公开(公告)号：CN118507578A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410735464.0

申请日：2024-06-07

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 于春蕾 ,  何一苇 ,  李雪 ,  刘大福

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构，属于半导体光电子技术领域。所述结构包括InP衬底，InP缓冲层，InGaAs吸收层，InGaAsP渐变层，集成一有源淬灭器件的InP电荷层，InP帽层，SiN介质层，N电极，P电极。该器件为一正照射单光子雪崩二极管。其中InP帽层集成一金属‑绝缘‑半导体场效应晶体管(MISFET)，且场效应晶体管的漏极与InGaAs/InP单光子雪崩二极管P极共用一个扩散区。本发明将实现单光子雪崩二极管的被动淬灭主动恢复功能，并将有源淬灭器件集成在InP帽层上，减少了电路连接过程中引入的寄生参数，从而可以降低雪崩二极管的雪崩电荷，抑制后脉冲。并且该种集成方式可基于标准的单光子雪崩二极管的制造工艺，仅增加一步光刻步骤便能实现集成。

公开(公告)号：CN222776535U

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202421297381.X

申请日：2024-06-07

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 于春蕾 ,  何一苇 ,  李雪 ,  刘大福

IPC: H10F30/225 ,  H10F77/20

Abstract: 本实用新型公开了一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构，属于半导体光电子技术领域。所述结构包括InP衬底，InP缓冲层，InGaAs吸收层，InGaAsP渐变层，集成一有源淬灭器件的InP电荷层，InP帽层，SiN介质层，N电极，P电极。该器件为一正照射单光子雪崩二极管。其中InP帽层集成一金属‑绝缘‑半导体场效应晶体管(MISFET)，且场效应晶体管的漏极与InGaAs/InP单光子雪崩二极管P极共用一个扩散区。本实用新型将实现单光子雪崩二极管的被动淬灭主动恢复功能，并将有源淬灭器件集成在InP帽层上，减少了电路连接过程中引入的寄生参数，从而可以降低雪崩二极管的雪崩电荷，抑制后脉冲。并且该种集成方式可基于标准的单光子雪崩二极管的制造工艺，仅增加一步光刻步骤便能实现集成。