漏电极与有源层的接触界面之间。本实用新型在源/漏电极与有源层之间形成MoOx中间氧化层，能阻碍电极材料原子向有源层中扩散，实现源/漏电极和有源层之间欧姆接触，并有效地减少工艺步骤，降低成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207834308U

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201820126685.8

申请日：2018-01-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  章红科 ,  宁洪龙 ,  郑泽科 ,  李晓庆 ,  张啸尘 ,  蔡炜 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

Abstract: 本实用新型属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃衬底、ITO栅极、Si3N4栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及两侧的源漏电极构成，所述Si3N4栅极绝缘层完全覆盖ITO栅极，所述源漏电极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO的五层堆叠结构，源漏电极最内层与Si3N4栅极绝缘层、IGZO半导体层和Al2O3半导体修饰层两侧均接触。本实用新型的源漏电极为AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构，能够降低薄膜的接触电阻率并实现高透光性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207282498U

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201721312560.6

申请日：2017-10-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  刘贤哲 ,  姚日晖 ,  胡诗犇 ,  张啸尘 ,  李晓庆 ,  张建东 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型属于显示器件领域，公开了一种非晶氧化物柔性薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、聚酰亚胺柔性基底层、SiO2缓冲层、源/漏电极、非晶掺硅氧化锡有源层、SiO2栅绝缘层，Si3N4栅绝缘层和栅极构成；其中，源/漏电极位于有源层和SiO2栅绝缘层两侧，Si3N4栅绝缘层覆盖于SiO2栅绝缘层上表面并与源/漏电极接触。本实用新型的TFT器件将功能层置于层叠结构的中心面，在弯曲时使得功能层(有源层)受到最低应力或者无应力，具有较强的抗弯折特性，可促进柔性电子器件的发展。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利