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公开(公告)号：CN115561294B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202211064854.7
申请日：2022-09-01
Applicant: 华中科技大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/414 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种栅敏场效应晶体管嗅觉传感器及其制备方法，属于智能传感器领域。嗅觉传感器包括高电子迁移率晶体管和气敏薄膜；晶体管的栅极包括控制栅与延长栅，二者之间的气敏薄膜作为气味受体，与气体分子作用后薄膜电阻发生改变引起栅压变化，进而引起源漏电流的改变，实现信号转导与放大。本发明提供的嗅觉传感器具有高灵敏度、高信噪比与低功耗的特点，通过传感器阵列化并结合算法，可实现高可靠智能嗅觉感知。
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公开(公告)号：CN117117626A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202211554220.X
申请日：2022-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/0237 , H01S5/183 , H01S5/02315 , H01S5/02 , H01S5/065
Abstract: 本发明提供了一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置、方法及控制方法，该封装装置包括：增益芯片，金属圆薄片，压力装置，所述压力装置设于所述金属圆薄片的下表面，用于产生压力使所述金属圆薄片和所述增益芯片发生形变，当所述增益芯片的表面形变焦距达到其中心形变的二分之一时，增益芯片非线性等效焦距增强，实现锁模稳定；其中，所述非线性等效焦距由所述增益芯片的表面形变自散焦焦距和其材料内部决定的非线性克尔透镜焦距组合成的微透镜组焦距来调节。该封装装置结构简单，操作方便，便于稳定自锁模脉冲的输出。该封装方法实现了低功率的状态下就能达到稳定的锁模，无需持续增加泵浦功率实现光强的增大达到稳定锁模状态。
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公开(公告)号：CN102867837A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210340102.9
申请日：2012-09-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种阵列式高压LED器件的制作方法，包括：在外延结构的P型氮化镓层上制作掩膜，选择性刻蚀外延结构，形成N型台阶结构；在外延结构的N型氮化镓层的表面制作掩膜，形成隔离的深槽；进行高温硫磷酸腐蚀；在刻蚀后的外延结构的表面沉积绝缘介质层；腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；在相邻的各N型台阶结构之间制作透明导电层；部分腐蚀掉最外侧的N型台阶结构上面的P型氮化镓层表面的透明导电层；在其上制作P金属电极和N金属电极。本发明可以减少电极吸光，增加芯片外延的侧面与底部出光面积，与后工艺相互配合，可以提高高压发光二极管芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN102157640B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110064300.2
申请日：2011-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，包括：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台，在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后，向蒸发台腔室中充入水汽，控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜，对GaN外延片进行刻蚀，形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极，在台面上制作N电极，完成器件制备。
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公开(公告)号：CN101470347A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304255.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法。包括：使用清洗液清洗SOI材料称底；在SOI称底上甩电子束胶，并进行前烘；以设计版图为掩模，进行电子束曝光；通过剂量补偿的方法对版图进行修正，消除图形进行电子束曝光时会受邻近效应的影响导致的曝光图形大小不一致；进行显影和定影，并进行后烘，形成环形阵列结构；刻蚀SOI材料的顶层硅，形成环形空气孔状阵列结构，孔中间为硅柱，完成二维光子晶体的制作。本发明实现了纳米量级的环形结构的制作工艺，该光子晶体结构在高频段出现了禁带，实现了制备具有高频段禁带的新型光子晶体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112229815B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202011099724.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/3586 , G01N21/59
Abstract: 一种蝶形超材料光学传感器，包括：衬底(1)；超材料阵列层(2)，所述超材料阵列层(2)生长于衬底(1)的表面；所述超材料阵列层(2)的构成成分全是金属，或金属与二维材料的组合；所述超材料阵列层(2)的结构是阵列排布的多个周期性单元，所述多个周期性单元中的每一个周期性单元由两个尖端元素结构相对构成，呈蝶形对称结构。本发明提供了一种高灵敏度、窄线宽的场增强型超材料光学传感器，通过对该蝶形超材料的结构参数进行设计，可以灵活的调节该传感器的灵敏度和光谱响应波段。
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公开(公告)号：CN117424069A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311499426.1
申请日：2023-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器及制备方法，该激光器包括：泵浦光源、增益芯片和输出耦合镜泵浦光源用于发射泵浦光；增益芯片设于泵浦光的光路上，包括表面光栅反射镜，用于在泵浦光的激发下产生激光，并通过表面光栅反射镜将激光垂直或以特定角度反射出增益芯片表面；输出耦合镜，设于激光的出射光路上，用于与表面光栅反射镜共同构成谐振腔，使激光在谐振腔内发生振荡进行增益放大，并将激光透射输出。该激光器大大降低了增益芯片上反射镜的厚度，提高了反射镜的反射带宽，降低了反射镜的热阻，有利于提高激光器的激光输出和能量利用效率。该激光器的制备复杂性、制备时间和制备成本相比传统激光器大大降低。
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公开(公告)号：CN112993748B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110186788.X
申请日：2021-02-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器包括传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构和液晶模式调制结构，其中，传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构，用于发射激发模式；液晶模式调制结构，位于所述传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构之上，通过液晶折射率的改变实现对传输光场损耗的影响，从而控制激射模式。本发明还提供了一种用于制备上述基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法。
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公开(公告)号：CN112993748A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110186788.X
申请日：2021-02-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器包括传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构和液晶模式调制结构，其中，传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构，用于发射激发模式；液晶模式调制结构，位于所述传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构之上，通过液晶折射率的改变实现对传输光场损耗的影响，从而控制激射模式。本发明还提供了一种用于制备上述基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法。
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公开(公告)号：CN112202049A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011068518.0
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京工业大学
Abstract: 本公开提供一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，包括：第一半导体层，用于发射激发光，其表面为开设有凹槽的GaAs保护层，所述凹槽处作为所述激发光的中心出光孔，微调控层位于所述GaAs保护层上，所述微调控层对应所述凹槽设置有一容纳空间，所述凹槽和所述容纳空间共同构成一液晶盒，所述液晶盒内填充有液晶材料；本公开还包括一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法；本公开可以根据激光器工作状态和需要，动态调控输出的模式，不用高度依赖表面反相结构的精度，可以灵活地调节激光器的输出功率，可精确控制凹槽部分和非凹槽部分对谐振波长的反射率，从而控制不同横模的往返损耗。
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