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公开(公告)号：CN110243779B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910411828.9
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器响应光谱的计算方法，该方法主要包括入射光在碲镉汞红外焦平面探测器中的传播、碲镉汞吸收层中载流子的输运、碲镉汞吸收层表面态复合模型以及响应光谱的综合设计。设计的响应光谱曲线在干涉条纹以及在短波红外区域量子效率下降的现象与实际的测试结果一致。该设计方法对碲镉汞红外焦平面探测器响应光谱优化有重要意义。
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公开(公告)号：CN110793644A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911093625.6
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
Abstract: 本发明公开了一种可调控红外焦平面探测器应力芯片装置及调控方法，所述的红外焦平面探测器应力芯片的调控方法所采用的装置包括：拉杆、拉杆支撑、底座、压条和垫片。所述的装置对于应力芯片调控的方式简单、易于测量，同时该装置搭建容易、可拆卸，而且可以重复使用。将已制备好的红外焦平面探测器芯片用DW-3低温环氧胶粘贴在压条上，在自由端对其施加向下或者向上的外力，芯片上的光敏元分成四个区域，通过对芯片上光敏元的四个区域进行测试来得到应力芯片光电性能参数，可以测得电阻率的变化。通过这种方法可以直接调控芯片的载流子迁移率，改变其电导率，从而改善红外焦平面探测器的光电响应，最终提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN105762209B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610236574.8
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本发明采用将p‑n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本发明对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。
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公开(公告)号：CN105047530A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510295709.3
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: H01L21/02019 , G01N1/286 , G01N1/32 , G01N1/34 , G01N2001/2866 , H01L21/02057 , H01L22/12
Abstract: 本发明公开了一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺。工艺包括探测器芯片的衬底减薄抛光和清洗、芯片保护、衬底氧化层腐蚀、衬底选择性湿法腐蚀四个步骤，本发明的特征在于：将化学机械减薄抛光后的Si基碲镉汞芯片衬底朝上贴于宝石片上并固化，将制好的样品放入氢氟酸中去氧化层，再将其放入高选择比腐蚀液中进行腐蚀。本发明的特点在于：能获得衬底完全去除的碲化镉/碲镉汞外延薄膜材料和光亮的碲化镉界面，为从碲化镉界面入手研究探测器芯片中位错提供了方便。
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公开(公告)号：CN104988505A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510295677.7
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀液。它由有机碱溶液四甲基氢氧化铵、去离子水和氧化剂过硫酸铵配制而成。首先将四甲基氢氧化铵溶液与去离子水配置成浓度为5％～20％的混合溶液，再根据混合液的体积加入1g/l～3g/l的过硫酸铵，最后将混合溶液放在温度超过80℃的水浴中加热，在50℃～65℃温度下使用。本发明的特点在于：腐蚀液的使用条件与碲镉汞工艺兼容，不改变碲镉汞芯片的物理特性，保证了分析结果的准确性。腐蚀液的选择性好，能够将Si衬底完全去除，但对缓冲层碲化镉和外延薄膜碲镉汞不腐蚀，获得完整清晰的外延材料观察界面，为从缓冲层碲化镉界面入手对位错进行观察提供了良好的观察样品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104752244A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510145242.4
申请日：2015-03-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/81
Abstract: 本发明公开一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法。该工艺方法包括：对准、加压及加热三个步骤。该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点，简化了焊点制备工艺，降低了对焊点形貌一致性的要求，同时也克服了回熔焊技术对还原性气氛和表面处理的依赖。
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公开(公告)号：CN103022246B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210506767.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器衬底去除技术中的选择性湿法腐蚀工艺方法，该方法是在红外光敏感芯片和读出电路在冷压混成互连后，采用高选择比的无机酸腐蚀液，通过湿法腐蚀工艺，完全腐蚀衬底留下外延层，以展宽探测波段至可见光，减小衬底与读出电路间热应力失配导致的损伤，消除衬底荧光效应，从而提高探测器性能和模块的可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN102818637B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210273980.3
申请日：2012-08-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于采集和处理短波红外探测器阵列弱信号的CTIA结构输入级，一种电流源负载的共源共栅结构运放的CTIA结构的输入级。CTIA结构的运放由M1、M2、M3三个CMOS管构成了CTIA结构的运放，三个管子为电流源负载的共源共栅结构，M1管为电流源负载，M2、M3为共源共栅结构。辅助电压偏置模块由6个CMOS管M4～M9管为该运放提供工作的偏置电压。M4、M7，M8、M9分别构成电流镜，M5、M6为二级管连接结构，参考电流由IBIA端流入，经电流镜将偏置电压赋予M1、M2。CTIA结构很好的实现了面积、性能、功耗的折衷，为大面阵、小像元、弱信号的短波红外探测器器件提供了一种读出电路的解决途径。
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公开(公告)号：CN103762274A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410021010.3
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1876
Abstract: 本发明公开一种去除铟表面氧化层的方法。该技术方案具体包括：清洗等离子体腔体和等离子体处理两步。该方法的优点在于不仅能够去除表面氧化层而且能够有效地防止铟的新鲜表面被再次氧化。
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公开(公告)号：CN103681937A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310591022.5
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1832 , G06F17/5086
Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法。在器件模拟中发现，在典型的n+-on-p平面结上进行刻蚀，形成周期性光子晶体，从而将占空比降低到0.4时，器件的量子效率能保持不变，而随着有效体积的减小，暗电流会下降70%。本发明的优点在于，该种利用光子晶体人工微结构的限光效应提高光吸收效率并降低暗电流的HgCdTe中长波红外焦平面探测器结构，在维持原有的光响应特性不变的情况下，由于暗电流的降低，而提高了器件的整体性能，同时这种周期性结构与焦平面阵列相兼容，显著降低红外焦平面探测器的读出电路的制作难度。
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