公开(公告)号：CN113380755B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202110656481.1

申请日：2021-06-11

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 张现顺 ,  郑旭升 ,  赵国良 ,  刘宗溪 ,  周明 ,  汤淑莉 ,  袁海 ,  庞宝忠 ,  杨宇军 ,  郝沄

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/49 ,  H01L23/492 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种多层芯片叠层组件封装结构及其制备工艺，属于多层芯片封装技术领域。所述多层芯片叠层组件封装结构包括置于管壳内的多芯片堆叠组件单元和薄膜基板转接板，薄膜基板转接板设于相邻的多芯片堆叠组件单元之间；其中，管壳的底面上设有管壳金导带，薄膜基板转接板上设有转接板金导带；设于薄膜基板转接板上方的多芯片堆叠组件单元通过键合丝与转接板金导带连接，转接板金导带上引出键合丝与管壳金导带连接；底层的多芯片堆叠组件单元上引出键合丝与管壳金导带连接。所述制备工艺采用正向键合工艺和反向键合工艺配合，避免了现有键合工艺限制芯片叠层层数的缺陷，减少了多层芯片叠层组件中键合区的长度要求，达到密封性封装要求。

公开(公告)号：CN111276391A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010105220.6

申请日：2020-02-20

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 薛亚慧 ,  杨宇军 ,  袁海 ,  米星宇 ,  张健 ,  赵国良 ,  刘辉 ,  吴鑫

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种TSV硅基板倒扣焊组件的清洗方法，属于电子元器件无损清洗领域。本发明的清洗方法，利用碳氢清洗剂在真空状态下的物理变化，改变了碳氢清洗剂和被清洗工件的接触特性，使碳氢清洗剂的优势得到发挥，利用抽真空的清洗方法，能够排出组件表面和空隙中的空气，使碳氢清洗剂完全浸入组件各个部位，提高清洗效果；另一方面，降低碳氢清洗剂的沸点，使碳氢清洗剂在加热至70℃以上，就可沸腾，实现汽相清洗；利用真空下碳氢清洗剂的突沸效应，使组件表面及内部的溶剂迅速挥发，提高干燥速度。本发明的清洗方法为无损清洗，清洗后TSV硅基板倒扣焊组件中的助焊剂残留量小，清洗效果好。

公开(公告)号：CN111739868B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202010614042.X

申请日：2020-06-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 肖刚 ,  郝沄 ,  杨宇军 ,  袁海 ,  陈宁 ,  任英哲

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种高热导率的LTCC基板及其制作方法，该基板在IC芯片的下方设置了密封盖板，密封盖板的下部设置有柱状群体，整个密封盖板为高热导率材料，使得芯片的热量通过密封盖板传递至通道中的冷却液中，该结构实现了热源热量快速、有效的传递到流体的传热路径，还实现了基板流体通道与外部流体的循环互联，极大地提高了LTCC基板的散热性能，为大功率SiP电路、射频微波模块电路提供一种主动散热的方法，具有重要的社会效益和经济价值。

公开(公告)号：CN109860131A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910222099.2

申请日：2019-03-22

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李昕 ,  郭清军 ,  杨宇军

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明公开了一种具有内散热装置的系统级封装结构，通过在芯片上设置热沉，热沉和盖板连接，并采用同一种材料，使得芯片从原来通过基板外壳的向下散热通道，又增加了热沉直接到盖板的散热通道。采取这样的封装结构，使SiP模块内局部热源具有上下两个方向的散热通道，可以有效的将芯片热源上的热量导出，降低热阻，改善散热条件。

公开(公告)号：CN114936500A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210689871.3

申请日：2022-06-17

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李逵 ,  张志祥 ,  杨宇军 ,  匡乃亮

IPC: G06F30/23 ,  G06T17/20 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08 ,  G06F113/18 ,  G06F113/26

Abstract: 本发明公开了一种三维集成封装内微焊点层的等效力学参数确定方法及系统，属于微焊点层的等效力学分析领域，本发明是围绕三维集成封装中微焊点层，利用微分思想将其进行切分，结合复合材料力学方法，得出微焊点层均匀化模型等效参数的理论计算方法，具有更高的准确性与稳定性。基于该等效计算方法，仅需要代入焊点和填充胶的基本材料参数与微焊点的直径和高度便可求解出微焊点层在Z向和XY向的等效弹性模量、剪切模量、泊松比及热膨胀系数，该理论计算方法简洁高效，极大地降低了微系统的复杂度，大大地提高了仿真的效率。同时该方法基于微焊点的截冠球实际形貌，也大大提高了微系统等效建模准确性。

公开(公告)号：CN113987999A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111277577.3

申请日：2021-10-29

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王艳玲 ,  袁金焕 ,  杨巧 ,  杨宇军

IPC: G06F30/398

Abstract: 本发明公开了基于CPS协同仿真的微系统PDN去耦网络优化方法，包括如下过程：建立芯片VCC的ECPM模型；提取TSV硅基板PDN的S参数模型、管壳PDN的S参数模型和PCB板PDN的S参数模型；根据所述芯片VCC的ECPM模型、TSV硅基板PDN的S参数模型、管壳PDN的S参数模型和PCB板PDN的S参数模型搭建PDN全路径分析电路；在所述PDN全路径分析电路中添加参数化电容模型；在添加了参数化电容模型的PDN全路径分析电路进行时域分析和电容优化，获得微系统PDN去耦网络的最终设计方案。本发明能够实现微系统PDN去耦网络的性能，保障PDN噪声的最小化。

公开(公告)号：CN111739868A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010614042.X

申请日：2020-06-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 肖刚 ,  郝沄 ,  杨宇军 ,  袁海 ,  陈宁 ,  任英哲

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种高热导率的LTCC基板及其制作方法，该基板在IC芯片的下方设置了密封盖板，密封盖板的下部设置有柱状群体，整个密封盖板为高热导率材料，使得芯片的热量通过密封盖板传递至通道中的冷却液中，该结构实现了热源热量快速、有效的传递到流体的传热路径，还实现了基板流体通道与外部流体的循环互联，极大地提高了LTCC基板的散热性能，为大功率SiP电路、射频微波模块电路提供一种主动散热的方法，具有重要的社会效益和经济价值。

公开(公告)号：CN111293046A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010105222.5

申请日：2020-02-20

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 薛亚慧 ,  杨宇军 ,  郑毅 ,  皇甫蓬勃 ,  米星宇 ,  李宝霞 ,  李梦琳 ,  刘金梅

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种芯片与TSV硅基板的倒扣焊接方法，属于电子封装领域。本发明的芯片与TSV硅基板的倒扣焊接方法，在TSV基板上制备焊料凸台，通过熔化焊料凸台实现与芯片焊料凸点的倒扣焊，在TSV硅基板正面制备的焊料凸台在加热熔化后，与芯片焊料凸点形成金属化合金，两者之间的结合力大；本发明的焊接方法，解决了焊接时焊接温度高于TSV硅基板上PI层的耐受温度造成的材料变质的问题。

公开(公告)号：CN117436381A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310166720.4

申请日：2023-02-24

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王艳玲 ,  杨宇军 ,  杨巧 ,  匡乃亮

IPC: G06F30/3323

Abstract: 本发明提供TSV阵列电路模型及参数灵敏度分析的方法、系统、设备及介质，包括以下步骤：获取包含信号TSV、接地TSV的物理模型及工艺参数，搭建阵列模型；根据阵列模型，工艺参数及高频传输条件下平行双圆杆耦合模型，搭建物理模型所对应的RLGC模型，并计算RLGC模型中电路参数的计算公式；针对不同尺寸情况，从S参数角度出发，评估所构建等效RLGC电路模型的准确性，在不准确的情况下对所构建等效RLGC模型中电路参数的计算公式进行修正，直至得到准确的等效RLGC电路模型；针对不同物理参数对传输特性的影响进行分析，并通过S参数比较不同物理参数的灵敏度；本申请RLGC电路的搭建可以有效解决电磁仿真软件效率低的问题，能够在保证准确度的情况下快速建模。

公开(公告)号：CN114492046A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210103276.7

申请日：2022-01-27

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李逵 ,  张志祥 ,  杨宇军 ,  匡乃亮 ,  郭雁蓉

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明涉及微系统封装结构中微焊点层的热分析领域，尤其涉及一种微焊点层的等效热参数计算方法，包括以下步骤：S1，选取基本单元；S2，从基本单元中抽取微小层结构作为分析计算对象，并分别计算微小层结构的整体热阻；S3，将微小层结构的整体热阻结合傅里叶定律和几何尺寸关系，计算推到微小层结构的等效导热系数；S4，将S3的结果利用微分方法进行整理和推导，获得微焊点层基本单元的等效导热系数。本发明采取“微分”思想对微焊点层进行等效导热系数的理论解析计算，有效简化了微系统的复杂度，大大降低了仿真计算量，具有极大的工程应用价值，同时基于实际焊球结构的方法也提高了微系统热分析时等效建模的准确性。