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公开(公告)号：CN103166108A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310082285.3
申请日：2013-03-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种用于改善边发射激光器二维远场形貌的光子晶体复合波导装置，该结构由平行于异质节方向的脊波导结构和垂直于异质节方向非对称的光子晶体结构组合构成，两者结合来实现激光器的低发散角和圆斑输出。垂直方向结构从下至上依次为：n型衬底、n型光子晶体波导、有源层、p型限制层和p型盖层，所述n型光子晶体波导由高、低折射率的材料交替生长形成。基于光子晶体对光子态的调控作用，使得不同的模式场具有不同的光场分布，并且具有空间上的可区分性，使得低阶模的模式增益最大，从而实现低阶模的稳定激射。
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公开(公告)号：CN108508635B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201810318367.6
申请日：2018-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于SiGe材料的电调谐有源波导结构、以及MZI结构，属于硅基光电子器件领域。基于SiGe材料的电调谐有源波导结构，为脊形波导结构，从波导结构底部向上依次包括：Si衬底、SiO2掩埋层、第一接触区、有源区及第二接触区，有源区位于第一接触区和第二接触区的中央区域，在有源区从下到上层叠有SiGe本征区和Ge/SiGe量子阱本征区，经由第一接触区和第二接触区对有源区施加垂直电场。由此，QCSE效应与FK效应相结合，不仅使材料吸收带边移动叠加从而材料在特定波长下的吸收系数和折射率改变，而且获得线性的吸收特性曲线，因而，提升了器件的调制效率、器件的工作速度、补偿了调制的线性度、降低了器件的功耗、缩减了器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN105609602B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201511005814.5
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用倒装RCLED，所述倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板，LED芯片包括：芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n电极；所述倒装基板由下至上依次包括支撑衬底、绝缘层以及互相绝缘隔离的P、N电极焊盘；所述LED芯片通过金属焊球或共晶焊分别与所述倒装基板的P、N电极焊盘电连接。本发明有利于获得高品质因子的短腔长倒装RCLED，从而协同改善LED的频率响应和量子效率，满足光通信用高光效、高带宽的光源需求。
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公开(公告)号：CN106848838A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710220057.6
申请日：2017-04-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片，包括：一衬底；制作在衬底上的缓冲层；制作在缓冲层上的底部多孔DBR层；制作在底部多孔DBR层上的n型掺杂GaN层及外围向下刻蚀形成有台面；制作在n型掺杂GaN层上的有源层；制作在所述有源层上的电子阻挡层；制作在电子阻挡层上的p型掺杂GaN层；制作在p型掺杂GaN层上的电流限制层，其中心形成有电流窗口，且电流限制层覆盖有源层、电子阻挡层和n型掺杂GaN层凸起部分的侧壁；制作在p型掺杂GaN层上的透明电极；制作在n型掺杂GaN层台面上的n电极；制作在透明电极上的p电极，中间形成有凹缺；制作在p电极凹缺内透明电极上的介质DBR层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106653893A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710053207.9
申请日：2017-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/108 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1085 , H01L31/03044 , H01L31/1856
Abstract: 本发明提供了一种多孔氮化镓的紫外光电探测器，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底之上；n型多孔氮化镓层，位于所述缓冲层之上；一对电极，分别叠置于所述型多孔氮化镓层之上。此外，本发明还提供了一种多孔氮化镓的紫外光电探测器的制备方法，包括：在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上制备n型多孔氮化镓层；在n型多孔氮化镓层上生长一对电极。本发明采用多孔氮化镓结构，使得氮化镓与电极形成的肖特基结界面处会有大量的表面态密度，降低结势垒高度，增强光效应。
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公开(公告)号：CN103763825B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410010264.5
申请日：2014-01-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明提供了一种LED恒流PWM驱动电路及三基色LED混光驱动电路。该LED恒流PWM驱动电路包括：三端双向开关电路，与交流电源相连接，用于将交流电源提供的正弦交流信号转换成正弦斩波波形信号；PWM波形信号产生电路，与所述三端双向开关电路相连接，用于利用所述正弦斩波波形信号产生PWM波形信号；LED恒流驱动电路，与所述PWM波形信号产生电路相连接，用于利用所述PWM波形信号控制LED光源的导通和关断，从而实现LED的恒流PWM驱动。本发明中，三端双向开关电路直接驱动负载为阻性负载，不是容性负载，因而该技术方案能保证高功率因子，不会影响整个电网的质量。
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公开(公告)号：CN105098582A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510590526.4
申请日：2015-09-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/10
Abstract: 一种准三维光子晶体窄线宽激光器，包括：一n型衬底；一外延结构，其制作在n型衬底上；一有源层，其制作在外延结构上；一覆盖层，其制作在有源层上，该覆盖层上面的一侧形成多个凸起的宽条光栅，该覆盖层上面的中间为一平面区域，该覆盖层上面的另一侧形成多个凸起的窄条光栅。本发明具有窄线宽、低发散角的优点。
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公开(公告)号：CN104917052A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510388711.5
申请日：2015-07-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/125
Abstract: 一种变周期倾斜光栅激光器的制备方法，包括：在一衬底上依次生长n-型限制层、n-型波导层、有源层、p-型波导层、p-型限制层、p-型接触层；在p-型接触层、p-型限制层及p-型波导层上制作出倾斜两光栅条，该两光栅条之间为倾斜的注入区；光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构，另一光栅条的部分为倾斜的横向分布的变周期光栅结构；在倾斜的横向分布的变周期光栅结构和倾斜的横向分布的变周期光栅结构上制作绝缘层；在倾斜的横向分布的变周期光栅结构以及他们之间的注入区上生长正电极；将衬底减薄抛光；在减薄抛光后的衬底的背面制作背电极；退火，解理成矩形的芯片，完成制备。
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公开(公告)号：CN103199435B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310096102.3
申请日：2013-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器，包括：一衬底和在衬底上制作的N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层、P型欧姆接触层、绝缘层，一P型电极制作在绝缘层上；一N型电极，制作在衬底的背面；该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，用于形成电流注入通道和纵向侧向光场限制；其中该脊型结构的整体结构部分为脊型波导增益区，另一侧的人工微结构部分为人工微结构选模区。本发明可增大模场面积，实现超低垂直发散角，改善单模激光器光束质量，提高与光纤或光栅的耦合效率。该激光器只需一次外延和普通光刻技术即可实现单模工作，低制作成本。
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