公开(公告)号：CN100538412C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610007846.3

申请日：2006-02-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 朱洪亮 ,  侯康平 ,  杨华 ,  梁松 ,  王圩

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/13

Abstract: 一种利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上光刻腐蚀出凹陷区域；步骤2：在凹陷区域内制作介质掩膜图形条；步骤3：在上述含介质掩膜图形条的衬底上同时外延生长缓冲层和有源波导层，形成介质掩膜选择区域、过渡区和凹陷区域外的平面区域；步骤4：在凹陷的介质掩膜选择区域、过渡区和凹陷区域外的平面区域上制作出具有同一水平上表面的平面型集成有源波导结构。

公开(公告)号：CN101025458A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610007846.3

申请日：2006-02-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 朱洪亮 ,  侯康平 ,  杨华 ,  梁松 ,  王圩

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/13

Abstract: 一种利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上光刻腐蚀出凹陷区域；步骤2：在凹陷区域内制作介质掩膜图形条；步骤3：在上述含介质掩膜图形条的衬底上同时外延生长缓冲层和有源波导层，形成介质掩膜选择区域、过渡区和凹陷区域外的平面区域；步骤4：在凹陷的介质掩膜选择区域、过渡区和凹陷区域外的平面区域上制作出具有同一水平上表面的平面型集成有源波导结构。