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公开(公告)号：CN103003196B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280002033.9
申请日：2012-02-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C01B31/0206 , B01J4/001 , B01J19/087 , B01J23/745 , B01J35/0033 , B01J35/06 , B01J37/34 , B01J37/348 , B01J2208/00415 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/162 , Y10S977/891
Abstract: 可以获得用于制造碳纳米结构的装置和用于制造碳纳米结构的方法，该装置和方法能够实现增加碳纳米结构的长度和稳定碳纳米结构的形状。用于碳纳米结构的制造装置（1）包括：在其上生长碳纳米结构（20）的催化剂部件（4）、源气体供给单元（11）和源气体供给管（5）、线圈（7、8）以及加热器（6）。源气体供给单元（11）和源气体供给管（5）向催化剂部件（4）供给用于形成碳纳米结构（20）的碳。线圈（7、8）施加梯度磁场（例如，由磁通线（9、10）指示的会切磁场），梯度磁场的磁场强度从催化剂部件（4）的一个表面向与该一个表面相反的另一表面逐渐增加。加热器（6）加热催化剂部件（4）。
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公开(公告)号：CN104321700A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201380013521.4
申请日：2013-02-07
Applicant: 得克萨斯大学体系董事会
CPC classification number: C09D153/00 , B29C43/32 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C17/30 , C03C17/3405 , C03C2218/152 , C23C16/44 , G03F7/0002 , Y10S977/788 , Y10S977/809 , Y10S977/811 , Y10S977/839 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10T428/24802 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663 , Y10T428/31931
Abstract: 本发明使用真空沉积的材料薄膜，形成与下面的嵌段共聚物薄膜的不同域无优先相互作用的界面。无优先界面防止形成湿润层并影响嵌段共聚物内的域取向。沉积的聚合物的目的是在嵌段共聚物薄膜内产生可充当平版印刷图案的纳米结构特征。
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公开(公告)号：CN103118975A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045968.0
申请日：2011-09-13
Applicant: 应用奈米结构公司
IPC: C01B31/00
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D2256/00 , B82Y40/00 , C01B32/158 , C01B32/162 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , C23C16/26 , C23C16/458 , C23C16/545 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , Y10T428/30
Abstract: 本文涉及了用于在碳纤维基板上成长碳纳米管的方法。该方法包含：于碳纤维基板上沉积触媒前驱物，可选地在所述碳纤维基板上沉积非触媒材料，且在沉积触媒前驱物与可选的非触媒材料之后，使所述碳纤维基板暴露于碳纳米管成长条件，于碳纤维基板上成长碳纳米管。该碳纳米管成长条件可使所述触媒前驱物转化为一种可运作用于成长碳纳米管的触媒。当碳纳米管正在成长时，碳纤维基板可保持为静止或是可被运送。可选地，所述碳纤维基板上可包含阻障涂层和/或不含上浆剂。本文还提供了具有碳纳米管成长于其上的碳纤维基板。
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公开(公告)号：CN102574731A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044800.3
申请日：2010-09-30
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: C03C17/00 , C03C17/245 , C23C14/58
CPC classification number: C03C17/002 , C03C17/245 , C03C2217/71 , C03C2218/154 , C03C2218/322 , C23C14/0635 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/185 , C23C14/541 , C23C14/5813 , C23C14/5853 , Y10S977/755 , Y10S977/891 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明涉及用于获得一种基材的方法，这种基材在它的至少一部分表面上涂覆有至少一个金属M的氧化物层，该氧化物层的物理厚度小于或等于30nm，所述氧化物层不被包括在含至少一个银层的层堆叠体中。所述方法包括以下步骤：通过阴极溅射沉积至少一个由选自以下的材料制成的中间层：金属M、金属M氮化物、金属M碳化物和金属M的亚化学计量氧的氧化物，所述中间层不沉积在基于二氧化钛的层的上面或者下面，所述中间层的物理厚度小于或等于30nm；使用热处理氧化所述中间层的至少一部分表面，在该热处理期间使所述中间层与氧化性气氛，特别地与空气直接接触，在所述热处理期间所述基材的温度不超过150℃。
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公开(公告)号：CN101381078B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810135542.4
申请日：2008-09-03
Applicant: 锦湖石油化学株式会社
Inventor： 全钟官
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B01J4/002 , B01J8/1818 , B01J8/1836 , B82Y30/00 , C01B32/162 , Y10S977/842 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/89 , Y10S977/891
Abstract: 本发明提供了一种设置有反应室和扩散板的碳纳米管制备装置。所述扩散板设置有板子和位于所述板子的边缘上的气体引导部，在所述板子的中心部分中限定有催化剂供应孔，通过该催化剂供应孔供应金属催化剂。所述气体引导部将源气体引导至所述板子的中心部分，并使从所述催化剂供应孔排出的金属催化剂沿特定方向悬浮。因此，该碳纳米管制备装置可防止金属催化剂的浪费并提高空间利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101246963B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200710198794.7
申请日：2007-12-17
Applicant: 韩国能量技术研究院
CPC classification number: H01M4/926 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01M4/92 , Y10S977/842 , Y10S977/843 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10T428/292
Abstract: 本发明涉及一种负载铂金纳米催化剂的碳纳米管电极及其制造方法的。具体地说，就是关于直接在碳纸表面生长碳纳米管，然后，再在碳纳米管的表面通过化学气相沉积法负载铂金纳米催化剂的碳纳米管电极的制造方法及碳纳米管电极。根据本发明，通过直接生长碳纳米管，就可以最大程度地利用碳纳米管的较宽的表面积和其优良的导电性等优点，特别是通过利用化学气相沉积法直接在碳纳米管的表面负载铂金催化剂的方法，就可以增强纳米催化剂粒子的分散度，并能够使催化剂的活性变得更加优良，从而就可以将非常细小的纳米催化剂粒子负载到碳纳米管的表面上。这样，就不仅能够使铂金的使用量达到最小的限度，同时，还能够有效地增强催化剂的效果，为今后将其用于学术及产业方面奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN101512769B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200680043309.2
申请日：2006-09-27
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： M·K·奥罗斯基 , S·拉弗 , P·L·G·文特泽克
CPC classification number: H01L21/76838 , H01L23/53276 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , Y10S977/742 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10S977/932 , Y10S977/939 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种横向生长纳米管的方法以及半导体。该横向生长纳米管的方法包括：形成在两金属催化剂之间延伸的横向开口，该横向开口包含颈状部分和在颈状部分下面的空腔部分；使用横向开口的空腔部分作为受限的空间以生长纳米管，从而在两金属催化剂之间形成连续的横向电导体。其中，生长纳米管包括在横向开口的颈状部分之上形成等离子体，以将纳米管的生长仅限于基本上在两金属催化剂之间的直线路径内，该等离子体沿横向开口的颈状部分以及在空腔部分的下表面上淀积来自等离子体的电荷，以在横向开口的空腔部分内感生控制纳米管的生长方向的径向电场。
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公开(公告)号：CN1169188C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN00806375.3
申请日：2000-04-27
Applicant: 赛弗根生物系统股份有限公司
CPC classification number: H01J49/0418 , B01L3/5085 , Y10S977/881 , Y10S977/891 , Y10S977/892 , Y10T436/255
Abstract: 本发明提供质谱仪用的样品支架，它包括具有一表面的基底和覆盖该表面的膜。所述膜上有一些孔，用来界定显现分析物的特征部位。所述膜的表面张力比基底表面低，它的水接触角为120-180°。本发明还提供一种系统和检测分析物的方法，该系统包括本发明的试棒和有进口的气相离子检测器。所述方法包括：将分析物置于本发明试棒的表面的特征部位上，该试棒能够可抽出地插入气相离子检测器内；将该试棒插入质谱仪的进口；用电离源电离分析物，产生气相离子；用离子检测器检测气相离子。
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公开(公告)号：CN102794436B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210161522.0
申请日：2012-05-23
Applicant: 通用汽车环球科技运作有限责任公司
CPC classification number: B22D19/08 , C23C6/00 , Y10S977/762 , Y10S977/781 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10T428/12444
Abstract: 公开了将金属结合到基底的方法。该方法包括在基底表面上形成纳米刷，这里该纳米刷包含在基底表面上方延伸的多个纳米线。将处于熔融态的该金属引入到该基底表面上，并且该金属包围该纳米线。通过冷却，将包围纳米线的金属凝固，并且在该凝固过程中，在该金属和该基底之间形成至少机械互锁。
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公开(公告)号：CN101873992B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200780012343.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 哈佛大学校长及研究员协会
CPC classification number: C01B32/162 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/22 , C01F7/304 , C01P2004/13 , H01L51/0049 , H01L51/057 , Y10S977/70 , Y10S977/742 , Y10S977/745 , Y10S977/748 , Y10S977/75 , Y10S977/755 , Y10S977/842 , Y10S977/847 , Y10S977/878 , Y10S977/89 , Y10S977/891
Abstract: 在使碳纳米管表面官能化的方法中，将纳米管表面暴露于至少一种包含至少一种非共价键结纳米管表面、同时在纳米管表面上提供化学官能团的官能化物质的蒸气中，从而得到官能化的纳米管表面。可将官能化的纳米管表面暴露于至少一种与官能化层反应形成使官能化层稳定化而抵抗从纳米管表面脱附的稳定层、同时在纳米管表面上提供化学官能团的蒸气稳定物质，从而得到稳定的纳米管表面。可将稳定的纳米管表面暴露于至少一种在稳定的纳米管表面上沉积材料层的材料层前体物质。
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