公开(公告)号：CN100487911C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN01811029.0

申请日：2001-05-10

Applicant: 自由度半导体公司

Inventor： 素查里塔·马德胡卡 ,  比奇·云·恩古云

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L29/66545 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/891

Abstract: 公开了一种用于在一个半导体基片(102)中形成第一导电类型的第一晶体管(130)和第二导电类型的第二晶体管(132)的工艺。该基片(102)具有第一导电类型的第一孔道(106)和第二导电类型的第二孔道(104)。一个栅极电介质(108)形成于各孔道上。一层第一金属层(110)然后形成于栅极电介质(108)上。第一金属层(110)中位于第二孔道上的部分然后被去除。然后在各孔道上形成一层不同于所述第一金属的第二金属层(114)并且在第二金属(114)上形成一个栅极掩膜。各金属层(110、114)然后被形成图形以便将第一栅极遗留于第一孔道(106)上及第二栅极遗留于第二孔道(104)上。源极/漏极(138、142)然后被形成于第一(106)和第二(104)孔道上以便形成第一(130)和第二(132)晶体管。