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公开(公告)号：CN112510006A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910872960.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体模块、封装结构及其焊接方法，包括：芯片和基板，所述芯片设置于所述基板上，且所述芯片通过导电薄片与所述基板上的引脚电性连接，本发明采用导电薄片相较于现有技术中单根金属丝，增大接触面积，从而增强电流的流通能力，有效增强散热，提高电流效率，减低功率损耗，提高可靠性，亦避免使用多根金属丝时所产生的较大寄生系数，同时，无需在芯片表面打线，减少对芯片的损伤，从而简化工艺步骤，最终提高生产效率。
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公开(公告)号：CN110364503B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910674596.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L25/04 , H01L21/60
Abstract: 本发明提出了一种新型无引线贴片封装结构，采用表面开设通孔的引脚框架，通过向通孔中填充导电材料的方式，使芯片与引脚框架形成电气连接，从而摒弃了现有技术中需要案通过引线将芯片与引脚进行的方式，增加了新型无引线贴片封装结构的可靠性，使得其寄生参数较小，性能得到优化；并且与引线相比，引脚框架更容易导热，使得该封装结构工作时，芯片温度更低，有利于提高芯片的使用寿命。并且，该结构通过在芯片框架两侧分别装置芯片，可实现芯片的双层封装，使得新型无引线贴片封装结构集成度更高。本发明还提供了一种新型无引线贴片封装结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN111293171A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811505672.2
申请日：2018-12-10
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片的设计结构、产品结构及其制造方法，该设计结构包括：在所述IGBT芯片的沟槽设计上，在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方不设计沟槽(6)。本发明的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。
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公开(公告)号：CN111081661A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN110364503A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910674596.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L25/04 , H01L21/60
Abstract: 本发明提出了一种新型无引线贴片封装结构，采用表面开设通孔的引脚框架，通过向通孔中填充导电材料的方式，使芯片与引脚框架形成电气连接，从而摒弃了现有技术中需要案通过引线将芯片与引脚进行的方式，增加了新型无引线贴片封装结构的可靠性，使得其寄生参数较小，性能得到优化；并且与引线相比，引脚框架更容易导热，使得该封装结构工作时，芯片温度更低，有利于提高芯片的使用寿命。并且，该结构通过在芯片框架两侧分别装置芯片，可实现芯片的双层封装，使得新型无引线贴片封装结构集成度更高。本发明还提供了一种新型无引线贴片封装结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN107505555B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710796675.5
申请日：2017-09-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 廖勇波
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及二极管测试技术领域，特别是涉及一种二极管电学特性曲线绘制方法及测试设备。其中，该方法包括：在对二极管输入第一预设占空比D1的脉冲信号进行测试时，获取二极管处于最高结温下的最大正向平均电流及与最大正向平均电流对应的正向直流电压；根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与正向直流电压，计算出功率损耗；确定二极管的结到壳的热阻参数；根据二极管的结到壳的热阻参数与功率损耗，计算出最大功率损耗；根据第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流、正向平均电流对应的功率损耗及最大功率损耗，绘制第一预设占空比D1对应的最大正向平均电流与功率损耗的关系曲线。因此，其所需要的测试数据相对不大，计算方便。
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公开(公告)号：CN109728083A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811464344.2
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、电气设备，该绝缘栅双极型晶体管在沟槽内的多晶硅层刻蚀形成两个多晶硅层，并且在沟槽的底部增设了N型层以及P型层，电流路径除了具备传统宽沟槽的绝缘栅双极型晶体管的构造的电流路径外，还新增了沟槽底部侧壁的沟道电流，沟道底部中间的PNP结构的电流，因此，在相同的面积下，本发明中的沟槽的通电能力更强。
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公开(公告)号：CN109192775A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811223772.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种IGBT及其生长方法，该IGBT包括：IGBT本体和P型层；其中，所述P型层，位于所述IGBT本体的栅极底部；所述P型层与所述IGBT本体的N型层形成反向PN结分担承受电压。本发明的方案，可以解决槽栅结构IGBT在承受高电压时在Trench底部的拐角处有电场集中容易发生电场击穿的问题，达到不容易发生电场击穿的效果。
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公开(公告)号：CN119947139A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411917791.4
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件、一种半导体器件的制备方法和一种芯片，该半导体器件包括：N+型衬底，具有高掺杂浓度，从而具有较低的电阻率，能够提供低电阻的电流路径；N型外延层，包括N型外延层本体和第一沟槽，N型外延层本体设于N+型衬底一侧的表面，第一沟槽设于N型外延层本体中，可以降低导通电阻，同时保持较高的电学性能，提高了半导体器件的效率；第一P+区，设于N型外延层本体的第一沟槽中，用于提供空穴；第二沟槽，形成于第一P+区，用于填充欧姆接触金属，从而增大欧姆金属接触面积，提高半导体器件的抗浪涌能力，减小反向漏电；第二P+区，设于第二沟槽下方，用于增加半导体器件的抗浪涌电流能力。
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公开(公告)号：CN119905967A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411906650.2
申请日：2024-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种过压保护电路和电子设备，该过压保护电路包括：第一开关管，包括第一电极、第二电极和第三电极；第一电极用于接收输入电压；第二电极接地连接；分压模块，分压模块的一端与第一开关管的第一电极连接；信号处理模块，信号处理模块的一端与分压模块的另一端连接；驱动模块，驱动模块的一端与信号处理模块的另一端连接，驱动模块的另一端与第一开关管的第三电极连接；信号处理模块，用于采集分压模块输出的第一电压信号，将第一电压信号转换为第二电压信号，并将第二电压信号输入至驱动模块；驱动模块，用于通过第二电压信号驱动第一开关管的第三电极。减少了实现过压保护的成本，降低了过压保护电路的复杂度。
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