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公开(公告)号：CN112447832A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910803935.6
申请日：2019-08-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , G01K7/16 , G01K1/14
Abstract: 本发明涉及检测的技术领域，公开一种半导体功率器件及制备方法，该半导体功率器件，包括：衬底、形成于衬底内的结构层、形成于衬底一侧表面的金属连接层；其中：衬底包括沿衬底厚度方向排列的P型层和位于P型层背离金属连接层一侧的N型层以形成P‑N结，衬底形成有开口位于P型层背离N型层一侧表面的电阻沟槽；金属连接层包括测温电阻引出端；结构层包括测温电阻，测温电阻位于电阻沟槽内，测温电阻朝向金属连接层的一端与测温电阻引出端连接、且远离金属连接层的一端伸入至N型层内，且测温电阻与P型层和N型层之间绝缘，能够解决现有技术中对功率器件工作时温度不准确的技术问题。
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公开(公告)号：CN112447821A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910824911.9
申请日：2019-09-02
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，具体而言，涉及一种终端结构制造方法，包括在半导体衬底表面设置场氧化层，所述场氧化层厚度范围为1微米至2微米；在所述场氧化层表面沉积氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜厚度范围为10纳米至50纳米；采用湿法刻蚀工艺对所述场氧化层及氧化硅薄膜进行刻蚀，根据所述场氧化层及氧化硅薄膜之间的刻蚀速率差使所述场氧化层形成斜面台阶结构；在所述斜面结构进行离子注入掺杂、热扩散激活及PN结推进，本方案通过在场氧化层表面设置氧化硅薄膜，根据场氧化层及氧化硅薄膜之间的刻蚀速率差使场氧化层形成斜面台阶结构，有利于终端扩散结的边缘渐变，有利于调节PN结表面的电场，提高PN结的耐压和击穿特性。
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公开(公告)号：CN112397388A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910760385.4
申请日：2019-08-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及一种二极管及其制备方法。该二极管的制备方法包括以下步骤：提供表面形成有外延层的衬底，所述外延层的表面包括主结区和包围所述主结区的非主结区；在所述非主结区的表面形成隔离层，并形成与所述主结区位置对应的主结槽；对所述主结槽的底面进行扩铂处理；在所述扩铂处理后的所述主结槽的底面形成电阻层，得到中间器件；其中，所述电阻层在所述主结区的投影面积小于所述主结区的面积；在所述中间器件的正面形成与所述主结区连接并与所述电阻层绝缘设置的阳极，和位于所述电阻层的表面且与所述阳极绝缘设置的电阻电极；在所述中间器件的背面形成阴极。利用该制备方法以解决主结区扩铂不完全，且电阻层电阻值难以控制的问题。
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公开(公告)号：CN112310226A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910691503.0
申请日：2019-07-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种快恢复二极管，涉及二极管领域。该快恢复二极管，包括：衬底层；N型外延层，位于所述衬底层表面；P型注入区，位于所述衬底层表面，且设置于所述N型外延层的侧部；扩散区，位于所述N型外延层的顶部区域，与P型注入区分隔设置。利用该快恢复二极管能够解决现有技术中采用扩铂工艺降低快恢复二极管反向恢复时间时容易导致其正向导通压降高的问题，通过改变快恢复二极管的结构达到降低快恢复二极管反向恢复时间的目的。
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公开(公告)号：CN112242359A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910639479.6
申请日：2019-07-16
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，公开一种芯片封装结构及芯片封装方法，其中的芯片封装结构包括：芯片本体、绝缘胶膜、绝缘覆盖层和电极引出部件；其中，绝缘胶膜覆盖于芯片本体的底面，绝缘覆盖层覆盖于芯片本体顶面，绝缘胶膜和绝缘覆盖层配合以包裹芯片本体；芯片本体顶面具有电极，电极引出部件的一端与电极电连接、另一端延伸至绝缘覆盖层外。上述芯片封装结构，可以有效减少芯片封装后的体积，同时提高封装效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112086502A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201910509312.8
申请日：2019-06-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/82 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种半导体功率器件的制造方法，所述半导体功率器件包括硅衬底晶圆，该方法包括：在所述硅衬底晶圆上形成元胞有源区和终端环区；在所述元胞有源区和所述终端环区上形成位于所述终端环区的正硅酸乙酯氧化层；在所述硅衬底晶圆的元胞有源区形成位于所述元胞有源区的沟槽；在所述元胞有源区形成栅极和发射极；在所述硅衬底晶圆的元胞有源区形成具有接触孔图形的层间介质氧化层；在所述硅衬底晶圆上依次形成金属层和钝化层。本发明在制造时在元胞有源区和终端环区同时光刻，相对于现有的采用不同光刻分别对硅衬底晶圆上的终端环区和元胞有源区进行制造的方式减少了光刻次数，从而大大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN110416200B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201910589440.8
申请日：2019-07-02
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L21/98 , H01L23/04 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及电子功率器件技术领域，特别涉及一种功率模块封装结构及制作方法。该功率模块封装结构包括绝缘外壳和基板组件，绝缘外壳封装于基板组件外以至少覆盖基板组件的功能结构部分；基板组件包括第一基板和第二基板；第一基板朝向第二基板的表面设置有功率因数校正开关芯片、功率因数校正二极管以及三相逆变芯片；第二基板朝向绝缘外壳的表面设置有功率因数校正驱动芯片、三相逆变驱动芯片以及自举二极管芯片，第二基板朝向第一基板的表面设置有电路层；电路层分别与功率因数校正开关芯片、功率因数校正二极管以及三相逆变芯片电性连接。在满足功能要求的基础上缩小了结构占板面积。
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公开(公告)号：CN111508128A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010338147.7
申请日：2020-04-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供一种门禁控制方法、门禁系统、存储介质及电子设备。所述门禁控制方法，包括：获取图像采集装置采集的图像及测温装置采集的当前人员的体温；判断所述当前人员的体温是否高于预设值；若所述当前人员的体温不高于预设值，则根据开启通行设备的指令控制通行设备打开。本发明在有人员请求进入设有门禁系统的区域时实现自动检测体温，通过身份核实与体温检测的双重确认，有效避免已出现体温异常的人员进入区域内带来风险，节约人力资源，提高测温效率。
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公开(公告)号：CN107275396B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710667268.4
申请日：2017-08-07
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT及其制作方法，在沟槽栅IGBT的第一沟槽栅上设置一接触区，在制作隔离层时仅仅对隔离层对应该第一接触区的部分进行刻蚀挖空，而无需对隔离层对应第一沟槽栅其他区域的部分进行刻蚀挖空处理，保证第一沟槽栅的顶面边缘与沟槽栅衬底结构的表面接触部分质量较高，改善沟槽栅IGBT容易出现漏电的问题，提高其可靠性。此外，本发明提供的沟槽栅IGBT无需增加相邻沟槽栅之间的间距，因而沟槽栅IGBT的沟槽栅的密度可以优化为较大的密度，保证沟槽栅IGBT的饱和电流密度较高。
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公开(公告)号：CN110120354A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910371347.X
申请日：2019-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块的封装方法及智能功率模块。其中，该方法包括：在智能功率模块完成第一次树脂层封装后，在第一树脂层的外表面进行导电膏体印刷，其中，上述智能功率模块中的功率芯片内置于上述第一树脂层；通过对经导电膏体印刷后的智能功率模块进行第二次树脂层封装，得到封装成型的智能功率模块，其中，上述智能功率模块的驱动芯片内置于第二树脂层。本发明解决了传统的智能功率模块采用引线键合的方式电性连接导致杂散电感偏高，电流承载能力不足的技术问题。
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