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公开(公告)号：CN109709069A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811606056.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环谐振腔，该微环谐振腔位于模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅形成的直线一侧，与直波导位置对应且耦合连接，可与直波导进行光谐振耦合；气体传感上包层，位于一谐振耦合区域，该谐振耦合区域覆盖于直波导与微环谐振腔上方；以及绝缘上包层，覆盖于SOI基片上方除谐振耦合区域之外的区域。该气体传感器具有微型化、高灵敏度、响应速度快、不易受电磁干扰、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于制备和集成的综合性能。
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公开(公告)号：CN104992972B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510245793.8
申请日：2015-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/775 , H01L21/335 , H01L21/02
Abstract: 一种基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管，包括：一SOI衬底；一源区、一漏区和多根硅纳米线，该多根硅纳米线位于SOI衬底的顶层硅上，交替连接该源区和漏区并形成叉指结构；多根III‑V族纳米线桥接在多根硅纳米线的侧壁硅晶面上；一SiO2缓冲层制作于该源区、漏区与多根硅纳米线的表面；一绝缘介质层制作于该多根III‑V族纳米线和该SiO2缓冲层的表面，并完全包裹住该多根III‑V族纳米线；一源电极制作于该源区的上面；一漏电极制作于该漏区的上面；以及一栅电极制作于该多根硅纳米线和多根III‑V族纳米线上，包裹住该多根硅纳米线和多根III‑V族纳米线。本发明可以提高III‑V族纳米线的成核率。
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公开(公告)号：CN103311305B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310233363.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供了一种硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法。该硅基横向纳米线多面栅晶体管通过化学腐蚀形成相对的两具有硅(111)晶面的端面，在该相对的两硅(111)晶面之间实现了III-V材料纳米线横向生长并形成桥接结构，从而容易实现多面金属栅在平面上的逻辑集成。
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公开(公告)号：CN105070763A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510433864.7
申请日：2015-07-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/66742
Abstract: 一种SOI叉指结构衬底的III-V族材料沟道薄膜晶体管，包括：一SOI衬底，其顶层硅上的一侧包括一源区，另一侧为漏区，中间为叉指结构的硅亚微米线；一绝缘介质层制作在该源区和漏区的表面，该源区和漏区上的绝缘介质层上分别开有电极窗口；一III-V族材料薄膜制作在叉指结构的硅亚微米线上；一栅介质层制作在该III-V族材料薄膜的表面；一源电极制作在该源区电极窗口内，该源电极与SOI衬底的顶层硅接触；一漏电极制作在该漏区介质层窗口内，该漏电极与SOI衬底的顶层硅接触；以及一栅电极，该栅电极制作于栅介质层上。本发明可以实现平面薄膜晶体管的制备。
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公开(公告)号：CN104992972A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510245793.8
申请日：2015-05-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/775 , H01L21/335 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/775 , H01L21/02603 , H01L29/66469
Abstract: 一种基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管，包括：一SOI衬底；一源区、一漏区和多根硅纳米线，该多根硅纳米线位于SOI衬底的顶层硅上，交替连接该源区和漏区并形成叉指结构；多根III-V族纳米线桥接在多根硅纳米线的侧壁硅晶面上；一SiO2缓冲层制作于该源区、漏区与多根硅纳米线的表面；一绝缘介质层制作于该多根III-V族纳米线和该SiO2缓冲层的表面，并完全包裹住该多根III-V族纳米线；一源电极制作于该源区的上面；一漏电极制作于该漏区的上面；以及一栅电极制作于该多根硅纳米线和多根III-V族纳米线上，包裹住该多根硅纳米线和多根III-V族纳米线。本发明可以提高III-V族纳米线的成核率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103346070B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310232595.9
申请日：2013-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括：步骤A，在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线；步骤B，去除整段硅纳米线的中段部分，在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端面形成硅(111)晶面；以及步骤C，在左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的，具有硅(111)晶面的两端面之间横向选区生长III-V族材料纳米线，形成异质结桥接结构。本发明利用硅(111)晶面有较高的悬挂键密度和较低的表面自由能的特性，可以低成本实现在两段硅纳米线之间硅(111)晶面侧壁上III-V族纳米线的选区横向生长。
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公开(公告)号：CN102610665B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110435947.1
申请日：2011-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 一种聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池，包括：一Al/Si合金背电极；一p+背接触层，位于Al/Si合金背电极的上面；一p型晶硅材料层，位于p+背接触层的上面；一n+接触层，位于p型晶硅材料层的上面，该n+接触层的上面开有硅纳米孔阵列；一SiO2钝化层，位于开有硅纳米孔阵列的n+接触层的表面；一前电极，横竖交叉形成于n+接触层上。
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公开(公告)号：CN101916393B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201010231216.0
申请日：2010-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路，该电路包括整合激发神经元电路和权重自适应电路，其中，整合激发神经元电路接收外部像素点的灰度值信号和神经元之间内部的互连信号，权重自适应电路调整两神经元之间的相互耦合强度，作为整合激发神经元之间的内部互连信号。利用本发明，通过调节神经元间的耦合强度，可方便地对图像进行不同层次的分割，且分割速度很快；并且考虑了邻域像素对其的影响，故抗噪能力明显增强。
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公开(公告)号：CN102157361B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010605875.6
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体材料与器件制造领域，具体涉及利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法，其是在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层，然后涂覆抗蚀剂，利用光子束超衍射纳米加工技术，在抗蚀剂上曝光，显影，定影，形成栅足图形，再用RIE刻蚀技术，将栅足图形下面的介质钝化层刻蚀，形成沟槽，再利用光子束超衍射纳米加工技术，在光刻胶上曝光，显影，定影，形成栅头图形，蒸发栅极金属，在介质钝化层的沟槽和栅头图形上形成三维T型的金属电极。具有灵活性高，同时精度高、面积大、可重复、低成本和效率高的优点。
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公开(公告)号：CN101470347A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304255.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法。包括：使用清洗液清洗SOI材料称底；在SOI称底上甩电子束胶，并进行前烘；以设计版图为掩模，进行电子束曝光；通过剂量补偿的方法对版图进行修正，消除图形进行电子束曝光时会受邻近效应的影响导致的曝光图形大小不一致；进行显影和定影，并进行后烘，形成环形阵列结构；刻蚀SOI材料的顶层硅，形成环形空气孔状阵列结构，孔中间为硅柱，完成二维光子晶体的制作。本发明实现了纳米量级的环形结构的制作工艺，该光子晶体结构在高频段出现了禁带，实现了制备具有高频段禁带的新型光子晶体结构。
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