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公开(公告)号：CN114284403B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202111625701.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10H20/01 , H10H20/812
Abstract: 本公开提供了一种LED的制备方法，包括：在衬底上依次形成GaN成核层、非故意掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱结构、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层后，经过第一退火、第二退火处理后，得到第二样品；光刻第二样品的表面后，刻蚀至n型GaN层形成台面，得到第三样品；光刻第三样品的PN电极后，蒸镀第一金属层和第二金属层，剥离多余的金属层后进行第三退火处理，得到第四样品，在第四样品的表面蒸镀SiO2层后，光刻SiO2层，得到LED外延片。本公开通过激光退火处理技术，增大LED结构中的p型GaN层的空穴浓度，提高空穴的注入效率，导致量子阱结构中电子空穴对的辐射复合增大，从而提高LED的光输出功率。
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公开(公告)号：CN117832345A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311792109.9
申请日：2023-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提出了一种紫外LED芯片及其制备方法，包括衬底、氮化铝缓冲层、氮化铝层、氮化铝镓层和电极层。氮化铝层包括金属极性面氮化铝层和氮极性面氮化铝层。氮化铝镓层包括金属极性面氮化铝镓层和氮极性面氮化铝镓层，金属极性面氮化铝镓层与金属极性面氮化铝层通过第一接触面连接，氮极性面氮化铝镓层与氮极性面氮化铝层通过第二接触面连接，金属极性面氮化铝镓层和氮极性面氮化铝镓层通过第三接触面连接；其中，金属极性面氮化铝镓层和氮极性面氮化铝镓层在内建电场的作用下，分别在第一接触面和第二接触面产生二维空穴气和二维电子气，二维空穴气和二维电子气在外加电流的作用下向第三接触面移动并发生复合从而产生紫外光。
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公开(公告)号：CN109638118B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201811462580.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜，该提升氮化物材料P型掺杂效率的方法，利用外加机械力或材料本身失配应力作用于p型氮化物薄膜的掺杂表面。本公开提供的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜，利用外加机械力或材料本身失配应力增大p型掺杂氮化物的晶格常数，降低p型掺杂杂质在氮化物薄膜中的热激活能，提高杂质原子的激活率，从而能够制备出具有高空穴浓度的氮化物p型材料，提高氮化物光电子材料及光电子器件中的空穴注入效率。
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公开(公告)号：CN109904292B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910106243.6
申请日：2019-02-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于类金字塔型双波长结构的单芯片白光LED及其制备方法，所述基于类金字塔型双波长结构的单芯片白光LED包括：衬底；低温成核层，位于所述衬底上；非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；SiO2层，位于所述N型掺杂GaN层上，含有n(n≥1)个微/纳米孔洞；3D类金字塔型结构，位于所述SiO2层的微/纳米孔洞上；以及混合量子点，填充于所述3D类金字塔型结构之间，其由外延技术生长出的3D类金字塔型结构与量子点结合起来所得到，在避免荧光粉所带来的缺陷的同时，通过量子阱中In的组分的调节，结合3D类金字塔型结构间隙中混合量子点的配比，形成全光谱，实现高显色性能。
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公开(公告)号：CN109666970A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201910154903.8
申请日：2019-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于物理气相传输法的温度场控制装置及温控方法，通过设置感应线圈的分布构造温度分布场，感应线圈的分布包括感应线圈的匝数、感应线圈的分布疏密、感应线圈距离坩埚的远近、多段式分布线圈等形式，形成温度相对高低的不同温度分布场，通过改变坩埚与该温度分布场的相对位置关系控制晶体不同制备阶段中原料区和结晶区的温度分布以及温度梯度，利用温度分布场的设置实现了温度分布和温度梯度的动态、精确可控，有效抑制了晶体生长过程中的二次形核，并且具体设置对应不同晶体所需的生长条件可以适应性调整，具有广泛的适用性。多段式设置相比于现有的单段式线圈来说，非高温区通过降低输入功率，增强了加热效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106517410A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611216944.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C02F1/32
CPC classification number: C02F1/325 , C02F2201/3222
Abstract: 本发明公开了一种杀菌消毒的装置包括管道，其管体至其内壁能够透光；光源，嵌入所述管道的管体中，用于产生杀菌消毒用的光并向管道内壁照射；电源用于给所述光源供电；还包括电源外壳和防水导线，所述电源外壳固定于所述管道的外壁，用于容纳所述电源，用于连接电源和光源。本发明提供的杀菌消毒的装置可以降低杀菌消毒的成本，只要用户将带有杀菌消毒装置的水管接入水流过的管路，就可以及时杀菌消毒。
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公开(公告)号：CN103325901B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310193970.3
申请日：2013-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在衬底的背面。本发明可以独立于材料生长过程和干法刻蚀过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合。
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公开(公告)号：CN102610715B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210093601.2
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底，能很好地释放应力，从而降低Droop效应，增加LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN103528802A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310529305.7
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法，包括如下步骤：制作多个氮化物LED测试样品，使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层；从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面，在该台面上蒸镀上n电极，在ITO层表面蒸镀p电极，在除电极外四周其它区域蒸镀一层光吸收抑制层，在各测试样品表面中心位置光刻出一定孔径的出光孔；计算测试样品的光提取效率；利用积分球测量各测试样品，获得在不同电流密度下的不同孔径内的光功率；通过光功率计算测试样品的外量子效率，并通过所得到的光提取效率计算内量子效率。本发明能够消除光致发光谱测量内量子效率带来的负面影响。
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公开(公告)号：CN102185056B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110115323.1
申请日：2011-05-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种提高电子注入效率的氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，在该n型接触层的上面的一侧形成一台面；一下多周期n型电子耦合层制作在n型接触层上台面另一侧的上面；一下隧穿势垒层制作在下多周期n型电子耦合层上；一上多周期n型电子耦合层制作在下隧穿势垒层上；一上隧穿势垒层制作在上多周期n型电子耦合层上；一多周期活性发光层制作在上隧穿势垒层上；一负电极制作在n型接触层的台面上；一p型电子阻挡层制作在多周期活性发光层上；一p型接触层制作在p型电子阻挡层上；一正电极制作在p型接触层上，形成氮化镓系发光二极管的结构。
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