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公开(公告)号:CN113226985A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN201980086046.0
申请日:2019-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
IPC: C01B32/158 , B01J31/22 , B82Y30/00 , C01B32/164 , H01B1/04
Abstract: 一种碳纳米管集合线,具备多个碳纳米管,所述碳纳米管以0.9以上1以下的定向度定向。
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公开(公告)号:CN109328177A
公开(公告)日:2019-02-12
申请号:CN201780035892.0
申请日:2017-03-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明一个方面的制造碳纳米结构体的方法是如下所述的方法:在将可分离体以远离基体的方式相对地移动的同时在所述基体与所述可分离体之间制造碳纳米结构体,所述基体包含作为主要成分的可渗碳金属,所述可分离体以线状或带状与所述基体接合或接触并且包含作为主要成分的可渗碳金属。所述方法包括:渗碳气体供给步骤;氧化气体供给步骤;加热步骤,其中对所述基体的所述基体与所述可分离体相互接合或接触的部分进行加热;以及分离步骤,其中将所述可分离体以远离所述基体的方式相对地移动。
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公开(公告)号:CN105073252B
公开(公告)日:2018-07-24
申请号:CN201480009989.0
申请日:2014-02-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B01J23/42 , C01B32/15 , C01B32/16 , C01B32/205
CPC classification number: B01J23/755 , B01J21/185 , B01J23/20 , B01J23/24 , B01J23/34 , B01J23/48 , B01J23/56 , B01J23/74 , B01J35/0033 , B01J37/0238 , B01J37/349 , C01B32/05 , C01B32/15
Abstract: 本发明中提供了一种具有基体部件(5)和碳纳米结构体(10)的多孔部件。基体部件(5)包括孔隙率为80%或更高的多孔体。碳纳米结构体(10)形成在基体部件(5)的表面上,且具有100nm或更小的宽度。还提供一种催化剂部件,其具有位于碳纳米结构体的表面上的催化剂。
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公开(公告)号:CN103387218A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201310165948.8
申请日:2013-05-08
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
CPC classification number: C01B31/0226 , B01J4/008 , B01J15/005 , B01J19/1887 , B01J2219/00058 , B01J2219/00135 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , Y10T428/19
Abstract: 本发明提供一种用于制造弯曲等的发生得以减少的碳纳米结构体的方法。本发明的制造碳纳米结构体的方法包括以下步骤:制备基体,其由包括催化剂的催化剂部件和分离部件形成,催化剂部件和分离部件彼此接触或彼此成为一体(制备步骤(S10));将基体中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分氧化(氧化步骤(S20));使含碳原料气体与催化剂部件和/或分离部件接触(CNT生长步骤(S30));以及使碳纳米结构体生长(CNT生长步骤(S30))。在CNT生长步骤(S30)中,通过加热基体同时将分离部件与催化剂部件分开,使碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件之间的分离界面区域中生长。
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公开(公告)号:CN1946635B
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN200580012691.6
申请日:2005-01-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor: 日方威
CPC classification number: C30B29/02 , B01J23/8906 , B01J23/8913 , B01J23/8993 , B01J35/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C30B25/02 , Y10S977/742
Abstract: 制备碳纳米结构体的方法,使得可以高纯度和以稳定方式提供将要制备的具有更均匀形状的碳纳米结构体。具体公开了制备碳纳米结构体的方法,其中通过气相沉积在包含催化材料(12)的催化基体(14)的晶体生长表面(17)生长碳晶体,特别公开了使包含原料气体的两种或多种气体同时接触催化基体(14)的方法。所述两种或多种气体优选可以是一种或多种原料气体以及一种或多种载气。优选所述载体接触晶体生长表面(17)且所述原料气体接触除接触载体的晶体生长表面(17)以外的至少一部分区域。所述原料气体可以优选包含离子,特别是碳离子。
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公开(公告)号:CN113490638B
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202080015114.7
申请日:2020-02-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
IPC: C01B32/16 , B01J23/745 , B01J31/22 , B82Y40/00 , C01B32/168
Abstract: 一种碳纳米管的制造方法,包括:产生含有催化剂粒子和液体状碳源的雾气的雾气产生工序;以及通过加热所述雾气,从而使碳纳米管从所述催化剂粒子开始生长的生长工序。
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公开(公告)号:CN116888068A
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202280015527.4
申请日:2022-02-24
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
IPC: C01B32/164
Abstract: 本公开的碳纳米管集合线的制造方法包括:第1工序,在管状的碳纳米管合成炉内,向浮游状态的多个催化剂粒子供给含碳气体,由此使碳纳米管从所述多个催化剂粒子分别生长而得到多个碳纳米管;以及第2工序,使所述多个碳纳米管集合而得到多个碳纳米管集合线,所述第2工序包括:第2A工序,使由所述多个碳纳米管的一部分构成的第1碳纳米管组在第1流路内沿着所述碳纳米管的长尺寸方向取向并集合,从而得到第1碳纳米管集合线;以及第2B工序,使由与构成所述第1碳纳米管组的多个碳纳米管不同的所述多个碳纳米管的一部分构成的第2碳纳米管组在第2流路内沿着所述碳纳米管的长尺寸方向取向并集合,从而得到第2碳纳米管集合线。
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公开(公告)号:CN113490638A
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202080015114.7
申请日:2020-02-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
IPC: C01B32/16 , B01J23/745 , B01J31/22 , B82Y40/00 , C01B32/168
Abstract: 一种碳纳米管的制造方法,包括:产生含有催化剂粒子和液体状碳源的雾气的雾气产生工序;以及通过加热所述雾气,从而使碳纳米管从所述催化剂粒子开始生长的生长工序。
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公开(公告)号:CN103003196B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201280002033.9
申请日:2012-02-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C01B31/0206 , B01J4/001 , B01J19/087 , B01J23/745 , B01J35/0033 , B01J35/06 , B01J37/34 , B01J37/348 , B01J2208/00415 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/162 , Y10S977/891
Abstract: 可以获得用于制造碳纳米结构的装置和用于制造碳纳米结构的方法,该装置和方法能够实现增加碳纳米结构的长度和稳定碳纳米结构的形状。用于碳纳米结构的制造装置(1)包括:在其上生长碳纳米结构(20)的催化剂部件(4)、源气体供给单元(11)和源气体供给管(5)、线圈(7、8)以及加热器(6)。源气体供给单元(11)和源气体供给管(5)向催化剂部件(4)供给用于形成碳纳米结构(20)的碳。线圈(7、8)施加梯度磁场(例如,由磁通线(9、10)指示的会切磁场),梯度磁场的磁场强度从催化剂部件(4)的一个表面向与该一个表面相反的另一表面逐渐增加。加热器(6)加热催化剂部件(4)。
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公开(公告)号:CN105073635A
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201480010925.2
申请日:2014-01-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/02 , B01J23/745
CPC classification number: C01B31/0233 , B01J23/74 , B01J23/745 , B01J35/0013 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/162 , C23C16/04 , C23C16/26 , C23C16/46
Abstract: 用于制造碳纳米结构体的方法包括用于制备基体的制备步骤(S10)和氧化步骤(S20)以及用于使碳纳米颗粒生长的步骤(S30)。在制备基体的步骤中,制备了这样的基体,其中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分被氧化。在步骤(S30)中,碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件的分离界面区域中生长。步骤(S30)包括以下步骤的至少一个:向催化剂部件中面向所述分离界面的区域的部分局部地供给原料气体的步骤,其中所述碳纳米结构体在所述分离界面区域生长;以及局部地加热所述分离界面区域的步骤。该方法使得能够提供一种抑制弯曲等情况的发生的长碳纳米结构体和用于制造该碳纳米结构体的方法,以及在制造该纳米结构体的方法中使用的制造装置。
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