公开(公告)号：CN102144275A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134077.5

申请日：2009-09-01

Applicant: 陶氏康宁公司

Inventor： J·A·凯西 ,  V·A·莎玛米安

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C16/24 ,  B01F13/0001 ,  B01J2/04 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/339 ,  Y10S977/891

Abstract: 本发明提供了一种用于合成纳米颗粒的低压甚高频脉冲等离子体反应器系统。该系统包括腔室，该腔室用于接纳至少一个基板，并且能够被抽真空至所选压强。该系统还包括用于从至少一种前驱体气体产生等离子体的等离子体源，以及用于以所选频率提供连续或脉冲射频功率至等离子体的甚高频射频功率源。该频率是基于脉冲射频功率和等离子体之间的耦合效率来选择的。VHF放电和气体前驱体的参数是基于纳米颗粒性质来选择的。纳米颗粒平均大小和颗粒大小分布是通过控制辉光放电的驻留时间(脉冲调制等离子体)相对于通过放电区的气体分子驻留时间、以及纳米颗粒前驱体气体(一种或多种)的质量流量来操控的。

公开(公告)号：CN102144275B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN200980134077.5

申请日：2009-09-01

Applicant: 陶氏康宁公司

Inventor： J·A·凯西 ,  V·A·莎玛米安

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C16/24 ,  B01F13/0001 ,  B01J2/04 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/339 ,  Y10S977/891

Abstract: 本发明提供了一种用于合成纳米颗粒的低压甚高频脉冲等离子体反应器系统。该系统包括腔室，该腔室用于接纳至少一个基板，并且能够被抽真空至所选压强。该系统还包括用于从至少一种前驱体气体产生等离子体的等离子体源，以及用于以所选频率提供连续或脉冲射频功率至等离子体的甚高频射频功率源。该频率是基于脉冲射频功率和等离子体之间的耦合效率来选择的。VHF放电和气体前驱体的参数是基于纳米颗粒性质来选择的。纳米颗粒平均大小和颗粒大小分布是通过控制辉光放电的驻留时间(脉冲调制等离子体)相对于通过放电区的气体分子驻留时间、以及纳米颗粒前驱体气体(一种或多种)的质量流量来操控的。