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公开(公告)号：CN114497018A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210080956.1
申请日：2022-01-24
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开一种多腔体图像采集处理微系统模块及制作方法，包括：第一腔体由散热盖板与管壳封闭而成；第二腔体由密封组件、管壳与可伐盖板封闭而成；第三腔体由管壳、密封组件、玻璃盖板与可伐盖板封闭而成；密封组件位于管壳上；散热盖板位于管壳一侧；壳体组件位于第一腔体内管壳一侧；可编程逻辑单元、高性能处理器和数据缓存单元固定在壳体组件和散热盖板之间；信号处理单元和存储单元位于第二腔体内管壳一侧，图像传感器固定可伐盖板上，玻璃盖板与可伐盖板由密封组件固定在管壳上。本发明采用三维立体集成技术提高芯片集成密度，缩短芯片线路距离，提高芯片电气性能稳定性，采用多腔体分布技术实现大功率芯片散热，提升微系统模块可靠性。
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公开(公告)号：CN114496958A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210087366.1
申请日：2022-01-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构，多个倒装焊芯片，多个硅基板和管壳，倒装焊芯片设置在硅基板上，硅基板设置在管壳上；倒装焊芯片与硅基板之间设置有凸点；所述倒装焊芯片与硅基板通过凸点连接；硅基板与管壳之间设置有焊球。硅基板与管壳通过焊球连接。硅基板上设置有用于电信号传输的通孔；凸点采用阵列形式排布，相邻两个凸点的球心间距不小于凸点直径的1.6倍。焊球采用阵列形式排布。本发明通过多个芯片倒装焊至一个硅基板上，多个芯片/硅基板组件再焊至一个管壳内。硅基板的上下表面能够实现不同尺寸及间距焊球之间的转接，可避免管壳制造工艺极限对倒装焊芯片凸点数量及尺寸的限制。
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公开(公告)号：CN114420427A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210087357.2
申请日：2022-01-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种通过派瑞林气相沉积提高变压器绝缘耐压的方法，当采用磁罐与骨架结构的变压器时，通过将第一漆包线绕制在骨架上得到绕组，对预处理后的绕组表面进行气相沉积派瑞林制备得到具有派瑞林膜层的绕组，对气相沉积后的具有派瑞林膜层的绕组与磁罐进行组装得到变压器，对完成组装后的变压器进行二次气相沉积派瑞林膜层；当采用磁芯结构的变压器时，通过将预处理后的磁芯表面进行气相沉积派瑞林制备得到具有派瑞林膜层的磁芯，对气相沉积后的具有派瑞林膜层的磁芯进行变压器的绕制，对完成绕制后的变压器进行二次气相沉积派瑞林膜层。有效解决了混合集成电路时变压器初、次级之间击穿及变压器与管壳间放电等导致电路失效的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112366181A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011174060.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明一种若干个多芯片/硅转接板组件的倒装焊叠层组装方法，所述方法包括步骤1，在硅转接板的倒装焊区域涂抹助焊剂，或用若干个倒装焊芯片蘸取助焊剂，将芯片焊球分别与硅转接板焊盘对位后贴片；步骤2，将初步形成的组件真空回流焊接，之后清洗进行倒装焊芯片的底部填充及硅转接板背面的植球，重复得若干个多芯片/硅转接板组件；步骤3，在管壳的倒装焊区域涂抹助焊剂，选取靠近中心位置和高度最高的倒装焊芯片表面作为拾取点，分别将组件与管壳对位后贴片；步骤4，将形成的模块真空回流焊接，清洗再进行硅转接板的底部填充，能够显著提高组装效率，提高倒装焊质量，兼容不同厚度、尺寸的倒装焊芯片组装，具有重要的社会效益和经济价值。
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公开(公告)号：CN119909906A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510111152.7
申请日：2025-01-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: B05D1/00
Abstract: 本发明公开了一种非气密性封装电路用巴利宁涂层制备方法，属于电路封装技术领域，在待封装的管帽中心位置进行打孔，然后完成电路的封装，将电路安装在下端封闭的圆形模具中，并对管壳进行密封处理，保护管壳下引脚不被涂上涂层，将模具放入巴利宁气相沉积设备中的沉积室，进行沉积，通过气相沉积技术在电路内部制备巴利宁涂层，该涂层具有优异的性能，为电路提供了全面的保护，沉积结束后将模具拿出，解除密封处理，剪除电路周边的涂层毛刺，确保产品的最终质量。
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公开(公告)号：CN118382224A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410368796.X
申请日：2024-03-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种TSV基板倒装焊接返修方法，通过热吹将TSV组件与管壳分离，并将TSV组件取下，吹拆除组件的方法可以在不影响电路内部其他器件的同时完成问题组件的返修；分别对管壳焊盘及TSV组件焊盘的焊锡清理干净，汽相清洗不会对TSV组件及电路产生外力损伤，在满足清洁度要求的同时，使用低沸点高密度的环保型清洗溶剂，加热沸腾后产生溶剂蒸汽，在电路表面冷凝、冲淋和溶解电路表面污染；通过对TSV基板的倒装焊接返修，能够显著提高成品率，降低返修成本，具有重要的社会效益和经济价值。
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公开(公告)号：CN112366181B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011174060.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明一种若干个多芯片/硅转接板组件的倒装焊叠层组装方法，所述方法包括步骤1，在硅转接板的倒装焊区域涂抹助焊剂，或用若干个倒装焊芯片蘸取助焊剂，将芯片焊球分别与硅转接板焊盘对位后贴片；步骤2，将初步形成的组件真空回流焊接，之后清洗进行倒装焊芯片的底部填充及硅转接板背面的植球，重复得若干个多芯片/硅转接板组件；步骤3，在管壳的倒装焊区域涂抹助焊剂，选取靠近中心位置和高度最高的倒装焊芯片表面作为拾取点，分别将组件与管壳对位后贴片；步骤4，将形成的模块真空回流焊接，清洗再进行硅转接板的底部填充，能够显著提高组装效率，提高倒装焊质量，兼容不同厚度、尺寸的倒装焊芯片组装，具有重要的社会效益和经济价值。
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公开(公告)号：CN112185916A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011057413.5
申请日：2020-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/10 , H01L21/52
Abstract: 本发明公开了一种倒装焊芯片的双通道气密性封装结构及其工艺，属于电子封装领域。倒装焊芯片安装在管壳上，倒装焊芯片的上方安装有热沉，热沉上方安装有盖板，且本发明在盖板、封焊环及管壳的连接处焊接，构成了密闭腔体，能够解决非气密性封装倒装焊芯片导致器件使用寿命较短的问题。同时采用激光熔封的方式对厚度较大的盖板进行气密性封装，可有效避免盖板在机械或热应力下发生较大形变，从而降低倒装焊芯片受到的应力，防止倒装焊点发生开裂。本发明的气密性封装结构具有上下双面散热通道，与仅经过凸点的单散热通道相比，增加了芯片上方热沉与盖板的双通道进行散热时，整体热阻可降低数倍。
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