公开(公告)号：CN107170833A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710448040.6

申请日：2017-06-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  刘贤哲 ,  姚日晖 ,  李晓庆 ,  张啸尘 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪 ,  王晓峰 ,  张紫辰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/428 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/428 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，再在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；最后所得器件在能量密度为20～100mJ/cm2的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。本发明采用全固态激光处理TFT器件，器件性能可达到与热退火处理器件性能相近，有效地节约生产成本。

公开(公告)号：CN207217550U

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201720690728.0

申请日：2017-06-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  刘贤哲 ,  姚日晖 ,  李晓庆 ,  张啸尘 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪 ,  王晓峰 ,  张紫辰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/428 ,  H01L21/34

Abstract: 本实用新型属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管。所述非晶氧化物薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、AlOx:Nd栅极绝缘层、氧化物半导体薄膜有源层和源/漏电极构成，其中源/漏电极与有源层位于同一层，源/漏电极分布在有源层两端。本实用新型源漏电极与有源层之间接触面积小，寄生电容小，减小阻容延迟。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利