公开(公告)号：CN108083226B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201711268166.1

申请日：2017-12-05

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 李男男 ,  胡启方 ,  刘福民 ,  邢朝洋 ,  庄海涵 ,  徐宇新 ,  王学亚 ,  孙俊强

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 一种MEMS器件圆片级真空封装方法，步骤如下：(1)根据MEMS器件待引出的电极数量在低阻硅晶圆上刻蚀绝缘子的拓扑结构，单个拓扑结构中间的低阻硅用于MEMS器件的电学信号引出，记为低阻硅柱；(2)将上述拓扑结构氧化得到氧化硅结构，并填充拓扑结构之间的孔隙，得到无孔洞绝缘子结构；(3)在低阻硅晶圆上的低阻硅柱键合面形成焊点接触电极，并在低阻硅晶圆上与MEMS器件外围对应的位置形成真空封装焊料环；(4)将步骤(3)处理后的低阻硅晶圆与MEMS器件进行键合，实现MEMS器件的锚点与焊点接触电极的电学连接，并实现MEMS器件的真空封装；(5)低阻硅柱的非键合面形成压焊电极；(6)通过光刻、刻蚀工艺实现低阻硅柱的电学隔离。

公开(公告)号：CN107963609B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201711140014.3

申请日：2017-11-16

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 胡启方 ,  李男男 ,  杨博 ,  邢朝洋 ,  梅崴 ,  徐宇新 ,  庄海涵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于阳极键合的全硅MEMS圆片级真空封装方法，在MEMS圆片级真空封装工艺中采用2次阳极键合实现了盖板、MEMS器件结构、衬底之间的机械和电信号连接，并形成了压力可控的MEMS密封腔体，和现有的基于硅‑硅焊料键合、硅‑硅熔融键合等全硅键合工艺相比工艺难度低、成品率高；对盖板玻璃片进行减薄至10～50微米及对衬底玻璃片进行减薄至10～50微米，而现有的全硅键合工艺介质层厚度最大不超过3微米，由于越薄的介质层引入的寄生电容越大，因此，本发明引入的寄生电容小，使得MEMS器件输出的信噪比提高。

公开(公告)号：CN108199617A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201711387843.1

申请日：2017-12-20

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 胡启方 ,  梅崴 ,  李男男 ,  杨博 ,  邢朝洋 ,  徐宇新 ,  庄海涵

IPC: H02N2/18 ,  H02N1/08

CPC classification number: H02N2/186 ,  H02N1/08 ,  H02N2/22

Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的横向振动能量采集器件。其包括静电采集单元和压电采集单元，两者不是单纯物理上的叠加而是进行了深度耦合。压电能量采集单元为静电能量采集单元提供其工作所必须的初始静电电荷从而使其摆脱了电池的束缚，从而实现了无源化。静电能量采集单元为MEMS可变电容，在振动过程中MEMS可变电容发生交变，同时压电体产生的电荷也发生交变，两者通过合理的电连接和电学通断控制能够更加有效的将压电电荷抽取到MEMS可变电容上，并经过MEMS可变电容升压更加有效的给储能电容充电。本发明还提供了一种基于MEMS技术的横向振动能量采集器件的加工方法。

公开(公告)号：CN105140170B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201510548813.9

申请日：2015-08-31

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 王超 ,  刘国文 ,  邢朝洋 ,  徐宇新

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明公开了一种可实现精对准的多陶瓷管壳封帽夹具，包括底座、置于底座上的压板和置于压板上的支架；所述底座为板状结构，板状结构中间区域厚度大于两边，底座上中间厚度区域内阵列设置有管壳容置槽，管壳容置槽用以容置陶瓷管壳；所述压板为板状结构，其上与管壳容置槽中心相对应的位置阵列设置有压板通孔，用以在陶瓷管壳上施加配重；所述支架为板状结构，其上与压板通孔中心相对应的位置阵列设置有用于放置配重的支架通孔。本发明结构简单，易于拆装，导热性能良好，加热迅速，可实现多管壳同时封装，有利于提高芯片批量化封装能力，提高同批产品的一致性。

公开(公告)号：CN107478198A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710633123.2

申请日：2017-07-28

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 孙鹏 ,  邱飞燕 ,  范冬青 ,  邢朝洋 ,  徐杰 ,  王超

IPC: G01C9/00 ,  G01C25/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: G01C9/00 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0228 ,  B81C3/001 ,  G01C25/00

Abstract: 一种高精度MEMS角度传感器敏感结构及加工方法，该敏感结构包括上玻璃极板、中间硅极板、下玻璃极板，及金丝引线；上玻璃极板和下玻璃极板上淀积有金属电极区域和介质膜区域形成电容的上极板和下极板；中间硅极板由两根悬臂梁连接一个方形质量块形成电容的中间极板；上玻璃极板、中间硅极板、下玻璃极板采用双电场静电键合方式形成“三明治”式敏感结构，再用金丝球焊机压焊金丝引出电容信号。本发明采用对称电容结构形式，采用湿法体硅加工方法，可以获得较大的质量块，提高角度分辨率和测量精度，可广泛应用于无人机、舰载设备、卫星通讯、工程机械、铁塔智能监测、太阳能追踪系统等平台的倾斜角度测量。

公开(公告)号：CN115497896B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202211059112.5

申请日：2022-08-31

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 邢朝洋 ,  李男男 ,  阎璐 ,  赵雪薇 ,  孙鹏 ,  徐宇新

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种带微流道封装基板及其制备方法，所述带微流道封装基板包括硅基板和位于硅基板上表面的布线层；硅基板包括键合连接的上层硅片、中间层玻璃片和下层硅片；上层硅片、下层硅片和中间层玻璃片具有相互连通的区域，形成密封的流道结构，下层硅片的下方加工有连通密封流道结构的入口和出口；上层硅片和下层硅片的TSV结构相对，中间层玻璃片上加工有纵向通孔结构，形成对应TSV结构的接触窗口，接触窗口内表面制备有图形化电极互联线；TSV结构和互联电极结构实现电信号的垂直互连，布线层实现X和Y方向电信号的平面互连。本发明制备的硅基封装基板可以在上、下表面布线，同时满足集成微系统三维电互联和芯片散热需求。

公开(公告)号：CN116610048A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202211706603.4

申请日：2022-12-29

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 王巍 ,  孟凡琛 ,  邢朝洋 ,  孙鹏 ,  阚宝玺 ,  吴志刚 ,  陈巍

IPC: G05B19/042 ,  G01C21/20

Abstract: 本发明公开了一种高密度集成无人机多任务时敏飞控导航系统及方法，该系统包括：飞控导航运算处理模块、电源管理模块、多源感知测量模块、电调驱动模块、通信接口模块和带有安装孔的金属壳体；飞控导航运算处理模块、电源管理模块、多源感知测量模块、电调驱动模块和通信接口模块通过高密度集成方式封装在金属壳体中；金属壳体通过安装孔安装固定在微小型无人机上。通过本发明实现了微小型无人机的飞控导航功能的集成一体化和飞控一体化，满足传感器数据接收及处理、姿态控制、导航解算、任务数据收发、电调驱动、多种接口通信及AD采集等功能，解决多旋翼、固定翼等微小型无人飞行器对导航、制导与控制系统集成一体化的迫切需求。

公开(公告)号：CN116588892A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310307234.X

申请日：2023-03-27

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 张兆华 ,  宋健民 ,  邢朝洋 ,  朱政强 ,  孙鹏 ,  赵雪薇 ,  王德琰

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种MEMS气体传感器晶圆级封装微加热板，包括上层硅片和下层硅片；上层硅片和下层硅片相互键合，上层硅片和下层硅片之间形成气敏反应腔；上层硅片设有气体通路，气体通路连通外部环境和气敏反应腔；下层硅片的正面设有微加热板，微加热板位于气敏反应腔中，下层硅片的背面设有背面植球。本发明还公开上述微加热板的其制造方法，本发明方法简单，能够有效减小气体传感器晶圆级封装微加热板尺寸。

公开(公告)号：CN114975318A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210472027.5

申请日：2022-04-29

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 邢朝洋 ,  赵雪薇 ,  李男男 ,  孙鹏

IPC: H01L23/473 ,  H01L21/50 ,  B81C3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本申请涉及一种内嵌微流道的三维集成硅基惯性微系统及其制造方法，包括包括依次电连接的第一无源转接板、第二无源转接板、第三无源转接板、第四无源转接板，第二无源转接板朝向第三无源转接板的表面电连接有第一有源芯片，第三无源转接板开设有容置第一有源芯片的空腔，第四无源连接板设置有第二有源芯片，第一无源转接板、第二无源转接板、第三无源转接板、第四无源转接板依次设置第一散热系统、第二散热系统、第三散热系统、第四散热系统；第一散热系统包括开设于第一无源转接板表面的两个底部凹槽、连通两个底部凹槽的腔体，第二散热系统、第三散热系统与第四散热系统贯通，并分别与两个底部凹槽贯通，形成散热微流道。提高了散热效果。

公开(公告)号：CN110658149A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201911042266.1

申请日：2019-10-30

Applicant: 北京航天控制仪器研究所 ,  华中科技大学

Inventor： 邢朝洋 ,  朱政强 ,  刘欢 ,  崔尉 ,  胡志响 ,  严棋 ,  翟博慧

IPC: G01N21/3504 ,  G01N21/03

Abstract: 本发明公开了一种用于硅基红外气体传感器的硅基气室，属于红外气体传感器领域，具体包括上层硅片和下层硅片；上层硅片和下层硅片通过键合方式连接；上层硅片包括红外光源窗口和红外探测器窗口；下层硅片上设置气室腔体和气体扩散槽；红外光源窗口和红外探测器窗口为贯穿上层硅片的通孔；气室腔体为棱台型结构；气体扩散槽位于下层硅片与上层硅片交界面的四周；棱台型两端的斜面为反射面，气室腔体与上层硅片的下表面反射面构成红外光的反射腔室；气体扩散槽用于使外界气体进入气室腔体的内部。本发明公开的硅基气室便于与红外光源、探测器和其他电路模块在外部集成，提高集成设计自由度。