公开(公告)号：CN113351951A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110674843.X

申请日：2021-06-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 莫德锋 ,  赵彤 ,  刘大福 ,  曾智江 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/005 ,  B23K1/008 ,  B23K1/20 ,  G01M3/00 ,  G01N33/2045 ,  G01N33/207

Abstract: 本发明公开了一种集成陶瓷冷平台的封装结构和实现方法，封装结构包括探测器模块、陶瓷冷平台、金属过渡环、芯柱等部件，其特征在于：所述的陶瓷冷平台的上表面安装有探测器模块，下表面气密集成有金属过渡环，金属过渡环与芯柱气密同心连接。在杜瓦芯柱上通过钎焊和激光焊相结合的方法集成有陶瓷冷平台，陶瓷冷平台上表面通过环氧胶安装有探测器模块。该结构中，陶瓷冷平台材料为高导热低膨胀的碳化硅、氮化硅或氮化铝材料，由于碳化硅、氮化硅或氮化铝材料与集成电路用的硅材料低温热匹配，可省去大规模焦平面探测器封装时采用的平衡层结构，结构简洁、制冷机冷量利用率高、温度均匀性好，尤其适用于大规模面阵探测器深低温封装的场合。

公开(公告)号：CN113351951B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202110674843.X

申请日：2021-06-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 莫德锋 ,  赵彤 ,  刘大福 ,  曾智江 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/005 ,  B23K1/008 ,  B23K1/20 ,  G01M3/00 ,  G01N33/2045 ,  G01N33/207

Abstract: 本发明公开了一种集成陶瓷冷平台的封装结构和实现方法，封装结构包括探测器模块、陶瓷冷平台、金属过渡环、芯柱等部件，其特征在于：所述的陶瓷冷平台的上表面安装有探测器模块，下表面气密集成有金属过渡环，金属过渡环与芯柱气密同心连接。在杜瓦芯柱上通过钎焊和激光焊相结合的方法集成有陶瓷冷平台，陶瓷冷平台上表面通过环氧胶安装有探测器模块。该结构中，陶瓷冷平台材料为高导热低膨胀的碳化硅、氮化硅或氮化铝材料，由于碳化硅、氮化硅或氮化铝材料与集成电路用的硅材料低温热匹配，可省去大规模焦平面探测器封装时采用的平衡层结构，结构简洁、制冷机冷量利用率高、温度均匀性好，尤其适用于大规模面阵探测器深低温封装的场合。

公开(公告)号：CN215356591U

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202121351927.1

申请日：2021-06-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 莫德锋 ,  赵彤 ,  刘大福 ,  曾智江 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/005 ,  B23K1/008 ,  B23K1/20 ,  G01M3/00 ,  G01N33/2045 ,  G01N33/207

Abstract: 本专利公开了一种集成陶瓷冷平台的封装结构，封装结构包括探测器模块、陶瓷冷平台、金属过渡环、芯柱等部件，其特征在于：所述的陶瓷冷平台的上表面安装有探测器模块，下表面气密集成有金属过渡环，金属过渡环与芯柱气密同心连接。在杜瓦芯柱上通过钎焊和激光焊相结合的方法集成有陶瓷冷平台，陶瓷冷平台上表面通过环氧胶安装有探测器模块。该结构中，陶瓷冷平台材料为高导热低膨胀的碳化硅、氮化硅或氮化铝材料，由于碳化硅、氮化硅或氮化铝材料与集成电路用的硅材料低温热匹配，可省去大规模焦平面探测器封装时采用的平衡层结构，结构简洁、制冷机冷量利用率高、温度均匀性好，尤其适用于大规模面阵探测器深低温封装的场合。