公开(公告)号：CN1277145A

公开(公告)日：2000-12-20

申请号：CN00107805.4

申请日：2000-06-12

Applicant: 李铁真 ,  株式会社日进纳米技术

Inventor： 李铁真 ,  柳在银

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/30 ,  D01F9/127 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/833 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/891

Abstract: 一种利用热化学汽相淀积(CVD)在大尺寸基片上合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法。该合成方法中,通过腐蚀在基片上形成隔离的纳米级催化金属颗粒,并通过利用碳源气的热CVD,由催化金属颗粒生长垂直排列的净化碳纳米管。

公开(公告)号：CN1130868A

公开(公告)日：1996-09-11

申请号：CN94193333.4

申请日：1994-09-30

Applicant: 库西实验室有限公司

Inventor： J·A·瓦列马斯 ,  F·J·加兰瓦迪维亚 ,  N·卡里拉佩迪奎尔

IPC: A61K9/51

CPC classification number: A61K9/5153 ,  B01J13/22 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/795 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/904

Abstract: 该方法包括：(1)制备一种含化学或生物活性物质或由其形成的微滴或颗粒在由包衣聚合物的溶剂和非溶剂以及任选的表面活性剂或悬浮剂构成的相中的细分散体；(2)制备一种相，它包括溶解在能与前面的分散体以任意比例混溶的溶剂中的包衣聚合物；(3)在维持相间比例和混合物体积恒定的条件下将两相连续地混合，同时将形成的混合物在蒸发体系内喷雾，其中的温度和真空条件使得溶剂瞬间蒸发离开聚合物，导致该聚合物围绕颗粒或微滴沉积。该方法可用于药学、医学、化妆品、兽医、化工、农业等领域。

公开(公告)号：CN1082625A

公开(公告)日：1994-02-23

申请号：CN93107703.6

申请日：1993-05-18

Applicant: 韦斯泰姆技术有限公司

Inventor： R·E·伯勒尔 ,  L·R·莫里斯

IPC: C23C14/14

CPC classification number: C23C14/225 ,  A01N59/16 ,  A61B2018/00119 ,  A61L17/145 ,  A61L27/306 ,  A61L27/54 ,  A61L29/106 ,  A61L29/16 ,  A61L31/16 ,  A61L2300/102 ,  A61L2300/104 ,  A61L2300/404 ,  A61L2300/602 ,  A61L2300/606 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/025 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0688 ,  C23C14/086 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/205 ,  C23C14/35 ,  C23C14/588 ,  H01H2300/014 ,  Y10S977/781 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/904 ,  Y10S977/931

Abstract: 提供抗菌镀膜及其在医疗器械表面形成的方法。此镀膜是用气相淀积技术淀积一种生物相容的金属形成的，在镀膜中产生原子无序使其能持续地释放足以产生抗菌作用的金属离子。产生原子无序的优选条件包括比正常低的底基温度、比正常高的工作气压、镀料流比正常小的入射角。还提供用机械处理产生原子无序的抗菌的金属粉末。此方面延伸至其它同样地形成以增大溶解度的金属膜和粉末。

公开(公告)号：CN101801845B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN200880107641.X

申请日：2008-09-16

Applicant: 岛根县

Inventor： 上野敏之 ,  吉野胜美

IPC: C01B31/02 ,  D06M11/83 ,  D06M101/40

CPC classification number: D01F9/12 ,  B22F1/025 ,  B22F3/105 ,  B22F2998/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/05 ,  C01B32/168 ,  C01B32/20 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/34 ,  C04B35/62847 ,  C04B35/62876 ,  C04B35/62889 ,  C04B35/62892 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/96 ,  C22C21/00 ,  D06M11/83 ,  D06M2101/40 ,  H05K9/009 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/779 ,  Y10S977/788 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/891 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/2918 ,  Y10T428/30 ,  B22F3/15

Abstract: 本发明提供一种过渡金属覆盖碳材料，其具有过渡金属与碳材料的附着力大且在后续加工中不发生剥离或脱离的过渡金属覆盖。本发明的过渡金属覆盖碳材料是如下获得的：使含有过渡金属离子的化合物附着于碳材料的表面上，实施热处理，由碳材料中的碳将过渡金属离子还原，形成过渡金属单质而获得。其中，过渡金属是Fe、Co、Ni、Mn、Cu或Zn。另外，本发明使用过渡金属覆盖碳材料，提供改善了与铝等金属的亲和性且显示出优异的机械强度和导热性的碳-金属复合材料。

公开(公告)号：CN102574731B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201080044800.3

申请日：2010-09-30

Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

Inventor： A.卡申科 ,  A.迪朗多 ,  N.纳多

IPC: C03C17/00 ,  C03C17/245 ,  C23C14/58

CPC classification number: C03C17/002 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/71 ,  C03C2218/154 ,  C03C2218/322 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/14 ,  C23C14/185 ,  C23C14/541 ,  C23C14/5813 ,  C23C14/5853 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/891 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明涉及用于获得一种基材的方法，这种基材在它的至少一部分表面上涂覆有至少一个金属M的氧化物层，该氧化物层的物理厚度小于或等于30nm，所述氧化物层不被包括在含至少一个银层的层堆叠体中。所述方法包括以下步骤：通过阴极溅射沉积至少一个由选自以下的材料制成的中间层：金属M、金属M氮化物、金属M碳化物和金属M的亚化学计量氧的氧化物，所述中间层不沉积在基于二氧化钛的层的上面或者下面，所述中间层的物理厚度小于或等于30nm；使用热处理氧化所述中间层的至少一部分表面，在该热处理期间使所述中间层与氧化性气氛，特别地与空气直接接触，在所述热处理期间所述基材的温度不超过150℃。

公开(公告)号：CN104591123A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410709403.3

申请日：2011-09-13

Applicant: 应用奈米结构公司

Inventor： 布兰登·K·马利特 ,  图沙·K·沙赫

IPC: C01B31/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B05D2256/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/158 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  C23C16/26 ,  C23C16/458 ,  C23C16/545 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/891 ,  Y10T428/30

Abstract: 本文涉及了用于在碳纤维基板上成长碳纳米管的方法。该方法包含：于碳纤维基板上沉积触媒前驱物，可选地在所述碳纤维基板上沉积非触媒材料，且在沉积触媒前驱物与可选的非触媒材料之后，使所述碳纤维基板暴露于碳纳米管成长条件，于碳纤维基板上成长碳纳米管。该碳纳米管成长条件可使所述触媒前驱物转化为一种可运作用于成长碳纳米管的触媒。当碳纳米管正在成长时，碳纤维基板可保持为静止或是可被运送。可选地，所述碳纤维基板上可包含阻障涂层和/或不含上浆剂。本文还提供了具有碳纳米管成长于其上的碳纤维基板。

公开(公告)号：CN103003196A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201280002033.9

申请日：2012-02-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日方威 ,  大久保总一郎

IPC: C01B31/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B31/0206 ,  B01J4/001 ,  B01J19/087 ,  B01J23/745 ,  B01J35/0033 ,  B01J35/06 ,  B01J37/34 ,  B01J37/348 ,  B01J2208/00415 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/162 ,  Y10S977/891

Abstract: 可以获得用于制造碳纳米结构的装置和用于制造碳纳米结构的方法，该装置和方法能够实现增加碳纳米结构的长度和稳定碳纳米结构的形状。用于碳纳米结构的制造装置（1）包括：在其上生长碳纳米结构（20）的催化剂部件（4）、源气体供给单元（11）和源气体供给管（5）、线圈（7、8）以及加热器（6）。源气体供给单元（11）和源气体供给管（5）向催化剂部件（4）供给用于形成碳纳米结构（20）的碳。线圈（7、8）施加梯度磁场（例如，由磁通线（9、10）指示的会切磁场），梯度磁场的磁场强度从催化剂部件（4）的一个表面向与该一个表面相反的另一表面逐渐增加。加热器（6）加热催化剂部件（4）。

公开(公告)号：CN102144275A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134077.5

申请日：2009-09-01

Applicant: 陶氏康宁公司

Inventor： J·A·凯西 ,  V·A·莎玛米安

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C16/24 ,  B01F13/0001 ,  B01J2/04 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/339 ,  Y10S977/891

Abstract: 本发明提供了一种用于合成纳米颗粒的低压甚高频脉冲等离子体反应器系统。该系统包括腔室，该腔室用于接纳至少一个基板，并且能够被抽真空至所选压强。该系统还包括用于从至少一种前驱体气体产生等离子体的等离子体源，以及用于以所选频率提供连续或脉冲射频功率至等离子体的甚高频射频功率源。该频率是基于脉冲射频功率和等离子体之间的耦合效率来选择的。VHF放电和气体前驱体的参数是基于纳米颗粒性质来选择的。纳米颗粒平均大小和颗粒大小分布是通过控制辉光放电的驻留时间(脉冲调制等离子体)相对于通过放电区的气体分子驻留时间、以及纳米颗粒前驱体气体(一种或多种)的质量流量来操控的。

公开(公告)号：CN101014421B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200580030416.7

申请日：2005-09-12

Applicant: 马克思-普朗克科学促进协会

Inventor： 斯特凡·格雷特尔

IPC: B05D5/00 ,  B05D7/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  A61K47/6957 ,  A61L27/02 ,  A61L27/60 ,  A61L31/02 ,  B29C33/0016 ,  B29C33/12 ,  B29C41/20 ,  B82Y5/00 ,  Y10S977/887 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/892 ,  Y10T428/249921

Abstract: 本发明涉及一种用于制备表面结构化的基片的方法，其包括下列步骤：(i)制备在至少一个表面上用无机纳米簇实施纳米结构化的第一基片，(ii)将用于第二基片的与该第一基片的材料不同的基片材料施加到在步骤(i)中得到的第一基片的纳米结构化的表面上，及(iii)将该第一基片与由步骤(ii)得到的包括该无机纳米簇的第二基片分离，从而得到用纳米簇实施纳米结构化的第二基片。此外本发明还涉及通过该方法得到的表面结构化的基片以及该表面结构化的基片用于施加支架材料或植入物材料的用途，用于粘连细胞、病毒和/或细菌和细胞的无血清的培养，例如用于皮肤代替物。此外本发明还包括该基片的所有的应用，其中通过结构化地结合生物活性分子而可以模仿、改性、检测或量化生物系统以及用于在光学元件或电子元件和化学和生物传感器系统中。

公开(公告)号：CN100487911C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN01811029.0

申请日：2001-05-10

Applicant: 自由度半导体公司

Inventor： 素查里塔·马德胡卡 ,  比奇·云·恩古云

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L29/66545 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/891

Abstract: 公开了一种用于在一个半导体基片(102)中形成第一导电类型的第一晶体管(130)和第二导电类型的第二晶体管(132)的工艺。该基片(102)具有第一导电类型的第一孔道(106)和第二导电类型的第二孔道(104)。一个栅极电介质(108)形成于各孔道上。一层第一金属层(110)然后形成于栅极电介质(108)上。第一金属层(110)中位于第二孔道上的部分然后被去除。然后在各孔道上形成一层不同于所述第一金属的第二金属层(114)并且在第二金属(114)上形成一个栅极掩膜。各金属层(110、114)然后被形成图形以便将第一栅极遗留于第一孔道(106)上及第二栅极遗留于第二孔道(104)上。源极/漏极(138、142)然后被形成于第一(106)和第二(104)孔道上以便形成第一(130)和第二(132)晶体管。