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公开(公告)号：CN117269642A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311123556.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种用于车规级瞬态抗扰能力测试的信号发生电路，该电路通过二级放电波形叠加原理，实现了车规级浪涌测试标准ISO7637中的波形1。根据《ISO7637》描述，当汽车内电动座椅或座椅的加热系统等感性负载与电源断开时，由于电路中的感性负载需要维持原来的电流，其产生的电压脉冲将对与其并联的电子部件造成干扰。本发明提出的新型发生电路的输出波形正是模拟了此种波形，这为芯片设计，防护器件设计与仿真，脉冲测试电路设计等工作提供了新的源电路。
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公开(公告)号：CN117060894A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311129819.3
申请日：2023-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种电压脉冲信号发生电路。通过对该电路中电源、电容和电阻取值的调整，即可实现对《ISO7637》中脉冲波形的仿真模拟。根据《ISO7637》描述，汽车运行时，各类瞬态事件产生的电磁干扰将通过耦合、传导、辐射等方式来影响汽车电子设备的正常工作；《ISO7637》中定义了几种脉冲波形用于模拟几种典型的瞬态干扰，如模拟线束电感下与电子设备并联的装置突然断开所引起的瞬态现象的脉冲2a；模拟在开关过程中由于线束分布电感和电容影响所引起的瞬态现象的脉冲3a/3b。本发明的输出波形能够很好地符合上述几种标准脉冲波形，这为芯片设计，防护器件设计与仿真，脉冲测试电路设计等工作提供了新的源电路。
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公开(公告)号：CN116825785A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310379853.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种横向功率半导体器件，在传统横向功率半导体器件的栅氧化层处引入沿第二方向依次排列的第一栅极介质层，第二栅极介质层和第三栅极介质，三者的厚度可以调节，沿第二方向的长度可调节；在本发明所述的横向功率半导体器件中集成了第一场效应结构和第二场效应结构，其中，第二场效应结构具有较低的阈值电压，采取栅源短接的连接形式。当器件内部寄生PN结二极管处于正向偏置时，电流主要由第二场效应结构传导，因而器件整体的导通损耗得以降低，反向恢复特性得以改善。当本发明所述器件被应用于一些特定电路，比如同步Buck变换器中时，可以有效的降低续流损耗，改善反向恢复特性，提高变换效率。
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公开(公告)号：CN116598349A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310175863.1
申请日：2023-02-27
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H01L29/739 , H01L21/324 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种具有电热退火功能的可集成横向器件，元胞结构集成在第一导电类型半导体衬底上，包括第二导电类型半导体漂移区、多晶栅极、场氧化层、第二导电类型半导体漏区、第二导电类型半导体体区、第二导电类型半导体源区和第一导电类型半导体接触区，及电热退火装置，电热退火装置为多晶电热退火装置或者金属电热退火装置，当器件在强电场中反复施加应力或受到辐射照射后，Si/SiO2界面产生界面损伤，热退火能修复界面损伤；通过在源极金属和漏极金属上施加电压偏置，场氧化层上方的电热退火装置携带电流产生焦耳热，形成局部升温并进行退火，从而修复应力或辐射造成的界面损伤，从而延长器件的循环耐久性，提高器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116364715A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310297817.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种高维持电压双向SCR结构，包括：N型衬底、第一PWELL区、第二PWELL区、NWELL区、第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第一电极金属线、第一跨接金属线、第二跨接金属线、第二电极金属线；本发明通过跨接金属线引导阳极电流在进入阴极时，并非走内侧表面的路径，而是走外侧体内路径，增加其在导通时的压降，提高器件的维持电压，同时采用完全对称结构设计的SCR，能够满足双向ESD防护的要求，双向电学参数完全一致。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119835975A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411890356.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层、N型阱区、P型体区、第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、栅氧化层、第一氧化层、多晶硅控制栅电极、多晶硅分离嵌入栅电极、单层浮空场板；源极金属覆盖在第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区表面，漏极金属覆盖在第二N型重掺杂区表面。本发明通过在基于STI工艺的隔离氧化层上引入等间距的单层浮空场板，平滑表面电场分布，降低STI拐角以及分离嵌入栅引入的高峰值电场和强碰撞电离率，改善器件热载流子效应，同时浮空场板可以辅助耗尽，使电流路径远离器件表面，减少了器件表面产生的载流子数目，器件可靠性得以提升。
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公开(公告)号：CN119008618A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410359943.7
申请日：2024-03-27
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提出了一种双向静电保护器件，包括P型衬底、N型阱区、第一P型阱区、第二P型阱区、第一SN注入区、第二SN注入区、第一SP注入区、第二SP注入区、第一高注入能量高掺杂浓度P型区、第二高注入能量高掺杂浓度P型区、第一金属连接线、第二金属连接线；本发明通过引入高注入能量高掺杂浓度P型区，嵌入新的电流泄放路径，使器件实现了二次回滞特性，增加了维持电压，提高抗闩锁性能，同时降低钳位电压，提高鲁棒性，此外采用完全对称的双向结构设计，满足双向ESD保护的需求。
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公开(公告)号：CN116127879A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310180326.6
申请日：2023-02-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: G06F30/30 , G06F119/08
Abstract: 本发明属于功率集成电路技术领域，具体地说是涉及一种横向高压器件等效电路模型的建立方法及仿真方法。本发明的电路模型包括：场效应管；漏端电阻，一端与场效应管漏极相连且第二端作高压器件的漏极；源极电阻，一端连接到场效应管的源极且第二端作高压晶体管的源极；体二极管，通过阴极电阻与电感的并联网络与二极管阴极串联，其阳极连接到高压晶体管源极，阴极电阻另一端连接到高压器件漏极。第一电流源，一端连接到高压器件的漏极，另一端连接到高压器件的源极；仿真模型采用电压控制电阻值关系式来修正外接电阻的阻值，相比传统模型，本发明提出的电阻表达式物理意义明显，有效的提高了横向高压器件模型的仿真精度，同时具有更好的收敛性。
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公开(公告)号：CN115050812A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210829425.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子效应的高压LDMOS器件结构，该器件包括P型衬底、埋氧层、栅氧层、槽氧化层、场氧化层、N型外延、P型阱区、P型埋层区、源区P+注入、槽底部P+注入、N型阱区、源区N+注入、漏区N+注入、多晶硅、金属、介质槽。本发明通过在P型阱区下引入新的电极，为单粒子辐射产生的空穴电流提供一条额外的泄漏路径，避免器件内部寄生晶体管的开启。
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公开(公告)号：CN111524962B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202010354969.4
申请日：2020-04-29
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种降低高压互连影响的器件结构及制造方法，包括非高压互连区和高压互连区：非高压互连区包括第二型掺杂杂质衬底、埋氧化层、第一型掺杂杂质外延层、第二型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质接触区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、场氧化层、栅氧化层，高压互连区结构包括第二型掺杂杂质衬底、埋氧化层、第一型掺杂杂质外延层、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质接触区、场氧化层、淀积氧化层；本发明通过在常规的制造工艺中额外增加淀积氧化层和光刻工艺，提高了高压互连线到器件表面的氧化层厚度，且不影响非高压互连区的氧化层厚度。该方法降低了高压互连线(HVI)对器件表面电场的影响，提高了器件的击穿电压。
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