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公开(公告)号：CN105758531A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610242421.4
申请日：2016-04-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20 , G01J2005/204
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外探测器的真空封装组件。热电致冷器通过金属焊料焊接在外壳上，热电致冷器的引线焊接在外壳的热电致冷器电连针上；具有吸附气体功能的吸气剂与外壳的吸气剂针通过电阻焊工艺进行连接，具有特定造型的不锈钢金属薄片焊接在吸气剂与热电致冷器之间；非制冷红外探测器芯片粘贴在热电致冷器的冷端面上，然后通过键合工艺与外壳上的芯片电连针连接；窗口与管帽通过金属焊料焊接，然后与外壳平行缝焊密封；平行缝焊完成后将组合件通过排气管与一真空装置的腔体连接，并使组合件处于一定温度下，排气一段时间；排气结束后，冷夹封排气管，封口涂布保护胶。
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公开(公告)号：CN105444894A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510868727.6
申请日：2015-12-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20 , G01J2005/204
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外探测器的真空封装组件。热电致冷器通过金属焊料焊接在外壳上，热电致冷器的引线焊接在外壳的热电致冷器电连针上；具有吸附气体功能的吸气剂与外壳的吸气剂针通过电阻焊工艺进行连接，具有特定造型的不锈钢金属薄片焊接在吸气剂与热电致冷器之间；非制冷红外探测器芯片粘贴在热电致冷器的冷端面上，然后通过键合工艺与外壳上的芯片电连针连接；窗口与管帽通过金属焊料焊接，然后与外壳平行缝焊密封；平行缝焊完成后将组合件通过排气管与一真空装置的腔体连接，并使组合件处于一定温度下，排气一段时间；排气结束后，冷夹封排气管，封口涂布保护胶。
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公开(公告)号：CN104028597A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410259382.X
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B21D11/00
Abstract: 本发明公开了一种U形金属支撑件的成型工具。该工具由销钉、成型压刀、底限位板、左限位板和右限位板组成，材料均为不锈钢。使用时先将要求矩形截面尺寸的金属材料对准“U”形槽口放置于左、右限位板的上端面，握住成型压刀末端用力向下旋转，使金属材料完全嵌入“U”形槽，然后抬起成型压刀取出完成造型的金属支撑件。本发明结构简单，使用方便，解决了一般金属支撑件的成型难题。
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公开(公告)号：CN101936321A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010286033.9
申请日：2010-09-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: F16B1/00
Abstract: 本发明公开了一种应用于低温工况下的金属弹性支撑隔圈，特别是一种用于深低温探测器中能柔性固定透镜或其他元件的圆盖形弹性支撑隔圈。弹性元件选取锻造膨胀合金为材料，使其与透镜或其他元件材料保持良好的热匹配性。弹性元件为一体结构，不存在多构件连接，加工使用方便，对选用的盖状结构体通过机加工或激光切割等方式在下端面和侧面开槽或开孔，调节开槽或开孔的数量、间距、排列方式等均可改变整个弹性元件的劲度系数，以适合不同探测器的具体应用要求。
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公开(公告)号：CN203631552U
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201320623900.2
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , H01L31/0203 , H01L31/024
Abstract: 本专利公开了一种热电制冷的超长线列InGaAs探测器封装结构。封装结构包括管壳、绝热块、导冷板、导热膜、电极板、管帽、光阑、芯片电路模块、窗口、热电制冷器和微型螺栓。其中，热电制冷器、导冷板、绝热块、导热膜通过微型螺栓与管壳固定和连接，可以方便部件的拆卸和更换及装配精度的调节和控制。芯片与电极板通过环氧胶进行粘接和固定，最后管帽与管壳通过焊接工艺完成气密封装。该结构可以实现超长线列InGaAs探测器的封装、工作温度的稳定控制，并且线列各元的温度稳定性好；同时可以实现纵向超高要求的探测器光敏面平面度及横向超高拼接精度等封装要求的气密封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203535289U
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201320623681.8
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B7/00
Abstract: 本专利公开了一种具有热应力缓冲结构的滤光片安装支架，安装支架上按照一定排列规则设计了应力缓冲槽，该应力缓冲槽可以吸收由于温度变化在安装支架上引起的热失配应力，从而减少传递到滤光片上的应力。该结构的支架特别适用于工作于深低温工况或温度循环工况。
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公开(公告)号：CN202534656U
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201220103922.1
申请日：2012-03-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0203
Abstract: 本实用新型公开了一种组合式的深低温工作的探测器封装结构，该结构不仅能够在室温下使用，在深低温下也能实现探测器的密封封装。封装结构包括管壳底、导热膜、陶瓷电极板、密封环、管帽座、管帽及连接螺杆。各零部件通过连接螺杆连接，连接处通过软金属或环氧胶实现密封，因此可以方便的实现封装结构的组合与分离，同时可以实现气密密封。
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公开(公告)号：CN222776535U
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202421297381.X
申请日：2024-06-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F30/225 , H10F77/20
Abstract: 本实用新型公开了一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构，属于半导体光电子技术领域。所述结构包括InP衬底，InP缓冲层，InGaAs吸收层，InGaAsP渐变层，集成一有源淬灭器件的InP电荷层，InP帽层，SiN介质层，N电极，P电极。该器件为一正照射单光子雪崩二极管。其中InP帽层集成一金属‑绝缘‑半导体场效应晶体管(MISFET)，且场效应晶体管的漏极与InGaAs/InP单光子雪崩二极管P极共用一个扩散区。本实用新型将实现单光子雪崩二极管的被动淬灭主动恢复功能，并将有源淬灭器件集成在InP帽层上，减少了电路连接过程中引入的寄生参数，从而可以降低雪崩二极管的雪崩电荷，抑制后脉冲。并且该种集成方式可基于标准的单光子雪崩二极管的制造工艺，仅增加一步光刻步骤便能实现集成。
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公开(公告)号：CN215356591U
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202121351927.1
申请日：2021-06-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B23K1/00 , B23K1/005 , B23K1/008 , B23K1/20 , G01M3/00 , G01N33/2045 , G01N33/207
Abstract: 本专利公开了一种集成陶瓷冷平台的封装结构，封装结构包括探测器模块、陶瓷冷平台、金属过渡环、芯柱等部件，其特征在于：所述的陶瓷冷平台的上表面安装有探测器模块，下表面气密集成有金属过渡环，金属过渡环与芯柱气密同心连接。在杜瓦芯柱上通过钎焊和激光焊相结合的方法集成有陶瓷冷平台，陶瓷冷平台上表面通过环氧胶安装有探测器模块。该结构中，陶瓷冷平台材料为高导热低膨胀的碳化硅、氮化硅或氮化铝材料，由于碳化硅、氮化硅或氮化铝材料与集成电路用的硅材料低温热匹配，可省去大规模焦平面探测器封装时采用的平衡层结构，结构简洁、制冷机冷量利用率高、温度均匀性好，尤其适用于大规模面阵探测器深低温封装的场合。
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公开(公告)号：CN212010989U
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202020619439.3
申请日：2020-04-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/101
Abstract: 本专利公开了一种集成透镜的气密性封装组件结构，包括组件外壳、盖板、透镜、一级光阑、二级光阑、滤光片、芯片模块、电极板。组件内设置两级光阑，其中二级光阑贴近芯片表面，用于固定滤光片。透镜兼作组件窗口，通过焊接或者环氧胶固定于盖板上，利用光学对中设备实现芯片模块与透镜的对中。所有部件装配完成后组件内充惰性气体保护，并完成气密性焊接。该类型组件可以实现室温或低温应用，透镜作为组件窗口，不仅能满足气密性封装的要求，也能保证高精度光学配准的要求。同时，组件内集成多级光阑，可有效降低芯片视场内背景辐射、杂散光的影响。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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