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公开(公告)号：CN116666464A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310799049.7
申请日：2023-07-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/108
Abstract: 本发明公开了一种基于双硅层光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器，包括：上方硅薄膜、顶部导电电极、金属光栅、钛薄膜、硅基底、底部导电电极；所述钛薄膜、金属光栅、钛薄膜、上方硅薄膜依次设置于所述硅基底上；所述底部导电电极连接于硅基底下方；所述顶部导电电极与所述金属光栅固定连接；所述钛薄膜作为粘附层连接所述硅基底和所述金属光栅以及所述金属光栅和所述上方硅薄膜；本发明采用金属材料作为吸光层，通过基于双硅层进一步地提高了金的光吸收效率、热电子产生率，提高了热电子转移到硅中的收集效率，通过改变金属光栅宽度可调节探测器的响应波长，进而实现窄带的光电探测。
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公开(公告)号：CN115305498A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202111070565.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/081 , C25B11/087 , C25B11/089 , C25B11/059
Abstract: 本申请公开了一种光电极及制备方法及Pt基合金催化剂及其制备方法。该Pt基纳米合金催化剂的制备方法包括，将光电极放置于至少一个面为透光的包括电解质的电解池内，依据光源发出的激发光从电解池的透光面照射至光电极的表面，沿着激发光入射方向光电极包括依次层叠的活性金属层、钝化层、半导体光吸收层、背导电层及绝缘保护层，基于电化学工作站，且在激发光的照射下，并利用Pt电极、参比电极与光电极匹配，以对光电极的表面进行电化学处理，清洗电化学处理后的光电极，得到Pt基纳米合金催化剂及Pt基纳米合金催化剂修饰的光电极。
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公开(公告)号：CN115132925A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210660787.9
申请日：2022-06-13
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌套光栅结构的双极性自驱动偏振光探测器，属于光电探测领域。所述探测器为嵌套光栅结构，包括二氧化硅/硅衬底、设置于衬底上的金属纳米线光栅阵列，包覆于金属纳米线光栅阵列外的半导体层以及包覆于半导体层外的透明导电层。该探测器可实现正交的TE和TM偏振光照下器件在零偏压下获得等大反向的信号电流，从而有效规避掉背景自然光对信号光的干扰，大幅提升偏振探测器的探测能力。另外，针对该纳米级探测器，在制备过程中，为尽可能避免由于尺寸误差所带来的光学性能及电学性能的变化，本申请在利用磁控溅射法在氧化锡层外制备导电层时，先通过原子层沉积法在钙钛矿层外生长一层氧化锡作为牺牲层。
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公开(公告)号：CN112816443A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110166204.2
申请日：2021-02-04
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/01
Abstract: 本发明属于电子信息领域，涉及一种电信号直接读出的光学传感装置及其制备方法，激发光照射至周期性金属纳米结构阵列层，待测物注入流通池并浸没传感芯片，之后，传感芯片将具有特征反射谷的反射光谱；当待测物的浓度或种类变化时，反射光谱特征反射谷的中心位置将发生变化；进而导致传感装置的光响应度谱的特征峰位发生位移，直接表现为两根引线间的光电流发生变化。通过装置输出光电流的变化，可反演出待测物的浓度或种类。本装置无需外置半导体光电探测单元，即可实现电信号直接读出的工作特性；此外，可工作在自驱动工作模式下，所采用的光源在传感测试过程中无需改变入射角度、功率和波长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110224033B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910521496.X
申请日：2019-06-17
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明属光电转换与新能源领域，为解决现有技术中氧化铁光阳极不能实现完全光解水的技术问题，提出一种内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系及制备方法，包括氧化铁吸收层、p型硅掺杂层、n型硅基底、背导电层、背防水绝缘层；所述的p型硅掺杂层与n型硅基底构成硅pn结；硅pn结的形貌为金字塔阵列结构；p型硅掺杂层与氧化铁吸收层之间设置有透明导电隧穿层。内嵌硅pn结使得硅层吸收入射光时产生较大的光电压，此光电压将与氧化铁吸收层形成串联关系，相当于外加了此大小的电压于氧化铁层，将有效降低氧化铁光阳极的开启电压，提高了氧化铁吸收层的导电率及其光生载流子的收集效率，从而实现了完全光解水。
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公开(公告)号：CN105789042B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201610183558.7
申请日：2016-03-29
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/027 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种硅微米线阵列的制备工艺，所述工艺包括以下步骤：(1)在清洗干净的所述硅片表面旋涂抗氢氟酸刻蚀的光刻胶；(2)利用紫外曝光技术对步骤(1)所得硅片进行曝光处理；(3)对步骤(2)所得硅片进行显影处理；(4)以步骤(3)所得硅片为基底，利用物理沉积方法先后沉积Ti和Au薄膜；(5)将步骤(4)所得硅片将浸入丙酮溶液，轻微晃动1‑3分钟；不完全去除光刻胶，只是将光刻胶体积减小，保证硅基底表面有一部分裸露出来；(6)将步骤(5)所得硅片浸入HF与H2O2混合水溶液中，在3‑15℃的低温环境中密闭处理6‑24小时；(7)将步骤(6)所得硅片进行完全去光刻胶与去金属处理。本发明可以得到大间距、大长径比的硅微米线阵列，解决了现有技术中的问题。
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公开(公告)号：CN109252179A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811092399.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属光电转换与新能源领域；为解决现有技术中不同光吸收层的接触界面存在大量缺陷和能带不匹配的问题而导致载流子严重复合的技术问题，提出一种用于光解水的双吸收层光阳极，所述的双吸收层光阳极为复合层式结构，沿着光入射方向依次包括氧化铁外吸收层、硅微米线阵列内吸收层、硅基底、背导电层、背防水绝缘层；其特征在于：硅微米线阵列内吸收层与氧化铁外吸收层之间设置有钝化层，所述的钝化层各处厚度相等；通过在内外吸收层之间使用原子层沉积技术设置钝化层，可以保证所生长的钝化层保形地沉积在硅微米线表面，且厚度可控制至0.1 nm级别，进而确保中间钝化层的均匀性、钝化效果和载流子随穿效应。
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公开(公告)号：CN104111565B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410265615.7
申请日：2014-06-13
Applicant: 苏州大学
IPC: G02F1/1347 , G02F1/13
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离激元法诺共振的微纳光开关，包括透明衬底，其特征在于透明衬底上依次叠置有金属薄膜层、向列相液晶取向转换层和起偏器，其中：起偏器给予透过光以初始的极化方向；向列相液晶取向转换层，用于接纳上述具有初始极化方向的透过光，并控制经由其透射出去的光的极化方向；金属薄膜层，其上蚀刻有单独的金属孔四聚体单元构型或由该单元经四方排列或六方排列而成的阵列拓扑构型，金属孔四聚体单元构型中的四孔呈D2h群对称，具有正交的短轴和长轴；当通过向列相液晶取向转换层透射下来的光的极化方向与短轴平行时，打开光路，反之则激发表面等离激元法诺共振，关闭光路。本发明不仅具有液晶光开关的所有优势，同时兼具传统液晶光开关不具备的波长选择功能。
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公开(公告)号：CN104157714A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410323443.4
申请日：2014-07-08
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/054 , H01L31/0352 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/52 , H01L31/0352 , H01L31/02168 , H01L31/03921 , H01L31/202
Abstract: 本发明公开了一种非晶/微晶硅叠层太阳能电池，该电池的顶电池采用纳米光栅结构化的非晶硅薄膜层，并且纳米光栅结构间隙内填充有透明绝缘层，而中间反射层为类光子晶体结构化且具有波长选择性反射/透射功能的选择性反射层；类光子晶体结构是指将两种不同折射率的介质按准周期性交替排列而成的光子晶体结构，准周期性是指介质绝大部分层的排列呈周期性，只在靠近整个晶体表面的n层介质的尺寸逐渐减小，n＜N/10，N为类光子晶体结构的总层数。本发明通过将顶电池构筑为纳米光栅结构，使整个电池具有良好的光减反效应，结合中间反射层的波长选择性反射/透射功能，较大幅度地提高了非晶硅层的光吸收，同时保证微晶硅层的光吸收不受影响，以此来提高电池的转换效率。
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