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公开(公告)号：CN112928084B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110130586.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括硅基衬底板；硅基衬底板的顶端和底端设置钝化层，钝化层，的表面设置RDL布线层；硅基衬底板设有TSV孔，TSV孔内填充有多晶硅材料形成TSV区；TSV区内沿其高度方向间隔填充有多层聚酰亚胺层；靠近硅基衬底板顶端的所述RDL布线层上设有多条金属互连线，靠近硅基衬底板底端的RDL布线层设有与所述插塞连接的微凸点。基于聚酰亚胺层良好的机械延展性和拉伸强度，提高聚酰亚胺层以及聚酰亚胺层与沉积的多晶硅材料之间的粘合，有效解决了现有TSV区易存在气泡空洞等问题，并且基于聚酰亚胺的高温和化学稳定性，起到了将多晶硅材料和各种外界环境隔离的作用。
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公开(公告)号：CN114944187A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210697568.8
申请日：2022-06-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种面向TSV重构堆叠存储器的老化测试系统，包括测试夹具、PCB板和驱动电路；测试夹具固定在PCB板上，测试夹具用于夹持被测器件，被测器件与PCB板进行电连接，所述被测器件的顶部设置有加热装置；被测器件的底部设置有测温传感器，测温传感器与PCB板进行电连接；所述驱动电路设置在PCB板上，被测器件的电路与驱动电路进行电连接。测试夹具底部的PCB板中心开设有通孔，所述PCB板的底部固定有加强板，所述加强板的中心设置有凹槽，凹槽内部设置有弹簧，弹簧的顶部设置有测温传感器。以解决信号长线传输延迟问题，提升工作频率，提升老化效率、控制老化成本。
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公开(公告)号：CN114936500A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210689871.3
申请日：2022-06-17
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06T17/20 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F113/18 , G06F113/26
Abstract: 本发明公开了一种三维集成封装内微焊点层的等效力学参数确定方法及系统，属于微焊点层的等效力学分析领域，本发明是围绕三维集成封装中微焊点层，利用微分思想将其进行切分，结合复合材料力学方法，得出微焊点层均匀化模型等效参数的理论计算方法，具有更高的准确性与稳定性。基于该等效计算方法，仅需要代入焊点和填充胶的基本材料参数与微焊点的直径和高度便可求解出微焊点层在Z向和XY向的等效弹性模量、剪切模量、泊松比及热膨胀系数，该理论计算方法简洁高效，极大地降低了微系统的复杂度，大大地提高了仿真的效率。同时该方法基于微焊点的截冠球实际形貌，也大大提高了微系统等效建模准确性。
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公开(公告)号：CN114497018A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210080956.1
申请日：2022-01-24
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开一种多腔体图像采集处理微系统模块及制作方法，包括：第一腔体由散热盖板与管壳封闭而成；第二腔体由密封组件、管壳与可伐盖板封闭而成；第三腔体由管壳、密封组件、玻璃盖板与可伐盖板封闭而成；密封组件位于管壳上；散热盖板位于管壳一侧；壳体组件位于第一腔体内管壳一侧；可编程逻辑单元、高性能处理器和数据缓存单元固定在壳体组件和散热盖板之间；信号处理单元和存储单元位于第二腔体内管壳一侧，图像传感器固定可伐盖板上，玻璃盖板与可伐盖板由密封组件固定在管壳上。本发明采用三维立体集成技术提高芯片集成密度，缩短芯片线路距离，提高芯片电气性能稳定性，采用多腔体分布技术实现大功率芯片散热，提升微系统模块可靠性。
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公开(公告)号：CN114005803A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111277438.0
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种微系统的一体化集成嵌入式微通道散热系统及方法，包括封装基板，所述封装基板上连接有封装壳体，所述封装壳体的内腔中设有芯片和硅转接板，所述硅转接板的引脚和封装基板电路互联，所述硅转接板和芯片之间连接有若干个微凸点，相邻微凸点之间以及微凸点和封装壳体的内壁之间均不接触，微凸点和封装壳体内壁之间的间隔形成嵌入式微通道，所述嵌入式微通道的一侧接有供液管，所述嵌入式微通道的另一侧接有回液管，所述供液管用于输出冷却工质，所述回液管用于接收换热后的冷却工质。本发明的整个液冷散热系统在保证高效散热的同时，实现了散热系统轻量化和小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113726660A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110997343.X
申请日：2021-08-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04L12/743 , G06F16/903 , G06F16/901
Abstract: 本发明公开了一种基于完美哈希算法的路由查找器和方法，包括输入模块、完美哈希函数模块和PN查找表模块；所述输入模块用于输入IP地址，所述输入模块的输出端连接完美哈希函数模块的输入端，所述完美哈希函数模块的输出端连接PN查找表模块输入端。将输入的IP地址进行完美哈希运算，得到一个对应的哈希值，将哈希值作为PN查找表的索引，访问PN查找表对应位置上的元素，并输出该元素，完成路由器查找。能够解决现有路由查找的资源高消耗、高功耗问题，同时保证较低延迟以及较低的键值更新延迟。
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公开(公告)号：CN113419124A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110651069.0
申请日：2021-06-10
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种星载微系统模块的静态总剂量试验方法和系统，属于微系统模块抗总剂量能力试验验证技术领域。根据微系统模块的管脚属性，确定最劣的偏置条件，进而达到最佳的试验效果。微系统模块无需运行功能程序，仅为对外引出的电源管脚施加拉偏电压激励、信号管脚施加上下拉激励。微系统模块无需软件操作，总剂量试验板无需晶振、接口器件等有源器件，仅需电阻电容，硬件设计简单，经济成本较低。具有一定的工程应用价值，可以评估空间航天器中备份机加电待机状态的抗总剂量能力。同时，辐照试验装置中的微系统模块供电电压可根据不同需求进行调整，具有一定的通用性。
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公开(公告)号：CN111696880B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010544608.6
申请日：2020-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，包括步骤1，确定硅晶圆标准基板中放置的该尺寸被测的裸芯片数量；步骤2，在硅晶圆标准基板上开设凹槽，以及制备底部有导电材料填充的TSV盲孔，凹槽中能放入被测的裸芯片且凹槽的深度大于被测的裸芯片厚度；步骤3，将被测的裸芯片放置在硅晶圆标准基板的凹槽内，然后用有机胶水涂覆，之后得到表面平整的硅晶圆标准基板；步骤4，先对表面平整的硅晶圆标准基板进行正面多层金属布线，之后通过将硅晶圆标准基板背面减薄露出TSV盲孔的底部导电材料，并进行背面多层金属布线和制备凸点，最后将得到的硅晶圆标准基板按照其中埋置的被测裸芯片尺寸划片后通过KGD测试进行筛选。
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公开(公告)号：CN113157501A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110218253.6
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G06F11/22 , G06F11/263 , G06F11/273 , G06F1/24
Abstract: 本发明公开了一种基于ATE测试机的微系统模块AC参数测试方法，利用测试转接板将待测微系统模块与ATE测试机连接，ATE测试机根据上电顺序控制程序和复位触发程序对待测微系统模块进行上电和复位，并将程序存储器中的功能测试程序加载到待测微系统模块内处理器对应的数据存储器中，并利用测试接口输入激励程序给待测微系统模块提供激励，待测微系统模块内处理器根据激励执行相应的功能测试程序，并将执行结果发送给测试接口输出结果监测程序，测试结果判定程序根据测试接口输出结果监测程序的监测结果判定微系统模块AC参数是否满足要求。本发明能够实现微系统模块AC参数的快速精准测试，提高了微系统模块AC参数测试和筛选效率。
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公开(公告)号：CN111696880A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010544608.6
申请日：2020-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明一种基于TSV硅晶圆重构的裸芯片KGD筛选方法，包括步骤1，确定硅晶圆标准基板中放置的该尺寸被测的裸芯片数量；步骤2，在硅晶圆标准基板上开设凹槽，以及制备底部有导电材料填充的TSV盲孔，凹槽中能放入被测的裸芯片且凹槽的深度大于被测的裸芯片厚度；步骤3，将被测的裸芯片放置在硅晶圆标准基板的凹槽内，然后用有机胶水涂覆，之后得到表面平整的硅晶圆标准基板；步骤4，先对表面平整的硅晶圆标准基板进行正面多层金属布线，之后通过将硅晶圆标准基板背面减薄露出TSV盲孔的底部导电材料，并进行背面多层金属布线和制备凸点，最后将得到的硅晶圆标准基板按照其中埋置的被测裸芯片尺寸划片后通过KGD测试进行筛选。
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