公开(公告)号：CN103022134A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210518182.2

申请日：2012-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  章文通 ,  许琬 ,  李燕妃 ,  张昕 ,  吴文杰 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构，终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围；器件制作于SOI材料的SOI层上。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低了比导通电阻，并减小了版图面积；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；另外，采用较薄的埋氧层可增加器件纵向电场，同时可有效减缓器件自热效应。

公开(公告)号：CN108388846B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201810112601.X

申请日：2018-02-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张昕 ,  王晓甜 ,  石光明 ,  王英迪 ,  李甫 ,  齐飞 ,  王永杰

IPC: G06K9/00

Abstract: 本发明公开了一种基于典型相关分析的脑电α波检测识别方法，解决了对脑电α波信号快速、高效地检测识别问题，步骤包括：输入脑电信号；脑电信号预处理得到训练与测试数据；选取不同频率集合，构建不同频率对应的参考信号；通过典型相关分析计算训练数据与不同频率参考信号的相关系数，构成相关系数集合；特征频率选择得到特征频率集合；从相关系数集合选取与特征频率集合对应的相关系数构成训练特征集合；使用训练特征集合训练分类器；计算测试数据特征集合；使用分类器进行分类识别，完成脑电α波检测识别。本发明通过特征频率选择，实现脑α波信号的快速检测，检测速度快、准确度高、工作稳定，用于脑电α波信号的脑机接口系统中的信号检测。

公开(公告)号：CN103036550B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201210529443.0

申请日：2012-12-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  许琬 ,  蔡林希 ,  李燕妃 ,  吴浩然 ,  张昕 ,  吴文杰 ,  张有润 ,  张波

IPC: H03K17/78 ,  H03K17/567

Abstract: 一种快速放电的光电继电器，属于电子技术领域。包括输入端光控信号产生电路、光控信号接收及光电转换电路、控制电路和输出电路；输入端光控信号产生电路由一个发光二极管LED（11）构成，光控信号接收及光电转换电路由一个光电二极管阵列PDA构成，控制电路包括一个级联三极管、三个二极管，用于为输出电路的功率MOSFET器件提供充放电通道；输出电路包括一对功率MOSFET器件。本发明提供的快速放电的光电继电器，由于其控制电路采用了两个或多个三级管的级联，级联后的三极管电流放大倍数增大，抽取电荷的速度显著加快，因而比现有的光电继电器具有更快的放电速度，能够适应更高频率的继电场合。

公开(公告)号：CN103928461A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410182369.9

申请日：2014-04-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  齐钊 ,  张昕 ,  文帅 ,  马金荣 ,  曲黎明 ,  张波

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体的说是涉及一种用于芯片ESD保护的抗噪声结构。本发明提出的一种用于芯片ESD保护的抗噪声结构对于提高芯片上电后的抗噪声能力有积极效果。该结构通过对传统LVTSCR结构增加抗噪声网络，不但不影响芯片在不上电时的ESD泄放能力，又能在芯片上电工作以后防止由噪声干扰带来的不良后果。本发明尤其适用于芯片ESD保护。

公开(公告)号：CN103928435A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410175912.2

申请日：2014-04-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  张昕 ,  文帅 ,  齐钊 ,  黄军军 ,  薛腾飞 ,  张波

IPC: H01L23/52

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种高压集成互连电路。本发明的高压集成电路，包括通过高压互连线4连接的LDMOS区和高压电路区，所述LDMOS区包括LDMOS源极1、LDMOS漏极2和P型阱区3；所述LDMOS漏极2、P型阱区3、和高压电路区周围设置有高压结终端18；高压互连线4的一端穿过P型阱区3与LDMOS漏极2连接，其另一端与高压电路区连接；其特征在于，所述高压结终端18在P型阱区3处向高压互连线4的两侧内凹。本发明的有益效果为，能有效节省版图面积、简化工艺复杂度，降低器件成本。本发明尤其适用于自屏蔽高压集成互连电路。

公开(公告)号：CN102411136B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110226585.5

申请日：2011-08-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒲刚 ,  贾可新 ,  程婷 ,  何子述 ,  吴奉微 ,  李亚星 ,  蒋林鸿 ,  张昕 ,  郑攀 ,  邹丁秋

IPC: G01C1/00 ,  G01S3/46

Abstract: 本发明属于通信雷达技术领域，本发明在圆阵中选取一个等边三角阵为粗测阵列，计算三角阵中两条基线的相位差，并根据最大模糊程度穷举可能的实际相位差；然后代入圆阵相位差求解公式构造相位差矢量样本库；通过相关运算求得实际圆阵相位差的模糊程度，进一步得到实际圆阵相位差矢量；最后通过求解方向余弦的最小二乘解反解出入射角度值作为精确DOA估计。应用本发明中的一种新的扩展基线解模糊相位干涉仪二维测向算法，能够获得相比于基于相关法的测向算法更高的测向精度，且所需运算量大大减小，是一种高性能的二维测角算法。

公开(公告)号：CN102945838A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210435056.0

申请日：2012-11-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  张昕 ,  许琬 ,  李燕妃 ,  周锌 ,  吴文杰 ,  张波

IPC: H01L23/522

Abstract: 一种高压互连结构，属于半导体功率器件技术领域。本发明用于具有横向高压功率器件的高压集成电路中，在横向高压功率器件的漏极或阳极与高压电路连接端口之间采用邦定技术中的邦定线进行跨接。本发明提供的高压互连结构，由于使用了邦定线作为器件的高压互连线，增加了互连线与器件表面之间的距离，与传统高压互连技术相比，减小了互连线电位对器件表面电场的影响，大大增强了器件在具有高压互连线时的耐压能力。与现有的各种高压互连的屏蔽技术相比，本发明没有引入降场层或场板等其他结构，从而不会增加工艺复杂性与器件成本。