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公开(公告)号：CN101789462B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010113745.0
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构，该结构由上至下依次包括：迎光面广谱陷光层；p型硅基衬底；n型磷扩散层；以及背光面广谱吸收黑硅层。本发明同时公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构的制作方法。利用本发明，可充分利用黑硅材料的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，同时利用背面掺杂梯度自建场分离黑硅中产生的光生电子-空穴对，使之被电极接收转化为光电流，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1微米以上波长太阳光谱的问题；该结构的pn结由扩散结形成，能确保电池开路电压不受黑硅低能光子转化降低的影响，从而有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101882636B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010175445.5
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种以掺杂广谱吸收层作为太阳能电池背光面的结构。该掺杂广谱吸收层，包括凹凸不平的晶锥掺杂黑硅、熔融凝固后的掺杂准平面硅，以及离子注入掺杂退火后的平面硅。本发明同时公开了一种制作背光面广谱吸收硅基太阳能电池结构的方法。本发明能有效提高硅基太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101458369B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200710179411.1
申请日：2007-12-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种单片集成Y波导连接的两激光器光电子器件，其特征在于，其中包括：两激光器，为平行的波长相近的激光器；一波导，该波导为Y字形，分为第一端、第二端和第三端，所述的两激光器分别与波导的第二端和第三端连接；一直波导，该直波导与波导的第一端连接；一相位加速器，该相位加速器形成于Y字形波导分支处的底部；所述的两激光器的输出光通过Y字形波导引导入一段直波导输出，进而可以耦合进外部光纤中。
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公开(公告)号：CN101752789A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810240353.3
申请日：2008-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种NPN异质结双极型晶体管激光器，包括衬底(1)、缓冲层(2)、下包层(3)、亚集电极层(4)、集电极层(5)、基极层(6)、量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上包层(9)和接触层(10)。其中量子阱有源区层位于所述基极层与发射极层之间，一方面减少了基极层中掺杂杂质Zn向有源区层的扩散，另一方面也减少了基极层中掺杂杂质Zn向发射区层的扩散，有助于同时提高器件的光学和电学性能。由发射极注入的电子一部分在量子阱有源区层中辐射复合发光，另一部分被集电极层收集，形成集电极电流。
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公开(公告)号：CN101470233B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710304213.3
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明公开了一种具有倾斜输出光波导的Y分支波导器件，用于在光传输系统中光信号的分束或合束，该Y分支波导器件由分支波导(1)、合束波导(2)、过渡波导(3)和斜直波导(4)构成。利用本发明，采用由折线构成的分支波导和改进型的合束波导结构和斜直波导输出，不仅可以增大分支角度、减小分支长度并降低工艺难度，而且还能降低波导端面的反射，从而降低反射光对整个集成器件性能的扰动，提高集成器件的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101303459B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200710099043.X
申请日：2007-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/017
Abstract: 一种行波电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层、n-1.2Q四元层、n-铟磷空间层、下分别限制层、多量子阱、上分别限制层、缺陷扩散层；生长刻蚀出氧化硅掩膜保护电吸收调制器区，磷离子注入，退火，去掉氧化硅掩膜和缺陷扩散层；在模板转换器材料区刻蚀锥形上波导和下波导；依次外延p型磷化铟薄层、p型铟镓砷磷停止层、p型磷化铟盖层和p型铟镓砷接触层；刻蚀EA区的脊结构；刻蚀EA区的绝缘平面；制作氮化钽薄膜电阻；制作p型金属欧姆接触；制作N型金属欧姆接触；制作聚酰亚胺桥；在电吸收调制器材料区上制作钛金电极结构；减薄解理，完成制作。
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公开(公告)号：CN100538412C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610007846.3
申请日：2006-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上光刻腐蚀出凹陷区域；步骤2：在凹陷区域内制作介质掩膜图形条；步骤3：在上述含介质掩膜图形条的衬底上同时外延生长缓冲层和有源波导层，形成介质掩膜选择区域、过渡区和凹陷区域外的平面区域；步骤4：在凹陷的介质掩膜选择区域、过渡区和凹陷区域外的平面区域上制作出具有同一水平上表面的平面型集成有源波导结构。
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公开(公告)号：CN101470233A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304213.3
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明公开了一种具有倾斜输出光波导的Y分支波导器件，用于在光传输系统中光信号的分束或合束，该Y分支波导器件由分支波导(1)、合束波导(2)、过渡波导(3)和斜直波导(4)构成。利用本发明，采用由折线构成的分支波导和改进型的合束波导结构和斜直波导输出，不仅可以增大分支角度、减小分支长度并降低工艺难度，而且还能降低波导端面的反射，从而降低反射光对整个集成器件性能的扰动，提高集成器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN100468090C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610089590.5
申请日：2006-07-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 一种吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：在砷化镓或磷化铟衬底上大面积沉积一层二氧化硅薄膜；在二氧化硅薄膜上涂一层光刻胶；将光刻胶曝光并显影得到光刻胶布拉格光栅掩模；以光刻胶布拉格光栅掩模充当掩蔽，刻蚀二氧化硅薄膜，得到二氧化硅布拉格光栅掩模；以光刻胶布拉格光栅掩模和二氧化硅布拉格光栅掩模一起充当掩蔽，对砷化镓或磷化铟衬底进行刻蚀，在砷化镓或磷化铟衬底上得到布拉格光栅；去掉光刻胶布拉格光栅掩模，保留二氧化硅布拉格光栅掩模；外延生长吸收层，填充布拉格光栅的低凹的部分，以形成吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅；去掉二氧化硅布拉格光栅掩模；在吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅上二次外延依次生长下分别限制层、有源区、上分别限制层、盖层和接触层。
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公开(公告)号：CN100364193C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510011352.8
申请日：2005-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器，包括：一基片；一缓冲层，该缓冲层制作在基片上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上；一量子点有源区，该量子点有源区制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子点有源区上；一上包层，该上包层在较低温度下制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在上包层上。由于InGaP可以在较低的生长温度下获得高的的材料质量，包层生长过程中量子点发光的蓝移得到有效的抑制，使得量子点激光器能够在1.3μm激射。
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