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公开(公告)号：CN103280458B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310183169.0
申请日：2013-05-17
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种集成电路芯片ESD防护用MOS器件，属于电子技术领域。本发明在不增加器件尺寸、无需消耗更多芯片面积的情况下，通过在源区和衬底接触区之间的下方衬底区域增加若干平行于器件横向方向的条状阱区的方式来增加源区和衬底接触区之间的衬底电阻，从而提高器件的抗静电释放能力；另外，还可以通过调整条状阱区、宽度及相互间的距离来调整器件衬底电阻的大小和改善器件的开启均匀性问题，进一步提高器件的二次击穿电流；同时，本发明的制造工艺与标准CMOS工艺兼容。综上所述，本发明提供的集成电路芯片ESD防护用MOS器件因衬底电阻的增大而具有更强的抗静电释放能力，同时没有增加器件尺寸，不会导致器件成产成本的增加。
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公开(公告)号：CN103258814B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310179910.6
申请日：2013-05-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件，属于电子技术领域。本发明在传统集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR结构基础上集成一个低压MOS器件，通过所述低压MOS器件来限制内嵌SCR阳极注入的空穴电流，从而提高维持电压Vhold值，提高了器件在高压应用中的闩锁免疫能力；而且该新型结构相比于普通LDMOS器件而言，由于集成了SCR器件，其抗ESD能力得到增强；同时，本发明与Bipolar CMOS DMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN103915828A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410127313.3
申请日：2014-03-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种用于集成电路的RC触发式ESD保护电路，属于电子技术领域。本发明通过电容和电阻组成的RC串联电路触发开启PMOS管，电流拉升了电位点（109）的电位，从而开启NMOS管并降低电位点（109）的电位，最终形成正反馈以保证触发电路（103）的输出为高电位。本发明只需要5～15ns的RC触发时间，相对于传统触发电路的200ns的RC触发时间，电容和电阻值降低为原来的十分之一左右，也即触发电路的版图面积减小为原来的十分之一左右。另外，还可以通过调节PMOS管（107）的宽长比以及第二电阻（205）的大小来调节电位点（110）的输出电压，从而调节ESD钳位器件（104）的ESD电流的泄放能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103633087A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310703447.0
申请日：2013-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件。本发明的LIGBT器件，通过隔离区13将N型外延层3隔离为两个部分，隔离区13一侧的N型外延层3中设置有第一P型阱区4和N型阱区6，隔离区13另一侧的N型外延层3中设置有第二P型阱区5，在第二P型阱区5中设置有相互独立的第二N型重掺杂区22和第三N型重掺杂区23。本发明的有益效果为，在不上电情况下，通过寄生SCR泄放电流，具有很强的ESD能力；在上电情况下，LIGBT的寄生SCR不能开启，不会发生snapback,具有高于击穿电压的维持电压，因此具有很强的抗闩锁能力。本发明尤其适用于用于ESD保护的LIGBT器件。
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公开(公告)号：CN103972233B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201410238781.8
申请日：2014-05-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件。当外加ESD脉冲时，RC触发电路向栅极电压提供高电位，开启NMOS，从而有效的开启SCR，达到泄放电流的目的；ESD脉冲电流泄放后，RC触发电路向栅极电压提供低电位，开启PMOS，减小寄生NPN晶体管的增益，使得闩锁效应的条件不能满足，有效的关断SCR，从而防止上电情况下闩锁效应的发生。本发明尤其适用于ESD保护用SCR器件。
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公开(公告)号：CN103633087B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310703447.0
申请日：2013-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件。本发明的LIGBT器件，通过隔离区13将N型外延层3隔离为两个部分，隔离区13一侧的N型外延层3中设置有第一P型阱区4和N型阱区6，隔离区13另一侧的N型外延层3中设置有第二P型阱区5，在第二P型阱区5中设置有相互独立的第二N型重掺杂区22和第三N型重掺杂区23。本发明的有益效果为，在不上电情况下，通过寄生SCR泄放电流，具有很强的ESD能力；在上电情况下，LIGBT的寄生SCR不能开启，不会发生snapback,具有高于击穿电压的维持电压，因此具有很强的抗闩锁能力。本发明尤其适用于用于ESD保护的LIGBT器件。
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公开(公告)号：CN103915436A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410127350.4
申请日：2014-03-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种集成电路用RC触发式ESD保护电路，属于电子技术领域。本发明通过由第一PMOS管的开启电阻和电容组成的RC触发电路的延迟作用，开启了第二PMOS管303，通过电阻305的电流拉升了电位点307的电位，从而开启NMOS管304并降低电位点307的电位，NMOS管303与第二PMOS管303形成正反馈，保证电位点307为高电位，以驱动衬底触发SCR器件104。本发明提供的集成电路用RC触发式ESD保护电路，其中电容的大小只需要5fF，相对于传统触发电路的pF级的电容小了很多，版图面积随之减小的同时，漏电流也随之减小。
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公开(公告)号：CN103606544A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310414067.5
申请日：2013-09-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种抗静电释放的LDMOS器件，属于电子技术领域。本发明在常规LDMOS器件的漏端下方一侧部分区域增加一个低压P阱，使LDMOS器件中存在一个寄生的N-P-N-P-N结构，从而增加一条低导通阻抗的电流泄放路径，该结构等效于一个BJT串联SCR结构，它通过Kirk效应诱导的高电场转移来触发，并且该SCR阳极的空穴电流可由反偏PN结雪崩击穿大量提供，因此，在不增加额外掩膜板的情况下，增加一条低阻抗的电流泄放路径，从而使器件的抗ESD性能提高。本发明较传统的LDMOS的Vhold略微降低，但其失效电流It2较大幅度提高。
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