一种基于双硅层光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器

    公开(公告)号:CN116666464A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310799049.7

    申请日:2023-07-03

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于双硅层光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器,包括:上方硅薄膜、顶部导电电极、金属光栅、钛薄膜、硅基底、底部导电电极;所述钛薄膜、金属光栅、钛薄膜、上方硅薄膜依次设置于所述硅基底上;所述底部导电电极连接于硅基底下方;所述顶部导电电极与所述金属光栅固定连接;所述钛薄膜作为粘附层连接所述硅基底和所述金属光栅以及所述金属光栅和所述上方硅薄膜;本发明采用金属材料作为吸光层,通过基于双硅层进一步地提高了金的光吸收效率、热电子产生率,提高了热电子转移到硅中的收集效率,通过改变金属光栅宽度可调节探测器的响应波长,进而实现窄带的光电探测。

Patent Agency Ranking