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公开(公告)号：CN111904946B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201910389661.0
申请日：2019-05-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: A61K9/51 , A61K47/42 , A61K47/06 , A61K47/26 , A61K31/555 , A61K31/5415 , A61P25/00 , A61P35/00 , A61P25/28
Abstract: 本发明公开了一种基于仿生狂犬病毒的纳米诊疗制剂及其制备方法与应用，由金属有机框架材料(MOFs)、诊疗剂、包覆在MOFs表面的脂质双层膜和连接在脂质双层膜表面的靶向中枢神经系统的多肽或核酸适配体组成。制备方法为：以MOFs为递送载体，调控合成条件控制其尺寸与形状模仿狂犬病毒的形貌，负载诊疗剂后在MOFs的表面包覆脂质双层膜并修饰上由靶向中枢神经系统的多肽或核酸适配体，形成模仿狂犬病毒由糖蛋白组成的侵染性表面，从而提高纳米诊疗制剂跨越血脑屏障，靶向中枢神经系统的能力。本发明通过在基质材料MOFs的孔道中递送诊疗剂赋予纳米制剂诊疗功能，模仿狂犬病毒来构建相应的纳米诊疗制剂，可以有效地改善现有纳米诊疗制剂无法高效地穿越血脑屏障到达病变部位的困难，提高诊疗效率。
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公开(公告)号：CN104037748A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410271197.2
申请日：2014-06-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种用于ESD的抗闩锁触发电路。本发明的电路包括依次连接的检测电路1、输出级电路2和SCR器件；其中，检测电路由电容C11和电阻R12构成；电源VVD依次通过电容C11和电阻R12接地GND；输出级电路由二极管D21、D22、D23构成；二极管D21的正极通过C11后接电源VDD，其负极接二极管D23的正极；二极管D23的负极接二极管D22的正极；二极管D22的负极接二极管D21的正极；SCR器件的门极接二极管D21的负极。本发明的有益效果为，对于实现SCR电流能力最大化，降低SCR触发电压有显著效果，同时该电路能够对ESD脉冲的下降沿进行捕捉，并输出负电压来关断SCR结构。本发明尤其适用于ESD的抗闩锁触发电路。
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公开(公告)号：CN103545350A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310526919.X
申请日：2013-10-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于横向高压器件漂移区的耐压结构的工艺制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第一深槽，对第一深槽进行填充并形成第一导电类型杂质条；在横向高压器件漂移区上刻蚀出第二深槽，对第二深槽进行填充并形成第二导电类型杂质条；在横向高压器件漂移区上刻蚀出第三深槽，在第三深槽中填充介质形成介质槽，介质槽的两侧分别与第一导电类型杂质条和第二导电类型杂质条连接。本发明的有益效果为，缓解了器件比导通电阻与耐压的矛盾关系，并且介质槽形成折叠漂移区，可缩小有源区面积，能够显著降低比导通电阻。本发明尤其适用于横向高压器件漂移区的制造。
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公开(公告)号：CN115025248B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202110197570.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: A61K49/00 , A61K41/00 , A61K9/51 , A61K47/36 , A61P35/00 , B82Y5/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种铁基近红外荧光染料金属有机纳米复合物(MONs)及其制备方法和应用，属于纳米药物技术领域。针对如何高效可控制备铁基近红外荧光染料金属有机纳米复合物的技术问题，本发明提供的基于铁基金属有机骨架(Fe‑MOF)合成体系的调控策略实现了铁基近红外荧光染料金属有机纳米复合物的可控合成。进一步制备的透明质酸包覆的铁基近红外荧光染料金属有机纳米复合物，展现出更加优异的诊疗性能，能够有效推动肿瘤诊疗的发展。
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公开(公告)号：CN103928500B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410175859.6
申请日：2014-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向高压功率半导体器件的结终端结构。本发明通过缩小器件在曲率结终端处P型衬底和N型漂移区的总面积，从而防止器件在P型衬底区发生提前耗尽，保证器件在曲率结终端处的耐压。本发明的有益效果为，能够明显的降低曲率结终端对整个器件耐压的影响，使器件在过渡区的电场不会过大，并且通过改变漂移区或者P型衬底的面积使得器件的耐压达到最优化，保证器件的耐压。本发明尤其适用于横向高压功率半导体器件的结终端结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103633086A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310703058.8
申请日：2013-12-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术，具体的说是涉及一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR。本发明的一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR，包括P型衬底（1），所述P型衬底1中设置有第一N阱注入区2和P阱注入区4，其特征在于，还包括第二N阱注入区3，所述第二N阱注入区3设置在第二N+型注入区12的下端面，并分别与第二N+型注入区12和P阱注入区4连接。本发明的有益效果为，能有效提高维持电压和降低触发电压，在芯片不上电的情况下拥有较低的触发电压和较强的电流泄放能力，又能在芯片上电后自动提高其维持电压以防止闩锁效应对电路带来的影响，从而对芯片进行动态保护，同时本发明的结构与传统工艺兼容，无需添加额外的掩膜版，成本不会增加。
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公开(公告)号：CN115025248A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110197570.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: A61K49/00 , A61K41/00 , A61K9/51 , A61K47/36 , A61P35/00 , B82Y5/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种铁基近红外荧光染料金属有机纳米复合物(MONs)及其制备方法和应用，属于纳米药物技术领域。针对如何高效可控制备铁基近红外荧光染料金属有机纳米复合物的技术问题，本发明提供的基于铁基金属有机骨架(Fe‑MOF)合成体系的调控策略实现了铁基近红外荧光染料金属有机纳米复合物的可控合成。进一步制备的透明质酸包覆的铁基近红外荧光染料金属有机纳米复合物，展现出更加优异的诊疗性能，能够有效推动肿瘤诊疗的发展。
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公开(公告)号：CN111904946A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910389661.0
申请日：2019-05-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: A61K9/51 , A61K47/42 , A61K47/06 , A61K47/26 , A61K31/555 , A61K31/5415 , A61P25/00 , A61P35/00 , A61P25/28
Abstract: 本发明公开了一种基于仿生狂犬病毒的纳米诊疗制剂及其制备方法与应用，由金属有机框架材料(MOFs)、诊疗剂、包覆在MOFs表面的脂质双层膜和连接在脂质双层膜表面的靶向中枢神经系统的多肽或核酸适配体组成。制备方法为：以MOFs为递送载体，调控合成条件控制其尺寸与形状模仿狂犬病毒的形貌，负载诊疗剂后在MOFs的表面包覆脂质双层膜并修饰上由靶向中枢神经系统的多肽或核酸适配体，形成模仿狂犬病毒由糖蛋白组成的侵染性表面，从而提高纳米诊疗制剂跨越血脑屏障，靶向中枢神经系统的能力。本发明通过在基质材料MOFs的孔道中递送诊疗剂赋予纳米制剂诊疗功能，模仿狂犬病毒来构建相应的纳米诊疗制剂，可以有效地改善现有纳米诊疗制剂无法高效地穿越血脑屏障到达病变部位的困难，提高诊疗效率。
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公开(公告)号：CN104038209B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410277566.9
申请日：2014-06-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种具有与耐压管输出端直接相连的后级反相器栅极保护结构的电平位移电路。本发明电平位移电路，包括依次连接的高压电平位移电路(1)、高端CMOS电路(3)、外围自举电路(4)和半桥电路输出结构(5)；其特征在于，在电平位移电路(1)和高端CMOS电路(3)之间还连接有后级CMOS钳位电路(2)。本发明的有益效果为，可以有效的防止由于电压浮动造成取样电阻上压降变化较大导致与功率MOS管输出直接相连接的后级反相器栅氧化层可能被击穿的问题。本发明尤其适用于电平位移电路。
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公开(公告)号：CN104037748B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410271197.2
申请日：2014-06-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种用于ESD的抗闩锁触发电路。本发明的电路包括依次连接的检测电路1、输出级电路2和SCR器件；其中，检测电路由电容C11和电阻R12构成；电源VVD依次通过电容C11和电阻R12接地GND；输出级电路由二极管D21、D22、D23构成；二极管D21的正极通过C11后接电源VDD，其负极接二极管D23的正极；二极管D23的负极接二极管D22的正极；二极管D22的负极接二极管D21的正极；SCR器件的门极接二极管D21的负极。本发明的有益效果为，对于实现SCR电流能力最大化，降低SCR触发电压有显著效果，同时该电路能够对ESD脉冲的下降沿进行捕捉，并输出负电压来关断SCR结构。本发明尤其适用于ESD的抗闩锁触发电路。
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