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公开(公告)号：CN1315588A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN01102312.0
申请日：2001-01-31
Applicant: 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
CPC classification number: C23C16/45565 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C16/0236 , C23C16/0281 , C23C16/26 , C23C16/4557 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供了热化学汽相沉积设备和使用该设备合成碳纳米管的方法。所述设备包括顺序接收和传送多个基片的传送带,用于驱动传送带的旋转装置,用于顺序将基片装载到上述传送带上的装载装置,用于将传送带传送的基片卸载的卸载装置,该卸载装置与上述装载装置相对,用于供应反应气体的反应气体供应装置,该反应气体用于在被传送的基片上合成碳纳米管,用于加热装载基片的加热装置,以及用于排出反应产物气体的排气装置。
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公开(公告)号：CN1302079A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：CN00130370.8
申请日：2000-11-02
Applicant: 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及一种场致发射显示装置,其包括:在下部基材上形成的作为阴极使用的第一金属膜;垂直排列在第一金属膜上作为发射头使用的碳纳米管;安装于第一金属膜上的第一隔离片;作为栅电极的网状第二金属膜;在第一隔离片上形成的第二隔离片;以及安装有透明电极和荧光涂层的上部基材,该上部基材形成于第二隔离片上。还涉及该装置的制造方法。该FED装置结构简单,使生产效率得以提高并可大尺寸制造,而且在低的操作电压下可以获得大的发射电流。
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公开(公告)号：CN1292354A
公开(公告)日：2001-04-25
申请号：CN00129911.5
申请日：2000-10-11
Applicant: 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/17 , C01B32/178 , C01B2202/08 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 提供一种使用物理能的碳纳米管开尖端和净化碳纳米管的方法。在该开尖端和净化的方法中,使原生碳纳米管在衬底上垂直取向。接着,在预定高度沿平行于衬底主表面的方向对垂直取向的原生碳纳米管施加物理能,以切断原生碳纳米管和去除粘附于原生碳纳米管的尖端和外壁的不需要的材料。
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公开(公告)号：CN1277148A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN00109212.X
申请日：2000-06-14
Applicant: 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
IPC: C01B31/02
Abstract: 利用酸性气体的热解气相净化碳纳米管的方法。该碳纳米管的净化方法包括:在具有适于热处理的炉管的扩散炉中,利用热分解的酸性气体净化碳纳米管。酸性气体包括盐酸气或硝酸气,并可以与例如氢等稀释气体一起向炉管内供应。
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公开(公告)号：CN1277145A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN00107805.4
申请日：2000-06-12
Applicant: 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01B2202/30 , D01F9/127 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/833 , Y10S977/843 , Y10S977/891
Abstract: 一种利用热化学汽相淀积(CVD)在大尺寸基片上合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法。该合成方法中,通过腐蚀在基片上形成隔离的纳米级催化金属颗粒,并通过利用碳源气的热CVD,由催化金属颗粒生长垂直排列的净化碳纳米管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1345694A
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN01115547.7
申请日：2001-04-27
Applicant: 株式会社日进纳米技术 , 浦项工科大学校
IPC: C01B31/02 , B01J23/74 , B01J27/043 , B01J27/22 , B01J37/00
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J23/745 , B01J23/75 , B82Y40/00 , C01B32/162 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/951
Abstract: 本发明涉及一种合成碳纳米管的方法及其所使用的设备。本发明的方法包括如下步骤:将催化剂引入到反应器中,在催化剂上通入含有碳源气体的反应气体,选择性地局部加热反应器中的催化剂以及从加热的催化剂上生长碳纳米管。本发明方法的优点之一是负载催化剂的基体或基板的材料不受耐热材料的限制。
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公开(公告)号：CN1282801A
公开(公告)日：2001-02-07
申请号：CN00121138.2
申请日：2000-07-27
Applicant: 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C16/0236 , C23C16/0281 , C23C16/26 , C23C16/4583
Abstract: 提供了一种化学汽相淀积设备和利用该设备合成碳纳米管的方法。该化学汽相淀积设备在一片或多片基片上合成碳纳米管,并且包括包含多个垂向轴的载物舟,沿着每一根轴设置用于支撑基片的支撑突出物,基片水平向平行地安装在支撑突出物上。而且,该化学汽相淀积设备包括具有在其一端的用于供应反应气的通道,以及在其另一端的用于排放反应气的通道的反应炉,其成型为长方体的内部设置载物舟,以及设置在反应炉外部的加热单元。采用这种化学汽相淀积设备可以大量合成碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1189390C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN00107805.4
申请日：2000-06-12
Applicant: 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01B2202/30 , D01F9/127 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/833 , Y10S977/843 , Y10S977/891
Abstract: 一种利用热化学汽相淀积(CVD)在大尺寸基片上合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法。该合成方法中，通过腐蚀在基片上形成隔离的纳米级催化金属颗粒，并通过利用碳源气的热CVD，由催化金属颗粒生长垂直排列的净化碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1297218A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00130372.4
申请日：2000-11-02
Applicant: 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及一种场致发射显示装置,其包括:在下部基材上形成的作为阴极使用的金属膜;垂直排列在金属膜上作为发射头使用的碳纳米管;安装于金属膜上的隔离片;以及安装有透明电极和荧光涂层的上部基材,该上部基材形成于片上。还涉及该装置的制造方法。根据本发明的FED装置结构简单,使生产效率得以提高并可大尺寸制造,而且在低的操作电压下可以获得大的发射电流。
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公开(公告)号：CN1280382A
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：CN00107813.5
申请日：2000-06-16
Applicant: 李铁真 , 赵荣相 , 株式会社日进纳米技术
CPC classification number: H01J9/245 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J63/06 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供了一种使用碳纳米管的白光源及其制造方法。该白光源包括:用作阴极并形成在下部基片上的金属薄膜;在该金属薄膜上形成的导电聚合物薄膜图案;与导电聚合物薄膜图案基本上垂直地固结从而其一端露出导电聚合物薄膜图案表面的碳纳米管,该碳纳米管用来发射电子;安装在金属薄膜上的定距件;具有连接荧光体的透明电极的透明上层基片,安装在定距件上,以便荧光体正对碳纳米管。
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