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公开(公告)号：CN105253853B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510701040.3
申请日：2015-10-26
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种SOG‑MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法，对于同时刻蚀掉多个矩形和刻蚀透多个同一线宽或不同线宽组成的线形，将光刻板上要刻掉多个矩形中的每个矩形设置中心非暴露区域(12)，使中心非暴露区域(12)与该矩形的边框，即外部非暴露区域(11)，中间形成待刻蚀的暴露区域(14)，且待刻蚀的暴露区域的宽度等于要刻穿的最小线形的线宽；该方法保证刻蚀条宽间的均一性，解决具有不同条宽结构刻蚀过程中Lag效应的问题，同时，当刻蚀完成时，中心非暴露区域(12)会掉到下面的支撑层(1)上，可以准确判断刻蚀已经完成。此项发明有效的防止具有不同刻蚀条宽的MEMS结构在ICP刻蚀中造成严重过度刻蚀。
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公开(公告)号：CN105329848A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510632791.4
申请日：2015-09-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
CPC classification number: B81C1/00539 , G01P15/0802
Abstract: 本发明MEMS三明治加速度计敏感芯片的湿法腐蚀加工方法，通过对硅晶圆上生长单层氧化层，对单层氧化膜层进行3次双面光刻腐蚀，精确控制每次腐蚀深度，将单层氧化膜层分成不同结构的3层氧化膜层。在60～80℃温度条件下对硅晶圆进行湿法腐蚀，第一次腐蚀硅时间为20～30分钟，腐蚀掉第1层氧化膜层；第二次腐蚀硅为150～160分钟，腐蚀掉第2层氧化膜层；第三次腐蚀在30～40℃温度条件下对硅晶圆进行湿法腐蚀，时间为30～40分钟，腐蚀掉第3层氧化膜层。本发明能加工出表面光滑、尺寸精度满足要求的敏感芯片，本方法的改进使敏感芯片的质量和成品率得到很大的提高。
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公开(公告)号：CN105258688A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510726924.4
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5614 , G01C19/5621
CPC classification number: G01C19/5614 , G01C19/5621
Abstract: 本发明具有温度应力补偿和振动解耦能力的硅微谐振加速度计，包括质量块，杠杆，杠杆支撑悬臂，谐振音叉，质量块支撑臂等主要组成部分。当加速计所处环境温度发生改变时，谐振梁的长度将随之改变。杠杆支撑悬臂的热变形大小与谐振梁热应变保持匹配，使谐振梁轴向的热应力的到充分的释放，谐振音叉的谐振频率不受热应力的影响。音叉振动时，轴向产生微弱的位移牵动质量块振动，并牵连另一侧音叉形成振动耦合。两个音叉的振动频率相同时，振动频率不随载荷的变化而变化，形成灵敏度死区。这个范围的大小与振动耦合程度直接相关。所以本发明将加速度计结构整体分为对称的两部分，中间两个质量块由质量块支撑梁分别支撑，将灵敏度死区缩小到最小水平。
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公开(公告)号：CN105256286A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510701368.5
申请日：2015-10-26
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: C23C16/30
Abstract: 本发明提供一种减缓原子自旋弛豫的原子气室内壁镀膜方法，该方法首先采用将铷原子蒸汽充入原子气室内，再通过氢化物固态释气剂(如氢化钛、氢化钙等)向原子气室内释放压强为10Torr～100Torr的氢气，并在温度50℃～150℃下保持数十～数百小时，原子气室内壁会附着一层氢化铷薄膜，最后将气室内残存的氢气抽空，结束镀膜过程，本发明在上述镀膜过程中采用固态释气剂产生氢气，与传统采用高压氢气瓶作为氢源相比，提高了在原子气室内壁进行氢化铷镀膜的工艺安全性，并且氢化铷镀膜后将气室内残余氢气抽空，与将氢气直接密封在气室内相比，有利于提升原子气室性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN113916255B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202111015153.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 用于辐照试验的MEMS惯性器件精确定位结构制作方法，先制作衬底，然后制作敏感结构，最后制作盖板，盖板上采用氢氧化钾湿法腐蚀硅片的方式形成辐照窗口，得到辐照屏蔽结构，该辐照屏蔽结构的位置需要正对着要进行辐照试验的敏感结构。本发明能够实现MEMS惯性器件微机械结构的精确定位，并通过硅片自身厚度差异实现不同剂量辐照实验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116222540A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211706625.0
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明公开了一种微惯性多源自主GNC飞控导航微系统、方法及模组，该系统包括：飞控导航主控中心、电源管理模块、多源感知测量模块、安全监测模块、执行机构模块、通信收发模块、在线存储模块和带有安装孔的金属壳体；飞控导航主控中心、电源管理模块、多源感知测量模块、安全监测模块、执行机构模块、通信收发模块和在线存储模块通过高密度集成方式封装在金属壳体中，金属壳体通过安装孔安装固定在微小型空天飞行器上。通过本发明实现了微小型空天飞行器的飞控导航功能的集成一体化和飞控一体化，满足传感器数据接收及处理、姿态控制、导航解算、任务数据收发、电调驱动、多种接口通信及AD采集等功能。
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公开(公告)号：CN113916255A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111015153.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 用于辐照试验的MEMS惯性器件精确定位结构制作方法，先制作衬底，然后制作敏感结构，最后制作盖板，盖板上采用氢氧化钾湿法腐蚀硅片的方式形成辐照窗口，得到辐照屏蔽结构，该辐照屏蔽结构的位置需要正对着要进行辐照试验的敏感结构。本发明能够实现MEMS惯性器件微机械结构的精确定位，并通过硅片自身厚度差异实现不同剂量辐照实验。
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公开(公告)号：CN112255526A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010942379.3
申请日：2020-09-09
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01R31/28 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种铜填充硅通孔电迁移测试结构制备方法及测试方法，该方法将具有TSV菊花链测试结构的测试芯片，通过贴片胶及键合金丝连接至印制电路板；对载有测试芯片的印制电路板进行冷镶嵌，并通过磨抛获得TSV菊花链结构横截面，完成测试结构的制备；将测试结构放入管式炉中，向管式炉内通入保护气体；通过导线连接印制电路板的焊盘与直流电源，使测试结构处于通电状态，通过控制两端导线与电源连接的正负极来控制电流方向，通过控制通电电流的大小及TSV直径来控制电流密度，获得具有特定电流方向及特定电流密度的电流；测试期望通过对电流作用下铜填充TSV的显微组织演变行为进行表征，最终达到深入评价电流作用下铜填充TSV电迁移可靠性的目的。
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公开(公告)号：CN107298428B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710511844.6
申请日：2017-06-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于SOG‑MEMS芯片单元分离的方法，采用背面划切的方案，可动结构不需要进行涂胶保护，避免碎屑的引入，提高成品率；在芯片分离过程中不需要制备复杂的工装，划切后采用圆球在芯片背面滚动按压即可完成，操作过程简单；采SOG‑MEMS晶圆片正面粘贴保护陪片，在划切过程中不与了冷却水接触，可有效避免砂轮划切过程中冷却水对可动结构造成损伤。
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公开(公告)号：CN107298428A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710511844.6
申请日：2017-06-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00206 , B81C1/00865
Abstract: 本发明公开了一种用于SOG-MEMS芯片单元分离的方法，采用背面划切的方案，可动结构不需要进行涂胶保护，避免碎屑的引入，提高成品率；在芯片分离过程中不需要制备复杂的工装，划切后采用圆球在芯片背面滚动按压即可完成，操作过程简单；采SOG-MEMS晶圆片正面粘贴保护陪片，在划切过程中不与了冷却水接触，可有效避免砂轮划切过程中冷却水对可动结构造成损伤。
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