公开(公告)号：CN108461177A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810250732.4

申请日：2018-03-26

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 鲍瑞 ,  赵文敏 ,  方东 ,  易健宏 ,  陈相扬

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/04 ,  H01B1/02 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/168

CPC classification number: H01B5/14 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/30 ,  H01B1/026 ,  H01B1/04

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管负载石墨烯-铜纳米颗粒的复合柔性导电膜的制备方法，属于导电薄膜制备和复合材料制备技术领域。该方法是在预先制备好的碳纳米管导电薄膜的基础上，采用喷雾热解法将铜盐溶液，氧化石墨烯悬浮液雾化、加热分解后在碳纳米管导电薄膜载体上形核、长大生成石墨烯-氧化亚铜，最后还原，得到铜-石墨烯-碳纳米管柔性导电薄膜带。检测结果表明，铜的粒径尺寸在200nm以下，且石墨烯-铜均匀分布和镶嵌于载体上；铜-石墨烯-碳纳米管柔性导电薄膜带的电导率提高了一个数量级，且该柔性导电膜用碳纳米管负载石墨烯-铜的制备方法简单易操作，不需要大型设备，工艺流程较短。

公开(公告)号：CN108314009A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810276885.6

申请日：2018-03-30

Applicant: 深圳烯湾科技有限公司

Inventor： 邓飞

IPC: C01B32/162 ,  C01B32/159 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82Y40/00 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管阵列的表面修饰方法。上述碳纳米管阵列的表面修饰方法，通过将碳纳米管阵列和高分子聚合物置于高能紫外光下进行高能紫外光处理，并设定高能紫外光的照射功率为15mW～35mW，设定高能紫外光为照射波长λ为150nm～350nm的单色窄带光，从而使得高分子聚合物能够接枝到碳纳米管阵列的表面；上述碳纳米管阵列的表面修饰方法，不需要将碳纳米管阵列分散在溶剂中再进行后续处理，不会破坏碳纳米管阵列的阵列结构，有利于再进行纺丝处理，也避免了试用有毒试剂而造成人体和环境的伤害，同时，上述方法只需进行高能紫外光处理20min～50min即可完成碳纳米管阵列的表面修饰，反应时间短，能耗低且效率高。

公开(公告)号：CN105209383B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201480024508.3

申请日：2014-03-03

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  株式会社电装

Inventor： 丸山茂夫 ,  千足升平 ,  崔可航

IPC: C01B32/168 ,  H01L51/46 ,  H01G9/20

CPC classification number: H01G9/2045 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/022 ,  C01B31/0226 ,  C01B31/0233 ,  C01B32/158 ,  C01B32/16 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  H01G9/2022 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0587 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/751 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/846 ,  Y10S977/948

Abstract: 本发明提供一种具有单层碳纳米管的膜及其制造方法，所述单层碳纳米管具有能够充分发挥其特性的形状。本发明提供一种膜，是具有单层碳纳米管的膜，该膜具有单层碳纳米管的密集部分和单层碳纳米管的稀疏部分，通过该密集部分在膜上形成类蜂窝结构。

公开(公告)号：CN107500558A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710830716.8

申请日：2017-09-15

Applicant: 重庆市中光电显示技术有限公司

Inventor： 李宪荣

IPC: C03C17/00 ,  C01B32/16 ,  C01B32/159

CPC classification number: C03C17/009 ,  C01B2202/02 ,  C03C2217/29 ,  C03C2217/76 ,  C03C2218/112

Abstract: 本发明涉及触摸屏技术领域，尤其涉及一种用于触摸屏的防油污抗菌盖板玻璃及其制备方法，防油污抗菌盖板玻璃包括超薄玻璃原片和防油污抗菌薄膜，防油污抗菌涂液中分散有4～9wt％的疏水疏油纳米粒子，3～6wt％的抗菌纳米粒子，2～5wt％的二氧化硅。其中，疏水疏油纳米粒子是在碳纳米管上负载二氧化钛作为内核，包覆疏水疏油改性二氧化硅作为多孔外壳的核壳结构；抗菌纳米粒子是在含银纳米粒子上包覆β-环糊精制得，含银纳米粒子是含有6～12wt％银的载银碳纳米管。本发明的盖板玻璃具有优异的防油污性能，避免油污累积造成触摸屏的显示视觉效果降低，以及造成触摸屏反应迟钝的问题，另外还具有良好的抗菌性能。

公开(公告)号：CN107235482A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201610179110.8

申请日：2016-03-28

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 纪其燕 ,  金赫华 ,  李清文 ,  韩杰 ,  邱松

IPC: C01B32/159 ,  C01B32/174 ,  C01B32/17 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01B2202/02 ,  C01B2202/22 ,  C01P2002/82

Abstract: 本发明公开了一种表面洁净无分散剂的单壁碳纳米管的制备方法，其包括：将单壁碳纳米管及氮杂环芳香族小分子化合物在分散介质中均匀混合形成分散溶液；将所述分散溶液分离形成固相部分和液相部分，所述液相部分包含富集的、结合有所述氮杂环芳香族小分子化合物的半导体型单壁碳纳米管；对结合有所述氮杂环芳香族小分子化合物的半导体型单壁碳纳米管进行光照处理，使氮杂环芳香族小分子化合物降解，获得表面洁净无分散剂的半导体型单壁碳纳米管。本发明提供的制备方法适合规模化制备表面洁净的单壁碳纳米管，其简单有效，成本低。

公开(公告)号：CN107224620A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710419589.2

申请日：2017-06-06

Applicant: 上海交通大学医学院附属新华医院

Inventor： 李毅刚 ,  徐全福 ,  任婧 ,  彭慧胜

IPC: A61L31/08 ,  A61L31/14 ,  A61L31/00 ,  C01B32/162

CPC classification number: A61L31/084 ,  A61L31/005 ,  A61L31/146 ,  A61L2300/108 ,  A61L2300/412 ,  A61L2300/608 ,  A61L2420/08 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/08

Abstract: 本发明提供一种碳纳米管复合薄膜电极和仿生型心肌组织及其培育方法，其中，仿生型心肌组织包括：从上到下依次排列的心肌细胞层，碳纳米管薄膜，以及基底层。本发明的碳纳米管复合薄膜电极和仿生型心肌组织及其培育方法，由于采用了高度取向性的碳纳米管作为心肌细胞培育支架材料，使得心肌细胞在碳纳米管上形成了类似心肌组织的取向性生长。因此本发明所提供的仿生型心肌组织可充分模仿心肌细胞取向性的微观结构。进一步，由于碳纳米管具有良好的导电性，因此能够为细胞间电信号的传递提供有效的联接通路，使得本发明的仿生型心肌组织具有替代传统高分子材料培育的心肌组织，构建具有心脏同步起搏功能的仿生心脏补片的应用潜力。

公开(公告)号：CN106957051A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710142068.7

申请日：2017-03-10

Applicant: 中国科学院物理研究所

Inventor： 杨丰 ,  周维亚 ,  王艳春 ,  解思深

IPC: C01B32/162 ,  C01B32/164 ,  C01B32/159

CPC classification number: C01B2202/02 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/34 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03

Abstract: 本发明提供一种利用稳定气流制备性质均一超长单壁碳纳米管水平阵列、制备方法及反应装置，涉及纳米材料研究领域。制备方法包括如下步骤：在还原气氛中将催化剂前驱体还原为有活性的催化剂后快速降温至非反应温度。将第二衬底与载有有活性的催化剂的第一衬底共同置于具有碳源的稳定的层流气氛中，再快速升温至生长温度反应得到超长单壁碳纳米管水平阵列。反应装置至少包括反应腔体和加热装置，反应腔体能够迅速升温和降温以达到反应所需的温度要求。本发明的方法与装置能保证得到的超长碳纳米管在稳定的层流中准直平行排列，能高效地可控制备无缺陷的性质均一、高准直性、高平行性、高密度的超长单壁碳纳米管水平阵列。

公开(公告)号：CN106629672A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610867547.0

申请日：2016-09-30

Applicant: 潍坊昊晟碳材料有限公司

Inventor： 高岩 ,  徐新生

IPC: C01B32/182 ,  C01B32/162 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B01J21/18 ,  B01J27/24

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B01J21/18 ,  B01J27/24 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  C01B2204/02 ,  C01B2204/04 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管‑石墨烯复合材料及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：(1)通过化学气相沉积法制备石墨烯/模板剂复合物；(2)将所述复合物分散在去离子水中，加入硝酸铁和钼酸铵的混合溶液，搅拌，滴加氨水得到混合溶液，所述硝酸铁与钼酸铵的摩尔比为1:(0.01‑10)，所述氨水的质量百分比浓度为25％‑30％；(3)将所述混合溶液抽滤、烘干，然后在300‑700℃下煅烧，得到用于制备碳纳米管‑石墨烯复合材料的催化剂。该制备方法利用两次化学气相沉积过程，通过改变石墨烯和碳纳米管的生长条件，控制石墨烯和碳纳米管的结构特征和掺氮情况。

公开(公告)号：CN102834418B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201180018569.5

申请日：2011-02-14

Applicant: 南泰若股份有限公司

Inventor： R·森 ,  T·科凯博 ,  谷丰

IPC: C08F2/08

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C01B32/158 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/22 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  G11C13/025 ,  Y10S977/751 ,  Y10S977/752 ,  Y10T428/249921

Abstract: 揭示了一种用于控制纳米管织物层中密度、孔隙率和/或间隙尺寸的方法。在一个方面，这可以通过控制纳米管织物中的成排度来实现。在一个方面，该方法包括调整分散在纳米管施涂溶液中的独立纳米管元件的浓度。高浓度的独立纳米管元件会倾向于促进使用该纳米管施涂溶液形成的纳米管织物层中的成排，而较低浓度会倾向于抑制成排。在另一个方面，该方法包括调整分散在纳米管施涂溶液中的离子颗粒的浓度。低浓度的离子颗粒会倾向于促进使用该纳米管施涂溶液形成的纳米管织物层中的成排，而较高浓度会倾向于抑制成排。在其他方面，对两个浓度参数都进行了调整。

公开(公告)号：CN105836726A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610041198.7

申请日：2016-01-22

Applicant: 波音公司

Inventor： K·D·洪菲尔德

IPC: C01B31/02 ,  C09K11/65 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B32/172 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B32/17 ,  C01B2202/02 ,  G01N21/64 ,  Y10S977/751 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/845 ,  C09K11/65 ,  C01B2202/20

Abstract: 本发明涉及制造和纯化碳纳米管的方法。在一方面，本文描述了制造半导体单壁碳纳米管的方法。在一些实施中，制造半导体单壁碳纳米管的方法包括提供包含(n，m)纳米管晶种和非(n，m)纳米管晶种的多种半导体纳米管晶种。该方法进一步包括利用具有第一波长的第一激光束和具有第二波长的第二激光束照射多种纳米管晶种，第二波长与第一波长不同。第一波长对应于(n，m)碳纳米管的最大吸收，并且第二波长对应于(n，m)碳纳米管的光致发光发射频率。